BL75R02 BELLING | Alldatasheet
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BL75R02 512 位 EEPROM 射频识别 （RFID）芯片 http://www.belling.com.cn - 1 - 8/16/2006 Total 5 Pages 一、概述 BL75R02 是一款远距离读写的射频识别芯片，可制作成电子标签或非接触卡，主要适 用于大中型物流、商品防盗防伪、工业控制、门禁系统、军事跟踪、路桥收费、畜牧养殖、 图书文档管理、特种设备和金融票据等领域。该芯片支持ISO15693 射频接口，配合适当的 天线其有效作用距离可达1.5m （门柱型线圈） ，具备防冲突功能，读写器能同时快速处理多 个芯片，支持PHILIPS 公司、TI 公司 ISO15693 标准读卡机芯片。 片内 512 位 E 2PROM ，共分为16 页（block ） ，每页4 字节 32 位.。其中64 位为唯一序 列号，48 位用作特殊功能位（电子商品防盗功能 EAS 、休眠功能 QUIET 、应用类型识别 AFI 等） ，32 位用于页锁定，其余为用户使用区。 二、产品特点 1 射频接口射频接口射频接口射频接口 (支持ISO15693 射频接口)
- 能量和数据以无线方式传输
- 工作频率： 13.56MHz
- 读写距离： 1.5m （门柱型线圈）
- 读卡机到芯片的数据传输率：26.5Kbit/s （快速模式）或1.66 Kbit/s （标准模式）
- 芯片到读卡机的数据传输率：26.5Kbit/s
- 帧校验方式： 16 位CRC 校验
- 具备防冲突功能
- 电子商品防盗功能（EAS ）
- 支持应用类型识别（AFI ）
- 特有快速读写模式
- 写距离等于读距离
2 EEPROM
- 512 位，共分16 块，每块4 字节即32 位
- 数据保持时间大于10 年
- 读写次数达大于10 万次 3 安全性安全性安全性安全性
- 每个芯片具有不可改写的唯一序列号（UID ）供识别和加密
- 各数据块可单独锁定，数据一旦被锁定无法再被修改
- 芯片可通过自杀指令自行毁灭（根据客户要求）
BL75R02 512 位 EEPROM 射频识别 （RFID）芯片 http://www.belling.com.cn - 2 - 8/16/2006 Total 5 Pages 三、功能描述
1 BL75R02 原理图原理图原理图原理图
2 存储器结构存储器结构存储器结构存储器结构 BL75R02 的存储器结构如下表所示。512 位EEPROM 共分为16 块，每块4 字节32 位。 块是最小的读写单位。每个字节的第0 位和第7 位分别为LSB 和 MSB 。 Byte0 Byte1 Byte2 Byte3 Block 0 UID 0 UID 1 UID 2 UID 3 Block 1 UID 4 UID 5 UID 6 UID 7 芯片唯一序 列号 Block 2 F0 FF FF FF 写保护 Block 3 X X X X Block 4 Family code Application ID X X 特殊功能位 …… 用户数据 Block15 X X X X 表中列出了出厂时芯片的EEPROM 中所存储的数据。其中，X 表示数据待定。 2.1 芯片唯一序列号（芯片唯一序列号（芯片唯一序列号（芯片唯一序列号（UID ）） ）） 芯片唯一序列号在芯片制造过程中写入，并永不能被改写。UID 的计数方式为从LSB1 到 MSB64 ，与字节中的位计数方式相反。UID 的格式如下表所示。 MSB LSB 64 57 56 49 48 41 40 1 “E0 ” 注册号 “01 ” 芯片制造商序列号 UID 7 UID 6 UID 5 UID 4 UID 3 UID 2 UID 1 UID 0
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2.2 EAS 功能功能功能功能
EEPROM Block 3 的Byte 0 的 bit0 和 bit1 用于EAS 功能的设置，其格式如下表所示。 Block -3，Byte 0 MSB LSB X X X X X X X X QUIET EAS 当 bit1,0=1|1 时，EAS 功能被激活，标签（指利用该芯片制作的标签或非接触卡，下同） 在此状态下， 对读写器的EAS 指令作出响应， 否则标签不会对读写器的EAS 指令作出响应。
2.3 QUIET 功能功能功能功能
EEPROM Block 3 的Byte 0 的 bit3 和 bit2 用于QUIET 功能的设置，其格式如上表。 当 bit3,2=1|1 时，Quiet 功能被激活，标签在此状态下，不响应除Reset Quiet Bit 和 EAS 以外的任何命令。 2.4 应用类型识别（应用类型识别（应用类型识别（应用类型识别（AFI ）） ）） EEPROM Block 4 的Byte 0 （Family Code ）和Byte 1(Application ID) 分别用作分类和 应用类型识别。当读写器发送的指令中包含 AFI 信息且不为全零时，标签会分别核对自己 的 Family Code 和Application ID 是否和命令指定的AFI 相同，如果相同则执行，否则不进 行任何操作。 