S8050M FOSHAN | Alldatasheet

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Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET http://www.fsbrec.com 1 / 6 SOT-23 塑封封装 NPN半导体三极管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. 与 S8550M 互补。 Complementary pair with S8550M. 用于功率放大电路。 Power amplifier applications. PIN1：Base PIN 2 ： Emitter PIN 3 ：Collector 放大及印章代码 / h FE Classifications & Marking hFE Classifications Symbol B C D hFE Range 85～160 120 ～200 160 ～300 Marking HY3B HY3C HY3D 描述 / D e s c r i p t i o n s 特征 / Features 用途 / Applications 内部等效电路 / Equivalent Circuit 引脚排列 / P i n n i n g

Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET http://www.fsbrec.com 2 / 6 参数 Parameter 符号 Symbol 数值 Rating 单位 Unit Collector to Base Voltage VCBO 40 V Collector to Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter to Base Voltage V EBO 6.0 V Collector Current I C 800 mA Base Current I B 200 mA Collector Power Dissipation P C 450 mW Junction Temperature Tj 150 ℃ Storage Temperature Range Tstg -55～150 ℃ 参数 Parameter 符号 Symbol 测试条件 Test Conditions 最小值 Min 典型值 Typ 最大值 Max 单位 Unit Collector to Base Breakdown Voltage VCBO I C=0.1mA IE=0 40 V Collector to Emitter Breakdown Voltage VCEO I C=2.0mA IB=0 25 V Emitter to Base Breakdown Voltage VEBO I E=0.1mA IC=0 6.0 V Collector Cut-Off Current I CBO VCB=35V IE=0 0.1 μA Emitter Cut-Off Current I EBO V EB=6.0V IC=0 0.1 μA DC Current Gain hFE(1) V CE=1.0V IC=100mA 85 300 hFE(2) V CE=1.0V IC=500mA 40 hFE(3) V CE=1.0V IC=5.0mA 45 Collector-Emitter Saturation voltage VCE(sat) IC=500mA IB=50mA 0.28 0.5 V Base-Emitter Saturation Voltage V BE(sat) IC=500mA IB=50mA 0.98 1.2 V Base-Emitter Voltage V BE VCE=1.0V IC=10mA 0.66 1.0 V Transition Frequency f T V CE=10V IC=50mA 100 190 MHz Collector Output Capacitance C ob VCB=10V IE=0 f=1.0MHz 9.0 pF 极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ℃) 电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25 ℃)

Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET http://www.fsbrec.com 3 / 6 电参数曲线图 / Electrical Characteristic Curve

Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET http://www.fsbrec.com 4 / 6 外形尺寸图 / Package Dimensions

Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET http://www.fsbrec.com 5 / 6 印章说明 / Marking Instructions 说明： H：  为公司代码 Y3： 为型号代码 B：  为 h FE 档次代码 Note: H： Company Code Y3： Product Type Code B：  hFE Classifications Symbol Code HY3B

Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET http://www.fsbrec.com 6 / 6 回流焊温度曲线图(无铅) / Temperature Profile for IR Reflow Soldering(Pb-Free) 说明： N o t e : 1、预热温度 25～150℃，时间 60～90sec; 1.Preheating:25~150 ℃, Time:60~90sec. 3、焊接制程冷却速度为 2～10℃/sec. 3. Cooling Speed: 2~10℃/sec. 耐焊接热试验条件 / Resistance to Soldering Heat Test Conditions 温度：260±5℃ 时间：10±1 sec. Temp.:260±5 ℃ Time:10±1 sec 包装规格 / Packaging SPEC. 卷盘包装 / R E E L Package Type 封装形式 Units 包装数量 Dimension 包装尺寸 (unit ：mm Units/Reel 只/卷盘 Reels/Inner Box 卷盘/盒 Units/Inner Box 只/盒 Inner Boxes/Outer Box 盒/箱 Units/Outer Box 只/箱 Reel Inner Box 盒 Outer Box 箱 SOT-23 3,000 10 30,000 6 180,000 7〞×8 180×120×180 390×385×205 使用说明 / N o t i c e s