BLVP304 BELLING | Alldatasheet
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http://www.belling.com.cn - 1 - 8/18/2006 Total 2 Pages PP PP 沟纵向沟纵向沟纵向沟纵向 MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET 描述描述描述描述:: :: P 沟增强型VDMOS，高速开关，无二次击穿 产品应用：产品应用：产品应用：产品应用： /circle6 电话机电路 /circle6 继电器电路 /circle6 驱动电路等 工作条件工作条件工作条件工作条件 (T=25 (T=25 (T=25 (T=25℃℃ ℃℃)) )) 符号符号符号符号 参数参数参数参数 极限值极限值极限值极限值 单位单位单位单位 VDSS 漏源电压 -300 V VGSS 栅源电压 + 20 V ID 漏电流 -170 mA PD Power Dissipation for Dual Operation 1 W Tj, T SDG 结温度和存储温度 -55 to +150 o C 热特性热特性热特性热特性 Rth j-a Thermal Resistance, Junction to Ambient 125 K/W 电学特性电学特性电学特性电学特性(T (T (T (T AA AA=25 =25 =25 =25 oo oo C) C) C) C) 符号符号符号符号 参数 参数参数参数 测试条件 测试条件测试条件测试条件 最小 最小最小最小 典型典型典型典型 最大最大最大最大 单位单位单位单位 DSS BV 源漏击穿电压 VVGS 0= , uA ID 10 −= -300 - - V DSS I 零栅压时的漏极电流 VV DS 240 −= , VVGS 0= - - -100 nA GSS I 栅和衬底之间的漏电流 VVGS 20 ±= , VV DS 0= - - + 100 nA )(th GS V 阈值电压 GS DS VV = , mA ID 1−= -1.7 - -2.55 V )(on DS R 导通电阻 VVGS 10 −= , mA ID 170 −= - - 18 Ω
http://www.belling.com.cn - 2 - 8/18/2006 Total 2 Pages 交流特性交流特性交流特性交流特性 Ciss 输入电容 - 60 90 pF Coss 输出电容 - 15 30 pF Crss 反馈电容 VDS =-25V，VGS =0V F= 1MHz - 5 15 pF 开关特性开关特性开关特性开关特性 ton Turn-On 时间 - 5 10 nS toff Turn-Off 时间 VDD =-50V, I D=-250mA VGS =0 to -10V - 15 30 ns