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SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD. SOT-23 封装半导体晶体管/SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors KST10 ( NPN ) 印章/Marking：3E1 用途/Applications： 用于VHF/UHF 电路 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数/Parameter 符号/ Symbol 数值/Value 单位/Unit 集电极-基极电压/Collector-Base Voltage VCBO 30 V 集电极-发射极电压/Collector-Emitter Voltage VCEO 25 V 发射极-基极电压/Emitter-Base Voltage VEBO 3 V 集电极连续电流/Collector Current Continuous IC 40 mA 集电极耗散功率/Collector Power Dissipation PC 0.35 W 热阻/ Thermal Resistance Junction to Ambient RθJA 357 ℃/mW 结温/Junction Temperature Tj 150 ℃ 储存温度/Storage Temperature Tstg -55～150 ℃ 电性能参数/Electrical characteristics (Ta=25℃) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 集电极-基极击穿电压 VBR(CBO) IC=100μA,IE=0 30 V 集电极-发射极击穿电压 VBR(CEO) IC=1mA,IB=0 25 V 发射极-基极击穿电压 VBR(EBO) IE=10μA,IC=0 3 V 集电极截止电流 ICBO VCB=25V,IE=0 0.1 μA 发射极截止电流 IEBO VEB=2V,IC=0 0.1 μA 直流电流增益 hFE VCE=10V,IC=4mA 60 集电极-发射极饱和压降 VCE(sat) IC=4mA,IB=0.4mA 0.5 V 基极-发射极压降 VBE VCE=10V,IC=4mA 0.95 V 特征频率 fT VCE=10V,IC=4mA,f=100MHz 650 MHz 集电极输出电容 Cob VCB=10V,IE=0，f=1MHz 0.7 pF