PN8141 CHIPOWN | Alldatasheet

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www.chipown.com 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev. 1.2 1/8 超低待机功耗的交直流转换芯片 概述 PN8141 内部集成了脉宽调制控制器和功率 MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的 交直流转换开关电源。 该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保 护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、 过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功 能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三 种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功 耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范 围下的最佳效率。良好的 EMI表现由频率调制 技术和Soft Driver技术充分保证。 该芯片还内置智能高压启动模块。 PN8141为需 要超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系 统提供了一个先进的实现平台,非常适合智能 电表、Eur2.0、能源之星的应用。 封装/订购信息 CS GND COMP VDD SW SW DIP7 BR 订购代码 封装 PN8141NS-A2 DIP7 特性  内置650V高雪崩能力的功率MOSFET  Hi-mode(100kHz PWM)  Eco-mode(动态PFM)  Burst-mode (25kHz间歇工作模式)  改善EMI的频率调制技术  空载待机功耗<25mW @230VAC  软启动技术  输入电压检测功能  内置高压启动电路  内置线电压补偿和斜坡补偿  优异全面的保护功能  过温保护(OTP)  过载保护(OLP)  外部电阻可调式周期过流保护(OCP)  过压保护(OVP)  CS短路保护 应用领域  开关电源适配器  白色家电、个人电脑、音响等辅助电源  机顶盒电源 典型电路 CSCOMP SnubberAC 85~265V DC Output HV Start Block Gate Driver SUPPLY &UVLO VDD SW PN8141 OVP Block OLP Block FB Block GND OCP PWM Logic PWM REF Line CS Short OTP Block Freq JitterOSC BR Block BR

www.chipown.com 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev. 1.2 2/8 管脚定义 管脚名 管脚标号 管脚功能描述 CS 1 电流检测引脚 BR 2 AC输入电压检测引脚 GND 3 地 COMP 4 反馈引脚 VDD 5 工作电压输入引脚 SW 6,7 高压MOSFET引脚,跟变压器初级相连 典型功率 产品型号 输入电压 密闭式(1) 开放式(1) PN8141 85-265 VAC 12W 18W 备注: 1. 1.典型功率在密闭环境 45℃和开放式 45℃环境下测试。 功能框图 UVLO&VINTBGR&BIAS VDD OVP Softstart LEB OLP Vline Compensation PWM Slope Compensation 1/Avcs Q Q SET CLR S R R S Q CS COMP DRV SW Multi Mode Control OTP Jitter HV Start Oscillator OCP Logic Control CS VDD GND SW PWM CS_Short VRF BR BR Check Block BR_Check BR_Check

www.chipown.com 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev. 1.2 3/8 极限工作范围 CS,BR,COMP 脚工作电压耐压………-0.3~5.5V 备注: 1. 产品委托第三方严格按照芯片级ESD 标准(ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017)中的测试方式和流程进行测试。 电气特性 (TA= 25°C,VDD=18V, 除非另有说明。) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 功率部分 功率管耐压 BVDSS ISW =250uA, TJ = 25°C 650 V 关态漏电流 IOFF VSW = 650 V, VCOMP = GND 20 35 70 uA 功率管导通电阻 RDS(on) ISW= 1A, TJ = 25°C 3.6 Ω 工作电压部分 启动电压 VSW_START 60 V 启动管充电电流 IDD_CH VSW = 105V, VCOMP = GND, VDD = 11.8 V -1.5 mA 工作电压范围 VDD After turn-on 9 29.5 V VDD工作保护电压 VDD ovp VCS = 0 V , VCOMP = 2V, Ramp up VDD until gate is off 30 32 34 V 欠压锁存退出 VDD on VCOMP = GND 15 16 18 V 欠压锁存进入 VDD off VCOMP = GND 7 8 9 V VDD维持电压 VDDhold 8 9 11 V 工作电流部分 静态工作模式电流 IDD0 VDD= 18V,VCOMP = GND 1.2 mA 正常工作模式电流 IDD1 VDD= 18V, VCOMP = 2V 1 3.0 mA 保护状态工作电流 IDD_FAULT 600 uA 欠压状态工作电流 IDD_OFF VDD= 6V 150 500 uA COMP 部分 开环电压 VCOMP open 4 4.7 5.5 V 输入阻抗 ZCOMP 16 24 32 kΩ 过载保护阈值 VCOMP_OLP 4.3 V Eco工作模式阈值 VCOMP_ECO Voltage falling when frequency decrease 2.2 V Eco结束阈值 VCOMP_ECO_EXT 1.7 V 间歇工作模式阈值 VCOMP_bm Voltage falling 1.12 V 间歇工作模式滞回阈值 VCOMP_bm_hys Voltage rising 1.22 V

www.chipown.com 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev. 1.2 4/8 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 COMP短路电流 ICOMP VCOMP = GND -200 uA 过载保护延迟时间 Td_olp 60 ms 采样比 Avcs 3.3 V/V 电流检测部分 软启动时间 TSS 8 ms 最小导通时间 TON_MIN 500 ns 关断延迟时间 Td 150 ns 前沿消隐时间 T LEB 350 ns 限流保护阈值 Vth_OC 0.7 0.78 0.86 V 限流箝位电压 Vocp_clamping 0.81 0.9 0.99 V 次级二极管短路保护阈值 V2nd_OCP 1.6 1.7 1.8 V 振荡器部分 开关频率 FOSC VDD =工作电压范围, VCOMP = 2 V 90 100 110 kHz 频率抖动范围 FD ±5 kHz 调制频率 FM 270 Hz 最大占空比 DMAX 70 80 90 % 间歇模式工作频率 FBurst 21.5 25 kHz BR检测部分 BR开启电压 VBR_IN 0.65 0.7 0.75 V BR欠压 VBR_OUT 0.55 0.6 0.65 V BR欠压保护延迟 TD_BR 27 ms BR功能屏蔽电压 VBR_DIS 0.1 V 过温保护部分 过温保护温度 TSD 135 150 ° C 过温保护滞回温度 THYST 20 ° C

