BLV2N60 BELLING | Alldatasheet
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http://www.belling.com.cn - 1 - 8/24/2006 Total 2 Pages Wrote by 1900 BLV2N60 产品说明书产品说明书产品说明书产品说明书（（ （（临时临时临时临时）） ）） 产品介绍 概述(OUTLINE) ： 特点 FEATURES) ： BLV2N60 是上海贝岭采用目前先进的 工艺和设计技术, 自行开发的 600V 2.4A N 沟 VDMOS, 适合于各类高效 开关电源.
- 2.4A, 600V, RDS(ON) =4.4 Ω @ VGS =10V
- 抗雪崩冲击能力强
- 高速开关
- 驱动简单 主要用途(APPLICATIONS) ： 引脚排列（PIN CONFIGURATION ） 各类开关电源等 管脚号 符号 名称
1 G 栅
2 D 漏
3 S 源
极限参数(ABSOLUTE MAXIMUM RATING) T C =25C ： 符号符号符号符号 参数 极限值极限值极限值极限值 单位单位单位单位 VDSS 漏源电压 600 V VGSS 栅源电压 + 30 V ID 漏电流 2.4 A IDM 脉冲漏电流 (Note 1) 9.6 A Eas 雪崩击穿能量 (Note2) 140 mJ Tj, T SDG 结温度和存储温度 -55 to +150 oC PD Power Dissipation for Dual Operation 64 W 热特性热特性热特性热特性 R th j-c Thermal Resistance, Junction to Case Max. 2.0 K/W R th j-a Thermal Resistance, Junction to Ambient Max. 62.5 K/W
http://www.belling.com.cn - 2 - 8/24/2006 Total 2 Pages Wrote by 1900 电参数（ELECTRICAL CHARACTERISTICS ）： 电学特性电学特性电学特性电学特性 T A=25 oC 符号符号符号符号 参数 测试条件测试条件测试条件测试条件 最小最小最小最小 典型典型典型典型 最大最大最大最大 单位单位单位单位 关态关态关态关态 BV DSS 源漏击穿电压 VGS =0V,I D =250u A 600 V ΔBV DSS /ΔTJ 源漏击穿电压温度系数 ID =250uA, Reference to 25 oC 0.4 V/ oC IDSS 零栅压时的漏极电流 VDS=600V,VGS=0V VDS=480V,Tc=125 o C 100 u A u A I GSS 栅和衬底之间的反向漏电 流 VGS =+/-20V,V DS =0V +/- 100 n A 开态开态开态开态 V GS(th) 阈值电压 VDS =V GS ,I D =250uA 2 4 V R DS(ON) 导通电阻 (note3) VGS =10V,I D =1.2A - 4.4 Ω G fs 跨导 (note3) VDS =50V, I D =1.2A 2.5* S 动态特性动态特性动态特性动态特性 Ciss 输入电容 360 p F Coss 输出电容 36 p F Crss 反馈电容 VDS =25V ，VGS =0V f = 1MHz 8 p F 开关特性开关特性开关特性开关特性 t on 开启时间 12* ns t r 上升时间 21* ns t off 关闭时间 30* ns t f 下降时间 VDD =300V, I D =2.4A R G =25 Ω , note3 24* ns Q g 栅电荷 13* nC Q gs 栅源电荷 2* nC Q gd 栅漏电荷 5* nC VDD =480V, I D =2.4A Vgs=10V, note3 Note (1) Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature (2) Eas 测试条件：L=45mH, Ias=2.4A ，Vdd=50V ，Rg=25 Ω ，staring Tj=25C (3) Pulse width ≤ 300 us; duty cycle ≤ 2% (4) *表示为计算值,待进一步测试