BLV108 BELLING | Alldatasheet

Document overview

  • Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
  • PDF pages: 2

Technical content

http://www.belling.com.cn - 1 - 8/18/2006 Total 2 Pages NN NN 沟纵向沟纵向沟纵向沟纵向 MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET 描述描述描述描述:: :: N 沟增强型VDMOS，高速开关，无二次击穿 产品应用：产品应用：产品应用：产品应用： /circle6 电话机电路 /circle6 继电器电路 /circle6 驱动电路等 工作条件工作条件工作条件工作条件 (T=25 (T=25 (T=25 (T=25℃℃ ℃℃)) )) 符号符号符号符号 参数参数参数参数 极限值极限值极限值极限值 单位单位单位单位 VDSS 漏源电压 200 V VGSS 栅源电压 + 20 V ID 漏电流 300 mA PD Power Dissipation for Dual Operation 1 W Tj, T SDG 结温度和存储温度 -55 to +150 o C 热特性热特性热特性热特性 Rth j-a Thermal Resistance, Junction to Ambient 125 K/W 电学特性电学特性电学特性电学特性 TT TTAA AA=25 =25 =25 =25 oo oo CC CC 符号符号符号符号 参数 参数参数参数 测试条件 测试条件测试条件测试条件 最小 最小最小最小 典型典型典型典型 最大最大最大最大 单位单位单位单位 DSS BV 源漏击穿电压 VVGS 0= , uA ID 10 = 200 V DSS I 零栅压时的漏极电流 VV DS 160 = , VVGS 0= 1 uA GSS I 栅和衬底之间的漏电流 VVGS 20 ±= , VV DS 0= + 100 nA )(th GS V 阈值电压 GS DS VV = , mA ID 1= 0.4 1.8 V )(on DS R 导通电阻 VVGS 8 . 2= , mA ID 100 = 5 Ω

http://www.belling.com.cn - 2 - 8/18/2006 Total 2 Pages 交流特性交流特性交流特性交流特性 Ciss 输入电容 120 pF Coss 输出电容 30 pF Crss 反馈电容 VDS =25V，VGS =0V f = 1MHz 15 pF 开关特性开关特性开关特性开关特性 ton Turn-On 时间 6 10 ns toff Turn-Off 时间 VDD =50V, I D=250mA VGS =0 to 10V 49 60 ns