AP8003

AP8003 CHIPOWN | Alldatasheet

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www.chipown.com © 2018 无锡芯朋微电子股份有限公司 R ev .1805 2018 年 5 月 1 / 10 固定5V输出非隔离交直流转换芯片 概述 AP8003集成PFM控制器及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 AP8003内置 500V高压启动，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护， 过温保护。另外AP8003具有优异的EMI特性。 产品特征 ■ 内置500V高可靠性MOSFET ■ 内置高压启动 ■ 适用于Buck、Buck-Boost、Flyback等多种架构 ■ 输出电压固定为5V ■ 半封闭式稳态输出电流能力150mA @230VAC ■ 改善EMI的降频调制技术 ■ 优异的负载调整率和工作效率 ■ 全面的保护功能  过载保护（OLP）  过温保护（OTP）  欠压保护（UVLO） 应用领域 ■ 非隔离辅助电源 ■ 家电 ■ 智能家居 封装/订购信息 订购代码 封装 AP8003TBC-R1 SOT23-5L AP8003ZAC-T1 TO-92 典型应用 AC 85~265V DC GND COMP HV Start Block Gate Driver SUPPLY &UVLO VDD SW AP8003 OUTPUT PWM Block OTP - GND

www.chipown.com © 2018 无锡芯朋微电子股份有限公司 R ev .1805 2018 年 5 月 2 / 10 管脚定义 管脚名 管脚标号 管脚功能描述 SOT23-5L TO-92 NC 1,4 - 空脚 VDD 2 3 芯片电源脚 GND 3 2 地 SW 5 1 高压MOSFET漏极脚 典型功率 产品型号 输入电压 稳态功率(1) 峰值功率(2) AP8003 85-265V AC 0.75W(5V150mA) 1.0W(5V200mA) 备注： 1. 稳态功率在半封闭式75°C 环境下测试(Buck/Buck-boost 应用)，持续时间大于2 小时。 2. 峰值功率在半封闭式75°C 环境下测试(Buck/Buck-boost 应用)，持续时间大于1min。 功能框图 SWHV Startup Supply &UVLO Gate Driver OTP CV Sample EA GND Logic Comp 2.5V VDD OCP Rg 6.8V AP8003

www.chipown.com © 2018 无锡芯朋微电子股份有限公司 R ev .1805 2018 年 5 月 3 / 10 极限工作范围 备注：1. 产品委托第三方严格按照芯片级ESD标准(ESDA/JEDEC JDS-001-2014)中的测试方式和流程进行测试。 电气特性 (TA = 25°C, VDD=5V , 除非另有说明) 参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 功率部分 功率管耐压 BVDSS I SW =250uA 500 570 V 关态漏电流 IOFF V sw =500V 10 μA 导通电阻 RDS(on) ISW = 300mA, TJ =25°C 25 Ω VDD电压部分 VDD启动阈值电压 VDDon 4.9 5.2 5.5 V VDD欠压保护阈值电压 VDDoff 3.9 4.2 4.5 V VDD回差 VDDhys 1 V VDD钳位保护电压 V DDclamp 6.3 6.7 V VDD反馈基准电压 VDD-REF 5.2 5.4 5.65 V VDD电流部分 启动管充电电流 IDDch VDD=4V 2 mA 静态电流 IDD0 V DD=4V 400 uA 工作电流 IDD1 f s=40KHz 1.7 mA 内部电流检测 尖峰电流限流值 Ilimit 300 335 370 mA 过流检测前沿消隐时间 TLEB 300 ns 反馈输入 最小关断时间 Toffmin 21 26 31 us 最大开启时间 Tonmax 9 us 过温保护 过温保护温度 TSD 135 150 °C 过温保护回差 THYST 50 °C

www.chipown.com © 2018 无锡芯朋微电子股份有限公司 R ev .1805 2018 年 5 月 4 / 10 特性曲线 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 45Rdson (Ω) Junction Temperture(℃) -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 500 525 550 575 600 625 650BVdss (V) Junction Temperture(℃) (a) RDS(on) vs Tj ( b ) B V DSS vs Tj -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7VOUT (V) Junction Temperture(℃) -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 30TOFFMIN (KHz) Junction Temperture(℃) (c) VOUT vs Tj ( d ) T offmin vs Tj -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 4.8 4.9 5.0 5.1 5.2 5.3 5.4VDDON (V) Junction Temperture(℃) -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 3.9 4.0 4.1 4.2 4.3 4.4VDDOFF (V) Junction Temperture(℃) (e) VDDon vs Tj (f) V DDoff vs Tj

