BLP3062

BLP3062 BELLING | Alldatasheet

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http://www.belling.com.cn - 1 - 8/18/2006 Total 2 Pages PIN PIN PIN PIN 结结 结结 Si Si Si Si 光电二极管光电二极管光电二极管光电二极管 描述描述描述描述 工作在低频区域的Si光电二极管， 可探测波长处于峰值波长附近的光信号。 应用应用应用应用

• 遥控电路
• 光纤通信 结构结构结构结构 芯片结构：平面 PIN 型结构 电极：顶部 AlSi 外形图和尺寸外形图和尺寸外形图和尺寸外形图和尺寸 芯片尺寸：1.6 mm × 1.6 mm 芯片厚度：300 ±25 µm 纵向结构纵向结构纵向结构纵向结构 芯片结构：平面 PIN 型结构 电极：AlSi N Cathode Anode P N N P N

http://www.belling.com.cn - 2 - 8/18/2006 Total 2 Pages 光电特性光电特性光电特性光电特性(Ta=25°) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 暗电流 Reverse dark current ID V R =10V E=0mW/cm 2 30 nA 反向击穿电压 Reverse breakdown voltage V BR IR =100 µA, H=0mV/cm 2 60 100 V 开路电压 Open circuit voltage V OC E=5mW/cm 2 400 mV 短路电流 Short circuit current IOC E=5mW/cm 2 20 µA 光电流 Reverse light current IL V R =5V E=5mW/cm 2 20 µA 总电容 Total capacitance C T V R =5V E=0mW/cm 2 f=1MHz 7 pF 典型曲线典型曲线典型曲线典型曲线

• 光谱响应 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 PHOTO SENSITIVITY (A/W) WAVE LENGTH (nm)