DF900R12IP4DV INFINEON | Alldatasheet

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TechnischeInformation/TechnicalInformation DF900R12IP4DV IGBT-Module IGBT-modules preparedby:TA approvedby:IB dateofpublication:2014-04-28 revision:2.0 ULapproved(E83335) PrimePACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4,größererEmitterControlled4Diode PrimePACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT4,enlargedEmitterControlled4diode VorläufigeDaten/PreliminaryData VCES = 1200V IC nom = 900A / ICRM = 1800A TypischeAnwendungen TypicalApplications

  • •Hybrid-Nutzfahrzeuge CommercialAgricultureVehicles ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
  • •ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop ExtendedOperationTemperatureTvjop
  • •GroßeDC-Festigkeit HighDCStability
  • •Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender Kurzschlussstrom High Short Circuit Capability, Self Limiting Short CircuitCurrent
  • •NiedrigesVCEsat LowVCEsat
  • •VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
  • •4kVAC1minIsolationsfestigkeit 4kVAC1minInsulation
  • •GehäusemitCTI>400 PackagewithCTI>400
  • •GroßeLuft-undKriechstrecken HighCreepageandClearanceDistances
  • •HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit HighPowerandThermalCyclingCapability
  • •HoheLeistungsdichte HighPowerDensity
  • •SubstratfürkleinenthermischenWiderstand SubstrateforLowThermalResistance ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber 1-5 ModuleMaterialNumber 6-11 ProductionOrderNumber 12-19 Datecode(ProductionYear) 20-21 Datecode(ProductionWeek) 22-23

TechnischeInformation/TechnicalInformation DF900R12IP4DV IGBT-Module IGBT-modules preparedby:TA approvedby:IB dateofpublication:2014-04-28 revision:2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT-Chopper/IGBT-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 900 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 1800 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 5,10 kW Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 900 A, VGE = 15 V IC = 900 A, VGE = 15 V IC = 900 A, VGE = 15 V VCE sat 1,70 2,00 2,10 2,05 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,0 5,8 6,5 V Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 6,40 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,2 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 54,0 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,80 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 900 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,6 Ω td on 0,20 0,22 0,22 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 900 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,6 Ω tr 0,14 0,15 0,15 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 900 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,6 Ω td off 0,70 0,80 0,85 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 900 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,6 Ω tf 0,20 0,40 0,45 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 900 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH VGE = ±15 V, di/dt = 4800 A/µs (Tvj = 150°C) RGon = 1,6 Ω Eon 50,0 70,0 80,0 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 900 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH VGE = ±15 V, du/dt = 2700 V/µs (Tvj = 150°C) RGoff = 1,6 Ω Eoff 150 200 205 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 3600 A Tvj = 150°C tP ≤ 10 µs, Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 29,5 K/kW Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proIGBT/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 16,0 K/kW TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C

TechnischeInformation/TechnicalInformation DF900R12IP4DV IGBT-Module IGBT-modules preparedby:TA approvedby:IB dateofpublication:2014-04-28 revision:2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData Diode-Chopper/Diode-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 900 A PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 1800 A Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 150 145 kA²s kA²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 900 A, VGE = 0 V IF = 900 A, VGE = 0 V IF = 900 A, VGE = 0 V VF 1,65 1,55 1,50 2,15 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 900 A, - diF/dt = 4800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V IRM 560 770 820 A A A Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 900 A, - diF/dt = 4800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Qr 110 200 225 µC µC µC Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 900 A, - diF/dt = 4800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Erec 50,0 90,0 105 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 37,0 K/kW Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 20,0 K/kW TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C Diode,Revers/Diode,Reverse HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 120 A PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 240 A Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 0,17 kA²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 120 A, VGE = 0 V IF = 120 A, VGE = 0 V VF 1,65 1,65 2,15 V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 340 K/kW Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 170 K/kW TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C

TechnischeInformation/TechnicalInformation DF900R12IP4DV IGBT-Module IGBT-modules preparedby:TA approvedby:IB dateofpublication:2014-04-28 revision:2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C R25 5,00 kΩ AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ΔR/R -5 5 % Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 4,0 kV MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate Cu InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 33,0 33,0 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 19,0 19,0 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 400 min. typ. max. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE 18 nH Modulleitungswiderstand,Anschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 0,30 mΩ Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 150 °C Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 1,8 8,0 2,1 Nm Nm Gewicht Weight G 825 g

TechnischeInformation/TechnicalInformation DF900R12IP4DV IGBT-Module IGBT-modules preparedby:TA approvedby:IB dateofpublication:2014-04-28 revision:2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V VCE [V] IC [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 180 360 540 720 900 1080 1260 1440 1620 1800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AusgangskennlinienfeldIGBT-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C VCE [V] IC [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V ÜbertragungscharakteristikIGBT-Chopper(typisch) transfercharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE [V] IC [A] 180 360 540 720 900 1080 1260 1440 1620 1800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C SchaltverlusteIGBT-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.6Ω ,RGoff=1.6Ω ,VCE=600V IC [A] E [mJ] 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 100 150 200 250 300 350 400 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C

TechnischeInformation/TechnicalInformation DF900R12IP4DV IGBT-Module IGBT-modules preparedby:TA approvedby:IB dateofpublication:2014-04-28 revision:2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=900A,VCE=600V RG [Ω ] E [mJ] 100 200 300 400 500 600 700 800 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C TransienterWärmewiderstandIGBT-Chopper transientthermalimpedanceIGBT-Chopper ZthJC=f(t) t [s] ZthJC [K/kW] 0,001 0,01 0,1 0,1 100 ZthJC : IGBT ri[K/kW]: τi[s]: 1,2 0,0008 0,013 0,05 2,3 0,6 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT-Chopper(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT-Chopper(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.6Ω ,Tvj=150°C VCE [V] IC [A] 200 400 600 800 1000 1200 1400 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 IC, Modul IC, Chip DurchlasskennliniederDiode-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode-Chopper(typical) IF=f(VF) VF [V] IF [A] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

TechnischeInformation/TechnicalInformation DF900R12IP4DV IGBT-Module IGBT-modules preparedby:TA approvedby:IB dateofpublication:2014-04-28 revision:2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch) switchinglossesDiode-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=1.6Ω ,VCE=600V IF [A] E [mJ] 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 100 120 140 160 180 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch) switchinglossesDiode-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=900A,VCE=600V RG [Ω ] E [mJ] 100 120 140 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C TransienterWärmewiderstandDiode-Chopper transientthermalimpedanceDiode-Chopper ZthJC=f(t) t [s] ZthJC [K/kW] 0,001 0,01 0,1 0,1 100 ZthJC : Diode ri[K/kW]: τi[s]: 3,1 0,0008 8,8 0,013 24,5 0,05 0,6 0,6 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) TC [°C] R[Ω ] 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 Rtyp

TechnischeInformation/TechnicalInformation DF900R12IP4DV IGBT-Module IGBT-modules preparedby:TA approvedby:IB dateofpublication:2014-04-28 revision:2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines

TechnischeInformation/TechnicalInformation DF900R12IP4DV IGBT-Module IGBT-modules preparedby:TA approvedby:IB dateofpublication:2014-04-28 revision:2.0 VorläufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.