A117AJ-00 HUASHAN | Alldatasheet
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汕头华汕电子器件有限公司 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单位 测 试 条 件 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO hFE V CE(sat) VBE fT Cob 集电极— 基极击穿电压 集电极— 发射极击穿电压 发射极— 基极击穿电压 集电极— 基极截止电流 直流电流增益 集电极— 发射极饱和电压 基极— 发射极电压 特征频率 共基极输出电容 -180 -160 140 -10 300 -1.5 V V V µA V V MHz pF I C=-1mA，IE=0 IC=-10mA，IB=0 IE=-1mA，IC=0 VCB=-160V，IE=0 VCE=-5V，IC=-150mA VCE=-5V，IC=-500mA IC=-500mA，IB=-50mA VCE=-5V，IC=-150mA VCE=-5V，IC=-150mA VCB=-10V ,IE=0，f=1MHz PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R 649A 晶体管芯片说明书 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A117AJ-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1170×1170µm 2 焊位尺寸：B 极272×192µm 2；E 极 226×298µm 2 电极金属：铝 背面金属：金 典型封装：2SB649A，HS649A，H649A