www.chipown.com 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev. 1.2 5/8 功能描述 1. 启动 在启动阶段,内部高压启动管提供 1.5mA电流 对外部VDD电容进行充电。当 VDD电压达到 VDDon ,芯片开始工作;高压启动管停止对 VDD电容充电。启动过程结束后,变压器辅助 绕组对 VDD电容提供能量。如果异常情况发 生,芯片会进入自动保护并重新启动。 2. 软启动 启动阶段,漏极的最大峰值电流限制逐步的提 高;可以大大减小器件的应力,防止变压器饱 和。软启动时间典型值为8ms。 3. 输出驱动 PN8141采用特有的驱动技术。驱动能力太弱会 使得较高的开关损耗,驱动太强则容易出现 EMI问题。PN8141采用优化的图腾柱结构,通 过合理的输出驱动能力以及死区时间,得到较 好的EMI特性和较低损耗 4. 振荡器 PN8141的振荡频率固定在100 kHz,无需外围电 路进行设置。它特有的频率抖动技术,可改善 EMI特性。 5. 反馈控制 PN8141是电流模式控制芯片。反馈脚电压跟电 流采样脚CS电压比较从而控制占空比。 6. 输入电压检测 PN8141 内置了Brown in/out 检测功能,在整流 桥后通过分压电阻连接到BR脚,系统启机后芯 片会将BR脚电压与内部基准比较,低于内部基 准时芯片没有开关输出,反之亦然。在一些不 需要BR功能的场合将BR脚直接接地即可屏蔽该 功能。 7. 过载保护 负载电流超过预设定值时,系统会进入过载保 护;在异常情况下,可对系统进行保护。当 VCOMP电压超过4.3V,经过固定 60ms的延迟时 间,开关模式停止。 8. 间歇工作模式 PN8141进入间隙工作模式以减小待机功耗。当 负载减轻,反馈电压减小;当 COMP脚电压小 于VCOMP_bm(典型1.12V),芯片进入间歇工作 模式,功率管关断。当 COMP脚超过VCOMP_bm 100mV,开关管可再次导通。这种频率控制可 消除任意负载条件下的音频噪声。 9. 可调过流保护 PN8141含有逐周期过流保护。开关电流可通过 电流检测电阻检测,并可通过设定Rcs电阻进行 过流保护点的调节。 10. 降频工作模式 PN8141提供降频工作模式,通过检测 COMP脚 电压,在轻载和空载条件下降低开关频率以提 高轻载效率。当 COMP脚电压小于 VCOMP_ECO (典型2.2V),芯片进入降频工作模式,开关 频率随负载降低而降低,直至最小频率25kHz。 11. 线电压补偿 PN8141提供输出过流线性补偿,在全电压范围 内实现恒定输出功率限制。 12. 斜坡补偿 PN8141提供斜坡补偿,将电压锯齿信号叠加在 采样电流信号上,用于改善系统闭环稳定性。 13. 过温保护 功率MOSFET和控制芯片集成在一起,使得控 制电路更易于检测 MOSFET的温度。当温度超 过150°C,芯片进入过温保护状态。 14. CS短路保护 PN8141提供CS短路保护功能。若系统起机前, CS电阻短路,芯片进入CS短路保护状态。在异 常情况下,可对系统进行保护。

www.chipown.com 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev. 1.2 6/8 典型应用电路 N L PN8141 CS GND VDDCOMP SW SW Vout GND BR EC1 外围参数选择参考 为了获得更佳的PN8141 系统性能,请务必遵守以下规则: 1. VDD 电容EC1 尽可能近的靠近IC。

www.chipown.com 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev. 1.2 7/8 封装信息 封装外形尺寸DIP7 尺寸 符号 最小 (mm) 标准 (mm) 最大 (mm) 尺寸 符号 最小 (mm) 标准 (mm) 最大 (mm) A1 0.51 - - D 9.15 9.25 9.35 A3 1.55 1.60 1.65 e 2.54BSC b 0.44 - 0.52 eA 7.62REF B1 1.52REF eC 0 - 0.84 c 0.25 - 0.29 L 3.00 - - 表层丝印 封装 PN PN8141 YWWXXXXX DIP7 备注: 1. 此制图可以不经通知进行调整; 2. 器件本体尺寸不含模具飞边。

www.chipown.com 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev. 1.2 8/8 重要声明 无锡芯朋微电子股份有限公司保留更改规格的权利,恕不另行通知。无锡芯朋微电子股份有限公司对 任何将其产品用于特殊目的的行为不承担任何责任,无锡芯朋微电子股份有限公司没有为用于特定目 的产品提供使用和应用支持的义务。无锡芯朋微电子股份有限公司不会转让其专利许可以及任何其他 的相关许可权利。