2.5 写保护设置写保护设置写保护设置写保护设置 EEPROM 的 Block 2 用作各 block 的写保护，该块中的32 位数据分别对应16 个 block （每个block 用两位写保护位） ，映射关系如下表所示。 Block -2 Byte 0 Byte 1 MSB LSB MSB LSB 对应数据 块号 3 2 1 0 7 6 5 4 Byte 2 Byte 3 MSB LSB MSB LSB 对应数据 块号 11 10 9 8 15 14 13 12 写保护位被置为0|0 后，将无法再置为1|1 ，即数据block 一旦被设置为只读，将永久性 被写禁止，写保护位不允许被置为1|0 或 0|1 。 3 指令概述指令概述指令概述指令概述 3.1 防冲突防冲突防冲突防冲突/选择（选择（选择（选择（Anti-collision/Select ）） ）） 射频作用区域内所有unselected 的标签根据指令参数分应用类别在各自的timeslot 中返 回它的 64 位序列号，未发生冲突的标签可由本timeslot 的 quit 命令 selected ，并且 timeslot 被固定。
BL75R02 512 位 EEPROM 射频识别 （RFID）芯片 http://www.belling.com.cn - 4 - 8/16/2006 Total 5 Pages 这里 selected 表示一种状态，芯片在收到Anti-collision/Select 以及其后的quit 命令后进 入 selected 状态。命令结束后的响应过程被划分为若干个时间段，规定标签只能在其中一个 时间段内响应命令，这个时间段称为该标签的 timeslot 。标签具体在哪个时间段内响应由相 关命令参数以及UID 决定。 指定所有selected 的标签在它们各自的timeslot 中返回指定block （一个或多个） 的数据。 3.3 非选择读（非选择读（非选择读（非选择读（Unselected Read ）） ）） 所有 unselected 的标签将重新生成自己的 timeslot ，根据指令参数分应用类别返回指定 block （一个或多个）中的数据。 selected 的标签在各自的timeslot 返回 64 位序列号，并由该timeslot 的 quit 指令确认后 执行写操作，将缓冲区的数据写入指定block 。 selected 的标签在自己的timeslot 返回 64 位序列号，并由该timeslot 的 quit 指令确认后 进入Halt 模式，不再响应任何指令直到下次上电复位。 在对应的QUIET 特殊功能位被置位的情况下，标签不响应除EAS 和 Reset Quiet bit 外 的任何命令，处于休眠状态，直到特殊功能位被重新复位。quiet 特殊功能位只能由本命令 复位。 3.7 电子商品防盗（电子商品防盗（电子商品防盗（电子商品防盗（EAS ）） ）） 在对应的 EAS 特殊功能位被置位的情况下，标签根据指令参数分应用类别返回256 位特征 数据。 四、电参数 4.1 极限参数：极限参数：极限参数：极限参数： 符号符号符号符号 参数参数参数参数 测试条件测试条件测试条件测试条件 范围范围范围范围 单位单位单位单位 Tstg 存储温度范围 -55 --- +140 °C VESD ESD 电压 -STD-883D ±2 kVpeak ImaxLA-LB 最大输入峰值电流 ±80 mApeak
BL75R02 512 位 EEPROM 射频识别 （RFID）芯片 http://www.belling.com.cn - 5 - 8/16/2006 Total 5 Pages 4.2 工作参数：工作参数：工作参数：工作参数： 符号符号符号符号 参数参数参数参数 测试条件测试条件测试条件测试条件 最小值最小值最小值最小值 典型值典型值典型值典型值 最大值最大值最大值最大值 单位单位单位单位 Tamb 工作环境温度 -25 +70 °C Tjop 工作结温 -25 +85 °C ILA-LB 输入电流 40 mArms VLA-LBrd READ/EAS 的最小输入电压 标准模式 ±2.4 ±2.7 Vpeak VLA-LBwr WRITE 的最小输入电压 标准模式 ±2.6 ±2.9 Vpeak VLA-LBfm READ/EAS/WRITE 的最小 输入电压 快速模式 ±2.9 ±3.2 Vpeak fop 工作频率 13.553 13.560 13.567 MHZ .3 电参数：电参数：电参数：电参数： 符号符号符号符号 参数参数参数参数 测试条件测试条件测试条件测试条件 最小值最小值最小值最小值 典型值典型值典型值典型值 最大值最大值最大值最大值 单位单位单位单位 Cres 输入电容 VLA-LB=2Vrms 30.4 32 33.6 pF Pmin 最小输入功率 VLA-LB=2Vrms 160 µ W m 输入信号的调制深度 m=(Vmax-Vmin)/ (Vmax+Vmin) 9 10 30 % tpsm 调制脉冲宽度 标准模式 m ≥ 10% 3.50 5.00 9.44 µS tpfm 调制脉冲宽度 快速模式 m ≥ 10% 15.00 17.00 18.88 µS tret EEPROM 数据保持时 间 Tamb ≤ 55 °C 10 Years nwrite EEPROM 擦写次数 100 000 Cycles