20S45 JINGDAO | Alldatasheet
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20S45 肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管 开关模式电源 高频 转换器 DC-DC 开关速度快 传导损耗小 开关损耗小，高效率 参 数 名 称 符 号 额 定 值 单 位 反向重复峰值电压 V RRM 45 V 平均正向电流 I F(AV) 10×2 A 正向不重复峰值电流 I FSM 150 A 耗散功率 Pc 80 W 结温 Tj 125 ℃ 贮存温度 Tstg ～-65 150 ℃ 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 规 范 值 单 位 最小值 典型值 最大值 反向重复峰值电压 V RRM I =1mA R 45 V 正向电压 V F I =10A F V I =20A F 0.85 反向电流 I R V R ℃=43V,T=25 100 µA 电容 C d f=1MHz:V =4V R 500 pF 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Jingdao Electronic Corporation V01 ：： ：：FAX 0755-29799515 ：： ：：TEL 0755-29799516 Http://www.jdsemi.cn 0.58 阳极 阴极 阳极阳极 阴极 阳极阳极 阴极 阳极阳极 阴极 阳极A1. K. A2.
正向压降 VF[V] 正向电流 , IF[A] 反向电压 VR[V] 环境温度 ℃ T[ ] 正向平均电流 I F(AV)[A] 瞬间热阻 ℃ [ /W] 脉冲宽度 [s] 一周期的次数 @ 60Hz 最大正向浪涌电流 IFSM[A] 反向电流 IR[mA] 反向电压 VR[V] 结电容CJ[pF] 1.Typical Forward Voltage Characteristics 2.Typical Reverse Currentvs. Reverse Voltage 3.Typical Junction Capacitance(per diode) 4.Thermal Impedance Characteristics 5. Forward Current Derating Curve 6. Non-Repetitive Surge Current(per diode) (per diode) (per diode) (per diode) 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Jingdao Electronic Corporation V01 ：： ：：FAX 0755-29799515 ：： ：：TEL 0755-29799516 Http://www.jdsemi.cn 20S45
封装形式封装形式封装形式封装形式：： ：： TO-220 单位单位单位单位： ，： ，： ，： ， 无其他特别说明公差无其他特别说明公差无其他特别说明公差无其他特别说明公差 ( mm ±0.1mm) 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Jingdao Electronic Corporation V01 ：： ：：FAX 0755-29799515 ：： ：：TEL 0755-29799516 Http://www.jdsemi.cn 20S45