4126DL JINGDAO | Alldatasheet
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Technical content
4126DL 功率三极管功率三极管功率三极管功率三极管NPN 电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。 硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。 内部集成二极管。 参 数 名 称 符 号 额 定 值 单 位 集电极－发射极击穿电压 BV CEO ≥200 V 集电极－基极击穿电压 BV CBO ≥400 V 发射极－基极击穿电压 BV EBO ≥9 V 最大集电极直流电流 Icm 3.5 A 最大耗散功率 Pcm 35 W 最高结温 Tjm 150 ℃ 贮存温度 Tstg － ～55 150 ℃ 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 规 范 值 单 位 最小值 最大值 集电极－发射极击穿电压 BV CEO ；I =1mA I =0 C B 200 V 集电极－基极击穿电压 BV CBO ；I =1mA I =0 C E 400 V 发射极－基极击穿电压 BV EBO ；I =1mA I =0 E C 9 V 集电极－发射极反向漏电流 I CEO ；V =180V I =0 CE B 20 uA 集电极－基极反向漏电流 I CBO ；V =380V I =0 CB E 10 uA 发射极－基极反向漏电流 I EBO ；V =7V I =0 EB C 10 uA 共发射极直流电流增益 H FE ； V =5V I =0.2A CE C 15 3 5 ； V =5V I =1mA CE C 8 集电极－发射极饱和压降 V (sat) CE ； I =1A I =0.5A C B 0.6 V 下降时间 t f ； ；I =1A I =I =0.2A V =150V C B1 B2 CE 0.3 uS 特征频率 f T ； ；V =10V I =0.1A f =1MHz CE C 8 MHz 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Jingdao Electronic Corporation V01 ：： ：：FAX 0755-29799515 ：： ：：TEL 0755-29799516 Http://www.jdsemi.cn 基极 集电极 发射极B C E
静态输出特性 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 2 4 6 8 10 Ib=0 10mA 20mA 30mA 40mA 50mA （ ）集电极电流Ic A （ ）集电极－发射极电压Vce V 10.10.010.001 直流电流增益－ 集电极电流HFE Ic 直流电流增益HFE （ ）集电极电流Ic A 0 0.1 1 Vce=5V 0.1 Ic=2Ib （ ）集电极电流Ic A （ ） （ ）集电极－发射极饱和压降Vce sat V 耗散功率－ 结温Pc Tj（ ）集电极 发射极饱和压降－ 集电极电流Vce sat - Ic 0 40 80 120 160 200 （ ％）耗散功率Pc W （℃）结温Tj 1 10 100 1000 0.01 0.05 0.5 （ ）集电极电流Ic A （ ）集电极－发射极电压Vce V （ ） 安全工作区SOA DC 1.5 3.5 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Jingdao Electronic Corporation V01 ：： ：：FAX 0755-29799515 ：： ：：TEL 0755-29799516 Http://www.jdsemi.cn 4126DL
封装形式封装形式封装形式封装形式：： ：： TO-126 单位单位单位单位： ，： ，： ，： ， 无其他特别说明公差无其他特别说明公差无其他特别说明公差无其他特别说明公差 ( mm ±0.1mm) 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Jingdao Electronic Corporation V01 ：： ：：FAX 0755-29799515 ：： ：：TEL 0755-29799516 Http://www.jdsemi.cn 4126DL
4126DL 功率三极管功率三极管功率三极管功率三极管NPN 电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。 硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。 内部集成二极管。 参 数 名 称 符 号 额 定 值 单 位 集电极－发射极击穿电压 BV CEO ≥200 V 集电极－基极击穿电压 BV CBO ≥400 V 发射极－基极击穿电压 BV EBO ≥9 V 最大集电极直流电流 Icm 3.5 A 最大耗散功率 Pcm 35 W 最高结温 Tjm 150 ℃ 贮存温度 Tstg － ～55 150 ℃ 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 规 范 值 单 位 最小值 最大值 集电极－发射极击穿电压 BV CEO ；I =1mA I =0 C B 200 V 集电极－基极击穿电压 BV CBO ；I =1mA I =0 C E 400 V 发射极－基极击穿电压 BV EBO ；I =1mA I =0 E C 9 V 集电极－发射极反向漏电流 I CEO ；V =180V I =0 CE B 20 uA 集电极－基极反向漏电流 I CBO ；V =380V I =0 CB E 10 uA 发射极－基极反向漏电流 I EBO ；V =7V I =0 EB C 10 uA 共发射极直流电流增益 H FE ； V =5V I =0.2A CE C 15 3 5 ； V =5V I =1mA CE C 8 集电极－发射极饱和压降 V (sat) CE ； I =1A I =0.5A C B 0.6 V 下降时间 t f ； ；I =1A I =I =0.2A V =150V C B1 B2 CE 0.3 uS 特征频率 f T ； ；V =10V I =0.1A f =1MHz CE C 8 MHz 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Jingdao Electronic Corporation V01 ：： ：：FAX 0755-29799515 ：： ：：TEL 0755-29799516 Http://www.jdsemi.cn 基极 集电极 发射极B C E
静态输出特性 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 2 4 6 8 10 Ib=0 10mA 20mA 30mA 40mA 50mA （ ）集电极电流Ic A （ ）集电极－发射极电压Vce V 10.10.010.001 直流电流增益－ 集电极电流HFE Ic 直流电流增益HFE （ ）集电极电流Ic A 0 0.1 1 Vce=5V 0.1 Ic=2Ib （ ）集电极电流Ic A （ ） （ ）集电极－发射极饱和压降Vce sat V 耗散功率－ 结温Pc Tj（ ）集电极 发射极饱和压降－ 集电极电流Vce sat - Ic 0 40 80 120 160 200 （ ％）耗散功率Pc W （℃）结温Tj 1 10 100 1000 0.01 0.05 0.5 （ ）集电极电流Ic A （ ）集电极－发射极电压Vce V （ ） 安全工作区SOA DC 1.5 3.5 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Jingdao Electronic Corporation V01 ：： ：：FAX 0755-29799515 ：： ：：TEL 0755-29799516 Http://www.jdsemi.cn 4126DL
封装形式封装形式封装形式封装形式：： ：： TO-126D 单位单位单位单位： ，： ，： ，： ， 无其他特别说明公差无其他特别说明公差无其他特别说明公差无其他特别说明公差 ( mm ±0.1mm) 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Jingdao Electronic Corporation V01 ：： ：：FAX 0755-29799515 ：： ：：TEL 0755-29799516 Http://www.jdsemi.cn 4126DL