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Technical content

Features

Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Schnelle Schaltzeiten Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) MMFTP84 Drain-Source-voltage Drain-Source-Spannung - VDS 50 V Gate-Source-voltage Gate-Source-Spannung D open VGSO ± 20 V Power dissipation Verlustleistung Ptot 250 mW 3) Drain current Drainstrom dc - ID 130 mA Peak Drain current Drain-Spitzenstrom - IDM 520 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS +150°C -55…+150°C Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung - ID = 10 µA - V(BR)DSS 50 V – – Drain-Source leakage current – Drain-Source-Leckstrom - VDS = 40 V - VDS = 50 V - VDS = 50 V, Tj = 125°C - IDSS – – 100 nA 10 µA 60 µA

1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben

3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS 2.4 1.3±0.1 1.1 +0.1 0.4 +0.1 2.9 ±0.1 1 2 Type Code 1.9±0.1 -0.05 -0.2 ±0.2

Tj = 25°C Min. Typ. Max. Gate-Source leakage current – Gate-Source-Leckstrom VGS = ± 20 V IGSS – – ± 10 nA Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VGS, - ID = 1 mA - VGS(th) 0.8 V – 2 V Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand - VGS = 10 V, - ID = 130 mA RDS(on) – – 10 Ω Forward Transfer Admittance – Übertragungssteilheit - VDS = 25 V, - ID = 130 mA ׀gfs׀ 50 mS – – Input Capacitance – Eingangskapazität - VDS = 25 V, f = 1 MHz Ciss – – 45 pF Output Capacitance – Ausgangskapazität - VDS = 25 V, f = 1 MHz Coss – – 25 pF Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität - VDS = 25 V, f = 1 MHz Crss – – 12 pF Turn-On Time – Anstiegszeit VGS = 0 ... -10 V, - VDD = 40 V, - ID = 200 mA t(on) – 3 ns – Turn-Off Time – Abfallzeit VGS = -10 ... 0 V, - VDD = 40 V, - ID = 200 mA t(off) – 7 ns – Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 500 K/W 1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG