G50T65AK5SHD

CRG50T65AK5SD CRMICRO | Alldatasheet

Document overview

• Manufacturer or author: Provided By alldatasheet.com(free datasheet download site)
• PDF pages: 10

Technical content

无锡华润华晶微电子有限公司 2022V01 1 / 10 绝缘栅双极型晶体管 概述 CRG50T65AK5SD 采用先进的微沟槽FS IGBT 技术， 具有良好的导通和开关特性，易并联使用的特点。 符合 RoHS 指令要求。 特点

• 沟槽FS 技术，正温度系数 ；
• 低通态压降：VCE(sat),TYP=1.40V @IC=50A,VGE=15V ；
• 低关断损耗 ； 用途
• UPS
• 光伏逆变
• 充电桩 封装信息 产品名 封装形式 打印印章 包装形式 CRG50T65AK5SD TO-247 G50T65AK5SD 料条 特征参数 VCES 650 V IC 50 A Ptot （TC=25℃） 268 W VCE(sat) 1.40 V 封装： TO-247 内部等效原理图

无锡华润华晶微电子有限公司 2022V01 2 / 10 CRG50T65AK5SD 极限值（除非另有规定，TJ= 25℃） 符 号 参 数 名 称 额定值 单 位 VCES 最高集电极-发射极直流电压 650 V VGES 最高栅极-发射极直流电压 ±20 V 最高栅极-发射极瞬态电压（tp≤10μs,D<0.01） ±30 IC a1 集电极直流电流 @TC=25℃ 100 A 集电极直流电流 @TC=100℃ 50 ICM 集电极脉冲电流 @TC=25℃ 200 A IF a2 二极管直流正向电流 @TC=25℃ 100 A 二极管直流正向电流 @TC=100℃ 50 IFM 二极管脉冲正向电流 200 A PD 耗散功率 @TC=25℃ 268 W 耗散功率 @TC=100℃ 134 Tj a3 工作结温范围 -40～175 ℃ Tstg 存储温度范围 -55～150 ℃ TL 引线最高焊接温度 270 ℃ 热特性 符 号 参 数 名 称 典型 最大 单位 RθJC 结到管壳热阻（IGBT） -- 0.56 ℃/W RθJC 结到管壳热阻（二极管） -- 0.53 ℃/W RθJA 结到环境的热阻 -- 40 ℃/W 电特性 (除非另有规定，TJ= 25℃) 符 号 参 数 名 称 测 试 条 件 规 范 值 单位 最小 典型 最大 静态特性（关态） V(BR)CES 集电极-发射极击穿电压 VGE=0V,ICE=250uA 650 -- -- V ICES 零栅压下集电极漏电流 VGE=0V,VCE=650V -- -- 1.0 mA IGES(F) 正向栅极体漏电流 VGE=+20V -- -- +250 nA IGES(R) 反向栅极体漏电流 VGE =-20V -- -- -250 nA 静态特性（通态） VCE(sat) 集电极-发射极饱和压降 IC=50A ,VGE=15V， IC=50A ,VGE=15V， VGE(th) 阈值电压 IC=250uA ,VCE=VGE 3.5 -- 6.5 V 脉冲宽度tp≤300µs,δ≤2%

无锡华润华晶微电子有限公司 2022V01 3 / 10 CRG50T65AK5SD 动态特性 Cies 输入电容 VCE=30V,VGE=0V f=1MHz -- 3404 -- pF Coes 输出电容 -- 180 -- Cres 反向传输电容 -- 19 -- 开关特性 td(on) 开通延迟时间 VCE=400V ,IC=50A, Rg=10Ω,VGE=15V , 感性负载,TJ=25℃ -- 64 -- ns tr 上升时间 -- 61 -- td(off) 关断延迟时间 -- 214 -- tf 下降时间 -- 43 -- Eon 开通损耗 -- 1.29 -- mJ Eoff 关断损耗 -- 1.56 -- Ets 开关总损耗 -- 2.85 -- td(on) 开通延迟时间 VCE=400V,IC=50A, Rg=10Ω,VGE=15V, 感性负载,TJ=150℃ -- 60 -- ns tr 上升时间 -- 67 -- td(off) 关断延迟时间 -- 43 -- tf 下降时间 -- 227 -- Eon 开通损耗 -- 1.46 -- mJ Eoff 关断损耗 -- 1.66 -- Ets 开关总损耗 -- 3.12 -- Qg 栅极电荷总量 VCE=520V ,IC=50A, VGE=15V -- 24 -- nC Qge 栅极发射极电荷 -- 38 -- Qgc 栅极集电极电荷 -- 109 -- 反并联二极管特性 VF 正向压降 IF=50A,TC=25℃ -- 1.61 2.1 V trr 反向恢复时间 IF=50A di/dt=100A/μs TC=25℃ -- 50.28 -- ns Irrm 反向恢复电流 -- 2.67 -- A Qrr 反向恢复电荷 -- 67.2 -- nC 注释： a1：集电极直流电流受限于最大结温，25℃下受限于键合线通流能力； a2：二极管直流正向电流受限于最大结温，25℃下受限于键合线通流能力； a3：脉冲宽度受限于最高结温； a4：开启损耗包含二极管的损耗；

