MMFTN20 DIOTEC | Alldatasheet
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 2
Technical content
N N-Channel Enhancement Vertical D-MOS Transistor N-Kanal Vertikal D-MOS Transistor - Anreicherungstyp N Version 2010-09-24 Dimensions - Maße [mm] 1 = G 2 = S 3 = D Power dissipation – Verlustleistung 300 mW Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) MMFTN20 Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung VDS 50 V Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung D open VGSO ± 20 V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 300 mW 1) Power dissipation – Verlustleistung Ptot 250 mW 2) Drain current – Drainstrom (dc) ID 100 mA Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom IDM 300 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C 1 Device mounted on a ceramic substrate 10 x 8 x 0.7 mm Bauteil montiert auf Keramiksubstrat 10 x 8 x 0.7 mm
2 Device mounted on standard PCB material
Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 2.5 max 1.3±0.1 1.1 0.4 2.9 ±0.1 1 2 Type Code 1.9
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 10 µA V(BR)DSS 50 V Drain-Source leakage current – Drain-Source-Leckstrom VDS = 40 V IDSS 1 µA Gate-Source leakage current – Gate-Source-Leckstrom VGS = ± 20 V IGSS ± 100 nA Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VGS, ID = 1 mA VGS(th) 0.4 V 1.8 V Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand VGS = 10 V, ID = 100 mA VGS = 5 V, ID = 100 mA VGS = 2.5 V, ID = 10 mA RDS(on) RDS(on) RDS(on) 15 Ω 20 Ω 30 Ω Forward Transfer Admittance – Übertragungssteilheit VDS = 10 V, ID = 100 mA ׀gfs׀ 40 mS Input Capacitance – Eingangskapazität VDS = 10 V, f = 1 MHz Ciss 15 pF Output Capacitance – Ausgangskapazität VDS = 10 V, f = 1 MHz Coss 15 pF Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VDS = 10 V, f = 1 MHz Crss 5 pF Turn-On Time – Einschaltzeit VGS = 0 ... 10 V, VDD = 20 V, ID = 100 mA t(on) 5 ns Turn-Off Time – Ausschaltzeit VGS = 10 ... 0 V, VDD = 20 V, ID = 100 mA t(off) 10 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA RthA < 430 K/W 1) < 500 K/W 2) 1 Device mounted on a ceramic substrate 10 x 8 x 0.7 mm Bauteil montiert auf Keramiksubstrat 10 x 8 x 0.7 mm Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG