2N4401 JIANGSU | Alldatasheet
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 5
Technical content
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2N4401 TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
MAXIMUM RATINGS (T a =25 /g1071/g1071 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage 60 /g3 V V CEO Collector-Emitter Voltage 40 /g3 V V EBO Emitter-Base Voltage 6 V I C Collector Current -Continuous 600 /g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3mA P C Collector Power dissipation /g3/g3/g30.625 /g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3W T J Junction Temperature 150 /g1071 T stg Storage Temperature -55 /g97+15/g19/g3 /g1071 R /g1318JA Thermal Resistance, junction to Ambient 357 /g1071/mW TO-92 1.EMILTTER 2.BASE 3. COLLECTOR www.cj-elec.com 1 /g40,/g36/g88/g74,201/g26 ORDERING INFORMATION/g3 Part Number Pack age Packin g Method Pack Quantity /g21/g49/g23/g23/g19/g20 /g21/g49/g23/g23/g19/g20/g16/g55/g36 /g48/g36/g53/g46/g44/g49/g42 Equivalent Circuit /g3/g54/g82/g79/g76/g71/g3/g71/g82/g87/g32/g42/g85/g72/g72/g81/g3/g80/g82/g79/g71/g76/g81/g74/g3/g70/g82/g80/g83/g82/g88/g81/g71/g3/g71/g72/g89/g76/g70/g72/g15/g3 /g59/g59/g59/g32/g38/g82/g71/g72/g3 /g21/g49/g23/g23/g19/g20/g32/g39/g72/g89/g76/g70/g72/g3/g70/g82/g71/g72/g3 /g3/g76/g73/g3/g81/g82/g81/g72/g15/g87/g75/g72/g3/g81/g82/g85/g80/g68/g79/g3/g71/g72/g89/g76/g70/g72 4401 /g59/g59/g59 /g122 TO-92 Bulk 1000pcs/Bag TO-92 Tape 2000pcs/Box
www.cj-elec.com/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g21 /g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3 /g40/g15/g36/g88/g74/g15/g21/g19/g20/g26 /g40/g47/g40/g38/g55/g53/g44/g38/g36/g47/g3/g38/g43/g36/g53/g36/g38/g55/g40/g53/g44/g54/g55/g44/g38/g54 aT =25 /g1071 unless otherwise specified P a rameter Symbol T est conditions M /g76/g81/g3/g3/g3 M /g68/g91U/g81/g76/g87 Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO I C=100/g541A , IE=0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO I C= 1mA , IB=0 40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO I E=100/g541A, IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO V CB=35V, IE=0 0 .1 /g541A Emitter cut-off current IEBO V EB=5V, IC=0 0 .1 /g541A hFE(1) VCE=1V, IC= 0.1mA 20 hFE(2) VCE=1V, IC=1mA 40 hFE(3) VCE=1V, IC= 10mA 80 hFE(4) VCE=1V, IC=150mA 100 300 DC current gain hFE(5) VCE=2V, IC= 500mA 40 VCE(sat)1 I C=150 mA, IB=15mA 0 .4 V Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)2 I C=500 mA, IB=50mA 0 .75 V VBE(sat)1 I C=150 mA, IB=15mA 0 .95 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat)2 I C=500 mA, IB=50mA 1 .2 V Transition frequency f T VCE= 10V, IC= 20mA, f=100MHz
250 MHz
VCB=10V, IE= 0, f=100KHz 6 .5 pF Delay time td 15 n /g86 Rise time tr VCC=30V, VBE(OFF)=2V IC=150mA, IB1=15mA 20 n /g86 Storage time tS 225 n /g86 Fall time tf VCC=30V, IC=150mA IB1=-IB2= 15mA 30 n /g86
0.1 1 10 100 100 1000 0 25 50 75 100 125 150 125 250 375 500 625 750 1 10 100 0.4 0.6 0.8 1.0 0.1 1 10 100 100 1000 0123 100 150 200 250 1 10 100 100 1000 600 VCB/ VEBCob/ Cib ——VBEIC —— IChFE —— Ta=100ć Ta=25ć COMMON EMITTER VCE=1V COLLECTOR CURRENT IC (mA) BASE-EMITTER VOLTAGE VBE (V) Static Characteristic 600 Ta=100ć Ta=25ć COMMON EMITTER VCE=1V 300 300.3 DC CURRENT GAIN hFE COLLECTOR CURRENT IC (mA) fT —— PC —— Ta COLLECTOR POWER DISSIPATION PC (mW) AMBIENT TEMPERATURE Ta ( )ć Ta=100ć Ta=25ć /g533=10 600303 BASE-EMMITTER SATURATION VOLTAGE VBEsat (V) COLLECTOR CURRENT IC (mA) f=1MHz IE=0/IC=0 Ta=25ć Cob Cib 0.3 203 CAPACITANCE C (pF) REVERSE BIAS VOLTAGE V (V) 300 100 COMMON EMITTER VCE=10V Ta=25ć TRANSITION FREQUENCY fT (MHz) COLLECTOR CURRENT IC (mA) COMMON EMITTER T a=25ć 1.0mA 0.7mA 0.9mA 0.6mA 0.5mA 0.8mA 0.4mA 0.3mA 0.2mA IB=0.1mA COLLECTOR CURRENT IC (mA) COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V) IC Ta=25ć Ta=100ć /g533=10 VBEsat ——VCEsat —— I C IC 600 300 303 COLLECTOR-EMMITTER SATURATION VOLTAGE VCEsat (mV) COLLECTOR CURRENT IC (mA) www.cj-elec.com /g22 /g40/g15/g36/g88/g74/g15/g21/g19/g20/g26 Typical Characteristics
/g48/g76/g81 /g48/g68/g91 /g48/g76/g81 /g48/g68/g91 A 3.300 3.700 0.130 0.146 A1 1.100 1.400 0.043 0.055 b 0.380 0.550 0.015 0.022 c 0.360 0.510 0.014 0.020 D4 . /g22/g19/g19 4.700/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g19/g17/g20/g25/g28/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g19/g17/g20/g27/g24 D1 3.430 0.135 E 4.300 4.700 0.169 0.185 e e1 2.440 2.640 0.096 0.104 L 14.100 14.500 0.555 0.571 /g301 1.600 0.063 h 0.000 0.380 0.000 0.015 /g54/g92/g80/g69/g82/g79/g39/g76/g80/g72/g81/g86/g76/g82/g81/g86/g3/g44/g81/g3/g48/g76/g79/g79/g76/g80/g72/g87/g72/g85/g86 /g39/g76/g80/g72/g81/g86/g76/g82/g81/g86/g3/g44/g81/g3/g44/g81/g70/g75/g72/g86 1.270 TYP 0.050 TYP /g55/g50/g16/g28/g21/g3/g51/g68/g70/g78/g68/g74/g72/g3/g50/g88/g87/g79/g76/g81/g72/g3/g39/g76/g80/g72/g81/g86/g76/g82/g81/g86/g3 /g55/g50/g16/g28/g21/g3/g54/g88/g74/g74/g72/g86/g87/g72/g71/g3/g51/g68/g71/g3/g47/g68/g92/g82/g88/g87/g3 /g90/g90/g90/g17/g70/g77/g16/g72/g79/g72/g70/g17/g70/g82/g80/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3 /g23/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g3/g40/g15/g36/g88/g74/g15/g21/g19/g20/g26
/g55/g50/g16/g28/g21/g37DSHDQG5HHO ZZZFMHOHFFRP /g24/g3/g3/g3/g3/g40/g15/g36/g88/g74/g15/g21/g19/g20/g26