CS8N60

CS8N60 FOSHAN | Alldatasheet

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佛 山 市 蓝 箭 电 子 有 限 公 司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD. BR8N60(CS8N60) N-Channel MOSFET/N 沟 MOS 晶体管 用途:用于高效 DC/DC 转换和功率开关。 Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. 特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。 Features: Low gate charge, low crss, fast switching. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 电性能参数/ Electrical Characteristics(Ta=25℃) 参数符号 Symbol 测试条件 Test Conditions 最小值 Min 典型值 Typ 最大值 Max 单位 Unit BVDSS V GS=0V ID=250μA 600 V VDS=600V VGS=0V 1.0 μA IDSS VDS=480V TC=125℃ 10 μA IGSS V GS=±30V VDS=0V ±0.1 μA VGS(th) V DS=VGS ID=250μA 2.0 4.0 V RDS(on) V GS=10V ID=3.75A 1.0 1.2 Ω gFS VDS=40V ID=3.75A 8.7 S VSD V GS=0V IS=7.5A 1.4 V Ciss 965 1255 Coss 105 135 Crss VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz 12 16 pF td(on) 16.5 45 tr 60.5 130 td(off) 81 170 tf VDD=300V ID=7.5A RG=25Ω 64.5 140 ns 参数符号 Symbol 数值 Rating 单位 Unit VDSS 600 V ID(Tc=25℃) 8 A ID(Tc=100℃) 4.6 A IDM 30 A VGSS ±30 V EAS 230 mJ EAR 10 mJ IAR 7.5 A PD(Tc=25℃) 48 W TJ,TSTG -55 to 150 ℃

佛 山 市 蓝 箭 电 子 有 限 公 司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD. BR8N60(CS8N60)