BLV4N60 BELLING | Alldatasheet

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http://www.belling.com.cn - 1 - 10/23/2006 Total 6 Pages BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

  • 抗雪崩冲击能力强抗雪崩冲击能力强抗雪崩冲击能力强抗雪崩冲击能力强 BV DSS 600V
  • 高速开关高速开关高速开关高速开关 R DS(ON) 2.2 ΩΩ ΩΩ
  • 驱动简单驱动简单驱动简单驱动简单 ID 4A 产品介绍产品介绍产品介绍产品介绍 BLV4N60 是上海贝岭采用目前先进的工艺和设计技术， 自行开发的 600V 、4A N 沟 VDMOS ， 适合于各类高 效开关电源。 最大额定参数最大额定参数最大额定参数最大额定参数 （（ （（TC =25 oC 除非另有说明）） ）） 符号符号符号符号 参数参数参数参数 极限值极限值极限值极限值 单位单位单位单位 VDS 漏源电压 600 V VGS 栅源电压 + 20 V 连续漏极电流 4 A ID 连续漏极电流 ( TC =100 oC ) 2.53 A I DM 脉冲漏极电流 ( 注 1) 16 A 功耗 104 W PD 高于 25 ℃线性降低参数 0.83 W/ ℃ E AS 单脉冲雪崩击穿能量 ( 注 2) 218 mJ I AR 雪崩击穿电流 4 A E AR 重复雪崩击穿能量 10.4 mJ Tj 工作温度范围 -55 to +150 oC TSDG 存储温度范围 -55 to +150 oC 热特性热特性热特性热特性 符号符号符号符号 参数参数参数参数 极限值极限值极限值极限值 单位单位单位单位 Rth j-c 热阻，结到外壳 1.2 ℃/ W Rth j-a 热阻，结到环境 62.5 ℃/ W

http://www.belling.com.cn - 2 - 10/23/2006 Total 6 Pages BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 电特性电特性电特性电特性（（ （（T C =25 oC 除非另有说明）除非另有说明）除非另有说明）除非另有说明） 符号符号符号符号 参数参数参数参数 测试条件测试条件测试条件测试条件 最小最小最小最小 典型典型典型典型 最大最大最大最大 单位单位单位单位 BV DSS 漏源击穿电压 VGS =0V, ID =250uA 600 - - V ΔBV DSS /ΔTJ 源漏击穿电压温度系数 Reference to 25℃ R DS(ON) 导通电阻 VGS =10V, ID =2A - - 2.2 Ω VGS(th) 阈值电压 VDS =VGS , ID =250uA 2 - 4 V gfs 跨导 VDS =15V, ID =2A(注 3) - 3 - S IDSS 零栅压漏电流 VDS =600V, VGS =0V - - 10 uA 零栅压漏电流 (Tc=125 ℃) VDS =480V, VGS =0V - - 100 uA IGSS 栅体漏电流 VGS = ± 20V - - ±100 nA Q g 栅总电荷 - 23.7 - nC Q gs 栅源电荷 - 5.4 - nC Q gd 栅漏电荷 VDD =480V ID =4A VGS =10V (注 3) - 9.4 - nC t (on) 开启延迟时间 - 13 - ns t r 开启上升时间 - 21 - ns t (off) 关断延迟时间 - 35 - ns t f 关断下降时间 VDD =300V ID =4A R G =25 Ω (注 3) - 25 - ns C iss 输入电容 - 690 - pF C oss 输出电容 - 125 - pF C rss 反向传输电容 VDS =25V VGS =0V f = 1MHz - 14 - pF 源漏二极管特性源漏二极管特性源漏二极管特性源漏二极管特性 符号符号符号符号 参数参数参数参数 测试条件测试条件测试条件测试条件 最小最小最小最小 典型典型典型典型 最大最大最大最大 单位单位单位单位 IS 连续源极电流 - - 4 A ISM 脉冲源极电流 ( 注1) - - 16 A VSD 正向导通压降 VGS =0V, IS=4A - - 1.4 V t rr 反向恢复时间 - 680 - ns Q rr 反向恢复电荷 VGS =0V, IS=4A (注3) dI F/dt = 100A/us - 2 - uC (1) Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature (2) L=25mH, Ias=4A ，Vdd=50V ，Rg=25 Ω ，staring Tj=25C (3) Pulse width ≤ 300 us; duty cycle ≤ 2%

http://www.belling.com.cn - 3 - 10/23/2006 Total 6 Pages BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Typical Characteristics Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics Fig 3. Normalized BVdss vs. Junction Temperature Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Junction Temperature

http://www.belling.com.cn - 4 - 10/23/2006 Total 6 Pages BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Typical Characteristics （（ （（continued ）） ）） Fig 5. On-Resistance Variation vs. Drain Current and Gate Voltage Fig 6. Body Diode Forward Voltage Variation vs. Source Current and Temperature Fig 7. Gate Charge Characteristics Fig 8. Capacitance Characteristics

http://www.belling.com.cn - 5 - 10/23/2006 Total 6 Pages BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Typical Characteristics （（ （（continued ）） ）） Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Transient Thermal Response Curve

http://www.belling.com.cn - 6 - 10/23/2006 Total 6 Pages BLV4N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Test Circuit and Waveform Fig 12. Gate Charge Waveform Fig 11. Gate Charge Circuit Fig 13. Switching Time Circuit Fig 14. Switching Time Waveform Fig 15. Unclamped Inductive Switching Test Circuit Fig 16. Unclamped Inductive Switching Waveforms