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SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD. SOT-23 封装半导体晶体管/SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9018 ( NPN ) 印章/Marking：J8 特点/Features： 大电流增益乘积带宽，fT=1.1GHz(TYP); 用途/Applications： 用于AM/FM 中放，本机振荡。 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数/Parameter 符号/ Symbol 数值/Value 单位/Unit 集电极-基极电压/Collector-Base Voltage VCBO 30 V 集电极-发射极电压/Collector-Emitter Voltage VCEO 15 V 发射极-基极电压/Emitter-Base Voltage VEBO 5 V 集电极连续电流/Collector Current Continuous IC 0.05 A 集电极耗散功率/Collector Power Dissipation PC 0.2 W 结温/Junction Temperature Tj 150 ℃ 储存温度/Storage Temperature Tstg -55～150 ℃ 电性能参数/Electrical characteristics (Ta=25℃) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 集电极-基极击穿电压 VBR(CBO) IC=100μA,IE=0 30 V 集电极-发射极击穿电压 VBR(CEO) IC=1mA,IB=0 15 V 发射极-基极击穿电压 VBR(EBO) IE=100μA,IC=0 5 V 集电极截止电流 ICBO VCB=12V,IE=0 0.05 μA 发射极截止电流 IEBO VEB=3V,IC=0 0.1 μA 集电极发射极穿透电流 ICEO VCE=12V,IB=0 0.1 μA 直流电流增益 hFE VCE=5V,IC=1mA 70 190 集电极-发射极饱和压降 VCE(sat) IC=10mA,IB=1mA 0.5 V 基极-发射极饱和压降 VBE(sat) IC=10mA,IB=1mA 1.4 V 特征频率 fT VCE=5V,IC=5mA,f=400MHz 600 MHz hFE 分档/Classification of hFE 档位/Rank L H 范围/Range 70～105 105～190
SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD. SOT-23 封装半导体晶体管/SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 典型特性曲线图/Typical Characteristics