无锡华润华晶微电子有限公司 2022V01 4 / 10 CRG50T65AK5SD 典型电特性： 图 2 输出特性曲线 图 1 输出特性曲线 图 4 饱和压降温度特性 图 3 饱和压降特性 图 6 开关损耗-栅电阻特性曲线 图 5 电容特性

无锡华润华晶微电子有限公司 2022V01 5 / 10 CRG50T65AK5SD 图 10 开通的温度特性 图 11 关断温度特性 图 7 开通-栅电阻特性曲线 图 8 关断-栅电阻特性曲线 图 9 开关损耗温度特性 图 12 开关损耗的电流特性

无锡华润华晶微电子有限公司 2022V01 6 / 10 CRG50T65AK5SD 图 18 栅电荷特性 图 17 耗散功率-壳温Tc特性（Tj≤175℃） 图 13 开通的电流特性 图 14 关断的电流特性 图 15 二极管正向特性 图 16 集电极电流温度特性

无锡华润华晶微电子有限公司 2022V01 7 / 10 CRG50T65AK5SD 图 20 瞬态热阻特性 图 19 正向安全工作区

无锡华润华晶微电子有限公司 2022V01 8 / 10 CRG50T65AK5SD 外形图 项 目 规范(mm) MIN MAX A 4.6 5.2 A1 2,2 2.6 B 0.9 1.4 B1 1.75 2.35 B2 1.75 2.15 B3 2.8 3.35 B4 2.8 3.15 C 0.5 0.7 D 20.60 21.30 D1 16 18 E 15.5 16.10 E1 13 14.7 E2 3.80 5.3 E3 0.8 2.60 e 5.2 5.7 L 19 20.5 L1 3.9 4.6 ΦP 3.3 3.70 Q 5.2 6.00 S 5.8 6.6

无锡华润华晶微电子有限公司 2022V01 9 / 10 CRG50T65AK5SD 有害物质说明 部件名称 （含量要求） 有毒有害物质或元素 铅 Pb 汞 Hg 镉 Cd 六价铬 Cr(VI) 多溴 联苯 PBB 多溴二 苯醚 PBDE 邻苯二 甲酸二 异丁酯 DIBP 邻苯二 甲酸酯 DEHP 邻苯二 甲酸二 丁酯 DBP 邻苯二 甲酸丁 苄酯 BBP 说 明 ○：表示该元素的含量在2011/65/EU标准的限量要求以下。 ×：表示该元素的含量超出2011/65/EU标准的限量要求。 目前产品的焊料中含有铅（Pb）成分，但属于欧盟RoHS 指令豁免范围。 说明 包装说明： 1）产品的小包装，采用25 只/条的防静电料条包装； 2）产品的中包装，采用40 条/盒的中号纸盒包装； 3）产品的大包装，采用2 盒/箱的大号纸板箱包； 注意事项： 1）凡华润华晶出厂的产品，均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求；对于客户有特殊要求的产品,双方应 签订相关技术协议。 2）建议器件在最大额定值的80% 以下使用；在安装时，要注意减少机械应力的产生，防止由此引起的产品失 效；避免靠近发热元件；焊接上锡时要注意控制温度和时间。 3） IGBT器件对静电敏感，使用前应注意静电保护，避免静电击穿。 4） 本规格书由华润华晶公司制作，并不断更新，更新时不再专门通知。 联络方式 无锡华润华晶微电子有限公司 公司地址 中国江苏无锡市梁溪路14 号 邮编：214061 网址：https://www.crmicro.com 电话：0510-8580 7228 传真：0510-8580 0864 市场营销部 邮编：214061 电话：0510-8180 5277 / 8180 5336 传真：0510-8580 0360 / 8580 3016 应用服务 电话：0510-8180 5243 传真：0510-8180 5110

无锡华润华晶微电子有限公司 2022V01 10 / 10 CRG50T65AK5SD 修改记录： 版本号 修改记录 2022V01 新增