A126AG-00 HUASHAN | Alldatasheet
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汕头华汕电子器件有限公司 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件 V（BR)CEO ICBO IEBO hFE V CE(sat) VBE(on) fT Cob 集电极— 发射极击穿电压 集电极— 发射极截止电流 发射极— 基极截止电流 直流电流增益 集电极— 发射极饱和电压 基极— 发射极导通电压 特征频率 共基极输出电容 -20 140 170 -100 -100 600 1.0 -1.5 V nA nA V V MHz pF I C=-10mA，IB=0 VCE=-40V，IB=0 VEB=-8V，IC=0 VCE=-2V，IC=-500mA VCE=-2V，IC=-4A IC=-4A，IB=-100mA VCE=-2V，IC=-4A VCE=-2V，IE=-500mA VCB=-10V，IE=0， f=1MHz Pulse Test: PW=10mS(max),Duty Cycle=30%(min) PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R 1357 晶体管芯片说明书 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：A126AG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1260×1260µm 2 焊位尺寸：B 极308×308µm 2；E 极 308×385µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：2SA1357，H1357