www.chipown.com © 2018 无锡芯朋微电子股份有限公司 R ev .1805 2018 年 5 月 5 / 10 功能描述 AP8003 集成 PFM 控制器及 500V 高可靠性 MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离 开关电源，输出电压为5V。AP8003内置高压启动 与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机。该 芯片提供了完整的智能化保护功能，包括欠压保 护，过温保护。另外AP8003的降频调制技术有助 于改善EMI特性。 1. 高压启动 在启动阶段，内部高压启动管提供2mA电流对 外部VDD电容进行充电；当VDD电压达到VDDON， 芯片开始工作，高压启动管停止对VDD电容充电； 当VDD电压降低到VDDOFF，芯片继续工作，但内 部高压启动管再次提供2mA电流对外部VDD电容 进行充电；从而实现芯片自供电，无需辅助绕组或 其他外围元件对芯片供电。 2. 恒压工作模式 芯片通过 VDD管脚对输出进行电压采样， VDD电压经过内部分压电阻分压得到采样电压 VRF。当VRF低于内部基准电压VREF，芯片开启集成 的高压功率管，对储能电感充电，当电感电流达到 内部基准电流I PEAK，芯片关闭集成的高压功率管， 由系统二极管对储能电感续流。图2-1和图2-2分别 给出连续模式（CCM）和非连续模式（DCM）下 系统关键节点工作波形。同时芯片集成负载补偿功 能，可以提高恒压精度，实现较好的负载调整率。 DMOS DIODE Iout IL Ipeak Vout VRF VREF 图1-1 连续模式下工作波形 图1-2 非连续模式下工作波形 3. 软启动 为了避免非隔离系统启动阶段因进入深度 CCM模式，带来较大电流尖峰。AP8003设置软启 动功能，在启动前8ms，最高开关频率降低为33%， 在启动8ms到12ms，最高开关频率降低为66%。同 时芯片设计较小的LEB时间（300ns）,以降低LEB 时间内能量大小，以避免系统启动时的高电流尖 4. 智能保护功能 AP8003集成全面的保护功能，包括：VDD欠 压保护和过温保护功能，并且这些保护具有自恢复 模式。 VDDoff，芯片重新启动。另外芯片异常自恢复的时 间可通过VDD 电容调整，VDD 电容越大，自恢复 时间越长。 入过温保护状态，输出关闭，当芯片结温低于 100℃，芯片重新启动。

www.chipown.com © 2018 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev.1805 2018 年 5 月 6 / 10 典型应用电路 外围参数选择参考 为了更好体现AP8003 的性能，请务必遵守以下规则： 1. VDD 电容C2 尽可能近的靠近IC。

www.chipown.com © 2018 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev.1805 2018 年 5 月 7 / 10 封装信息 SOT23-5L 封装外形及尺寸 尺寸 符号 最小(mm) 最大(mm) 尺寸 符号 最小(mm) 最大(mm) A 1.050 1.250 E1 2.650 2.950 A1 0.000 0.100 e 0.950(BSC) A2 1.050 1.150 e1 1.800 2.000 b 0.300 0.500 L 0.300 0.600 c 0.100 0.200 Θ 0º 8º D 2.850 3.050 E 1.500 1.700 备注：XXX 为内部代码 备注: 1. 此制图可以不经通知进行调整; 2. 器件本体尺寸不含模具飞边； 表层丝印 封装 8AXXX SOT23-5L

www.chipown.com © 2018 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev.1805 2018 年 5 月 8 / 10 TO-92 封装外形及尺寸 尺寸 符号 最小(mm) 最大(mm) A 4.35 4.70 b 0.40 0.55 c 0.36 0.50 D 4.40 4.70 d 0.80 1.20 E 3.40 3.70 e 1.20 1.30 L 13.5 14.5 Φ 1.45 1.60 表层丝印 封装 AP8003 YWWXXXXX TO-92 备注：Y：年份代码； WW ：周代码； XXXXX ：内部代码 备注: 1. 此制图可以不经通知进行调整; 2. 器件本体尺寸不含模具飞边；

www.chipown.com © 2018 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev.1805 2018 年 5 月 9 / 10 编带及卷轴信息 A (mm) T (mm) (mm) H (mm) ØC (mm) ØD (mm) d (mm) (mm) (mm) (mm) 180 +0/-3 1.4 ±0.3 9.5±1.0 60±0.5 13.00 ±0.20 18.70 ±0.40 2.30 ±0.10 3.17 ±0.10 3.10 ±0.1 1.10±0.1 W (mm) F (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) ØD0 (mm) ØD1 (mm) Pin 1 Quadrant 8.0 +0.3/-0.1 3.5 ±0.1 1.75 ±0.1 4.0 ±0.10 4.0 ±0.1 2.0 ±0.05 1.5 +0.1/-0 1.0 +0.25/-0 LL 备注： 1. 此制图可以不经通知进行调整; 2. 所有尺寸是毫米公制的标称值； 3. 此制图并非按严格比例，且仅供参考。客户可联系芯朋销售代表获得更多细节； 4. 此处举例仅供参考。

www.chipown.com © 2018 无锡芯朋微电子股份有限公司 Rev.1805 2018 年 5 月 10 / 10 重要声明 无锡芯朋微电子股份有限公司保留更改规格的权利，恕不另行通知。无锡芯朋微电子股份有限公司对任何 将其产品用于特殊目的的行为不承担任何责任，无锡芯朋微电子股份有限公司没有为用于特定目的产品提 供使用和应用支持的义务。无锡芯朋微电子股份有限公司不会转让其专利许可以及任何其他的相关许可权