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SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD. SOT-23 封装半导体晶体管/SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SS8550 ( PNP ) 印章/Marking：Y2 特点/Features： IC 电流大； 用途/Applications： 用于功率放大电路，与SS8050 互补。 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数/Parameter 符号/ Symbol 数值/Value 单位/Unit 集电极-基极电压/Collector-Base Voltage VCBO -40 V 集电极-发射极电压/Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V 发射极-基极电压/Emitter-Base Voltage VEBO -5 V 集电极连续电流/Collector Current Continuous IC -1.25～-1.5 A 集电极耗散功率/Collector Power Dissipation PC 0.3 W 结温/Junction Temperature Tj 150 ℃ 储存温度/Storage Temperature Tstg -55～150 ℃ 注：Ib 在100mA 时，IC 可在 1.5A连续工作，Ib 减小时，IC 最大连续工作电流会减小。 电性能参数/Electrical characteristics (Ta=25℃) 参数 符号 测试条件 最小值 最大值 单位 集电极-基极击穿电压 VBR(CBO) IC=-100μA,IE=0 -40 V 集电极-发射极击穿电压 VBR(CEO) IC=-100μA,IB=0 -25 V 发射极-基极击穿电压 VBR(EBO) IE=-100μA,IC=0 -5 V 集电极截止电流 ICBO VCB=-40V,IE=0 -0.1 μA 发射极截止电流 IEBO VEB=-5V,IC=0 -0.1 μA 集电极发射极穿透电流 ICEO VCE=-20V,IB=0 -0.1 μA 直流电流增益 hFE(1) VCE=-1V,IC=-100mA 120 400 直流电流增益 hFE(2) VCE=-1V,IC=-800mA 40 集电极-发射极饱和压降 VCE(sat) IC=-800mA,IB=-80mA -0.5 V 基极-发射极饱和压降 VBE(sat) IC=-800mA,IB=-80mA -1.2 V 基极-发射极导通压降 VBE(ON) IC=-10mA, VCE=-1V -1 V 基极-发射极正向压降 VBEF IB=-1A -1.55 特征频率 fT VCE=-10V,IC=-50mA,f=30MHz 100 MHz 输出电容 Cob VCB=-10V, IE=0, f=1MHz 20 pF hFE 分档/Classification of hFE(1) 档位/Rank L H J 范围/Range 120～200 200～350 300～400
SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD. SOT-23 封装半导体晶体管/SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 典型特性曲线图/Typical Characteristics