PN8359 CHIPOWN | Alldatasheet
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高精度CC/CV原边反馈交直流转换器 概述 PN8359包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。 PN8359工作在原边检测和调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了极为全面的自恢复保护功能，包含逐周期过流 保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。内置高压启动电路和极低的芯片功耗使得 能够满足较高的待机功耗标准。在恒流模式，电流和输出功率可通过CS脚的Rs电阻进行调节；在恒压模式，PFM工作 模式可获得较高的性能和效率。轻载时，该芯片采用较小的峰值电流工作以减小音频噪声。另外，输出线补偿功能有助 于获得较好的负载调整率。 特征 ■ 内置650V功率MOSFET ■ 全电压输入范围±5%的电流/电压调整率 ■ 可省光耦和TL431 ■ 恒压和恒流可调 ■ 输出线补偿功能 ■ 内置原边电感量补偿电路 ■ 无音频噪声 ■ 内置高压启动电路 ■ 优异全面的保护功能 过温保护 (OTP) VDD欠压锁定 (UVLO) CS开/短路保护 开环保护 (OLP) VDD过压保护 (OVP) 安全自动恢复模式 应用领域 ■ 开关电源适配器和电池充电器 ■ 机顶盒电源 ■ LED 照明 封装/订购信息 订购代码 封装 线电阻 补偿 典型功率 85~265 VAC PN8359NEC-T1 DIP8 3% 15W PN8359NEC-T1B DIP8 6% 15W PN8359NEC-T1C DIP8 0% 15W 典型应用 SnubberAC 85~265V DC Output FB GND COMP Cable comp CC/CV control OTP Block HV Start Block PWM Switch &Gate Driver SUPPLY &UVLO VDD SW PN8359 OCP CS
管脚定义 表 1. 管脚定义 管脚标号 管脚名 管脚功能描述
1 VDD 工作电压输入引脚
2 COMP 环路补偿引脚
3 FB 反馈引脚，辅助绕组电压通过电阻反馈稳定输出
4 CS 电流检测引脚
SW 高压MOSFET引脚，跟变压器初级相连 GND 地电位 典型功率 表 2. 典型功率 产品型号 密闭环境 85-265 VAC 176-265VAC PN8359 15W 20W 备注 1. 最大输出典型功率是在密闭式40°C 环境条件下测试，具备足够的散热条件。 极限工作范围
电气特性 表 3. 功率部分 (TJ =25°C, VCC = 15 V；特殊情况另行说明) 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 VBVDSS 功率管耐压 I SW = 250uA, TJ = 25℃ 650 690 V IOFF 关态漏电流 VSW = 550 V 30 100 uA RDS(on) 功率管导通电阻 ISW = 1A,TJ = 25℃ 3.6 4.3 Ω ISW = 1A , TJ = 125℃ 8 9 表 4. 电源部分 (TJ =25°C, VCC = 15 V；特殊情况另行说明) 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 工作电压部分 VSW_START 漏源启动电压 20 V IDD_CH 启动管充电电流 VDD<VDDOFF, Isw charge VDD -0.6 -1 -1.4 mA VDD 工作电压范围 After turn-on 8 25 V VDDon VDD启动阈值电压 VDD>17V , IVDD increase 13.5 15 16.5 V VDDoff VDD欠压保护阈值电压 VDD<7.0V , IVDD increase 7 8 9 V V DDovp VDD过压保护电压 25 27 29 V VDDclamp VDD钳位电压 VDD>30V , IVDD> 1mA 28 30 32 V 工作电流部分 IDD0 静态工作时芯片电流 VDD = 10 V 0.1 0.2 0.4 mA IDD1 开关工作时芯片电流 V DD＝15V 0.2 0.4 1.0 mA IDD1FAULT 保护状态时芯片电流 V DD＝15V after fault 0.1 0.2 0.4 mA 表5. 控制部分(TJ =25°C, VCC = 15 V；特殊情况另行说明) 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 电流检测部分 TLEB 前沿消隐时间 350 450 550 nS VTH_OC1 过流检测阈值电压 485 500 515 mV VTH_OC2 轻载过流检测阈值电压 330 mV FB部分 VREF1 空载反馈基准电压 1.945 1.965 1.985 V Toffmin 最小关断时间 2.7 3.8 4.9 uS Toffmax 最大关断时间 7.5 10 12.5 mS Tonmax 最大开启时间 20 25 30 uS COMP部分 Vcable1 线电阻补偿值 0% Vcable2 线电阻补偿值 3% Vcable3 线电阻补偿值 6% 过温保护部分 TSD 过温保护温度 140 160 °C THYST 过温保护回差 30 °C
典型电路 功能描述 1. 启动 在启动阶段，内部高压电流源为内部偏置电路供电并给外部VDD电容充电。当VDD电压达到15V，芯 片开始工作的同时高压启动电路关断；只要VDD电压不低于8V，芯片维持正常工作。启动后，偏置电路通 过辅助源供电。 2. CC工作模式 在CC工作状态，PN8359采样FB引脚的信号（由辅助绕组信号通过电阻分压），辅助绕组信号脉宽决定 振荡频率。输出电压越高，脉宽越小，同时振荡频率越高，这样可获得恒定的输出电流。 3. CV工作模式 在CV工作状态，PN8359采样FB引脚的信号（由辅助绕组信号通过电阻分压），辅助绕组电压决定振荡 频率。 在重载模式，输出电流减小，振荡频率减小；在空载载芯片进入跳周期模式，进一步减小待机损耗。 轻载时，该芯片采用较小的峰值电流工作以减小音频噪声。 4. 电流检测和前沿消隐 PN8359提供逐周期检测功能。功率管电流通过CS引脚的电阻检测，CC模式设置点和最大输出功率都通 过外部调整CS引脚上的电阻实现。功率管开通瞬间会产生尖峰电压，内部前沿消隐电路可防止误触发而不 需要额外的RC滤波电路。 5. 可编程线缆补偿功能 线缆补偿模块可以使输出线损压降得到补偿。当负载从满载减小到空载时，线损压降也同样减小。在空 载，减小CV设置点，而满载时提高CV设置点；该补偿由芯片内部设置决定，可以通过不同版本芯片选择所 需要的补偿幅度。 6. 保护控制 PN8359拥有几种自保护功能，如过压保护、过温保护、开环保护、输出短路保护、CS电阻开/短路保护、 VDD欠压锁定保护功能。除CS短路保护外，其他的保护是可自恢复模式。
封装尺寸（DIP8） 表 6. DIP-8 封装尺寸 Size symbol Min(mm) Max(mm) S i z e symbol Min(mm) Max(mm) A 3.60 4.00 c1 0.23 0.27 A1 0.51 —— D 9.05 9.45 A2 3.00 3.40 E1 6.15 6.55 A3 1.55 1.65 e 2.54BSC b 1.55 1.65 e A 7.62BSC b1 1.55 1.65 e B 7.62 9.30 B1 1.52BSC e C 0.00 0.84 c 0.24 0.32 L 3.00 —— 图 1. 外形示意图 订购代码 线电阻补偿 表层丝印 备注 PN8359NEC-T1 3% PN8359 Y：年份代码； W ：周代码； A ：PN8359NEC-T1；XXXX：内部代码 YWWAXXXX PN8359NEC-T1B 6% PN8359 Y：年份代码； W ：周代码； B ：PN8359NEC-T1B；XXXX：内部代码 YWWBXXXX PN8359NEC-T1C 0% PN8359 Y：年份代码； W ：周代码； C ：PN8359NEC-T1C；XXXX：内部代码 YWWCXXXX