U2896B

U2896B TEMIC | Alldatasheet

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Technical content

Features

/C0068Supply voltage range 2.7 V to 5.5 V /C0068Current consumption 50 mA /C0068Power-down functions /C0068High-speed PFD and charge pump (CP) /C0068Small CP saturation voltages (0.5/0.6 V) /C0068Programmable dividers and CP polarity /C0068Low-current standby mode Benefits /C0068Novel TX architecture saves filter costs /C0068Extended battery operating time without duplexer /C0068Less board space (few external components) /C0068VCO control without voltage doubler /C0068Small SSO36 package /C0068One device for all GSM bands Block Diagram 1:2 N MUX 90° V Ref Modulator I NI Q NQ PU NMIXOMIXO 32 3323353621 Mixer PFD Charge pump 1413 27 26 RF NRF VSP CPO VS2 MDO NMDO ND NND RD NRD MC GND2 CPCL CPCH 14891 VS1 GND1 LO 3MDLO NMDLO 34 25

30 GND3

24 NMIXLO

12 GNDP

1:2 R PUMIX MIXLO Mode control Figure 1. Block diagram

Rev. A1, 18-Sep-982 (13) Preliminary Information

Ordering Information

Extended Type Number Package Remarks U2896B-MFCG3 SSO36 Taped and reeled Pin Description 18 19 14892 I NI MDLO NMDLO GND1 VSI 1) MDO NMDO SUB VSP CPO GNDP CPCL CPCH RD NRD MC n.c. VS3 1) GND3 RF NRF VS2 1) GND2 MIXO NMIXO MIXLO PUMIX NQ Q NMIXLO PU ND NND n.c. n.c. Figure 2. Pinning

Rev. A1, 18-Sep-98 3 (13) Preliminary Information Absolute Maximum Ratings Parameters Symbol Value Unit ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Supply voltage VS1, VS2, VS3 ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ V VS# ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ /C0118 VVSP ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ V ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Supply voltage charge pump VSP ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ V VSP ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 5.5 ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ V ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ V oltage at any input ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ V Vi# ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ –0.5 /C0118 VVi# /C0118 VVS# +5.5 ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ V ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Current at any input / output pin except CPC ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ mA ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ CPC output currents ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ | ICPC | ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ mA ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Ambient temperature ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Tamb ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ –20 to +85 ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Storage temperature ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Tstg ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ –40 to +125 ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ Operating Range Parameters Symbol Value Unit ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Supply voltage ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ V VS# ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 2.7 to 5.5 ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ V ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Supply voltage ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ V VSP ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 2.7 to 5.5 ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ V ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Ambient temperature ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Tamb ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ –20 to +85 ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ Thermal Resistance Parameters Symbol Value Unit ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Junction ambient SSO36 ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ R thJA ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 130 ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ K/W

Electrical Characteristics

V S = 2.7 to 5.5 V , Tamb = –20°C to +85°C, final test at 25°C Parameters Test Conditions / Pin Symbol Min. Typ. Max. Unit ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ DC supply ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Supply voltages VS# ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ V VS1 = VVS2 = VVS3 ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ V VS# ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ 2.7 ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 5.5 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ V ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Supply voltage VSP ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ V VSP ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ V VS# – 0.3 ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 5.5 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ V ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Supply current IVS1 ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Active (VPU = VS) ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ IVS1A ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ mA ÁÁÁÁÁÁÁÁ pp y ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Standby (VPU = 0) ÁÁÁÁÁ IVS1Y ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ /C0109A ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Supply current IVS2 ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Active (VPU = VS) ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ IVS2A ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ mA ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ pp y ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Standby (VPU = 0) ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ IVS2Y ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ /C0109A ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Supply current IVS3 ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Active (VPUMIX = VS) ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ IVS3A ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ mA ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ pp y ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Standby (VPUMIX = 0) ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ IVS3Y ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ /C0109A ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ Supply current IVSP 1) ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Active (VPU = VS, CPO open) ÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁ IVSPA ÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ Á Á Á ÁÁÁ 1.4 ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ 1.8 ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ mA ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Standby (VPU = 0) ÁÁÁÁÁ IVSPY ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ /C0109A ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ N & R divider inputs ND, NND & RD, NRD ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ N:1 divider frequency ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 50-/C0087 source ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ fND ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ 100 ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 600 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ MHz ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ R:1 divider frequency ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 50-/C0087 source ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ fRD ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ 100 ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 600 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ MHz ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Input impedance ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Active & standby ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ZRD , ZND ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ k/C0087 ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Input sensitivity ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ 50-/C0087 source ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ V RD , VND ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ 5 2) ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 200 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ mV rms ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Input capacitance ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Active & standby ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ C RD , CND ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 0.5 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ pF 1) Mean value, measured with FND = 151 MHz, FRD = 150 MHz, current vs. time, see page 6, figure 3 2) For optimized noise performance this voltage level may be higher

Rev. A1, 18-Sep-984 (13) Preliminary Information Electrical Characteristics (continued) V S = 2.7 to 5.5 V , Tamb = –20°C to +85°C, final test at 25°C Parameters Test Conditions / Pin Symbol Min. Typ. Max. Unit ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Phase-frequency detector (PFD) ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ PFD operation ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ fND = 600 MHz, N = 2 fRD = 600 MHz, R = 2 ÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁ fPFD ÁÁÁ Á Á Á ÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ 300 ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ MHz ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Frequency comparison only ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ fND = 600 MHz, N = 2 fRD = 450 MHz, R = 2 ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ fFD ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 400 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ MHz ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ I/Q modulator baseband inputs I, NI & Q, NQ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ DC voltage ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ Referred to GND ÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁ V I, V NI, V Q, V NQ ÁÁÁ Á Á Á ÁÁÁ 1.35 ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ VS1/2 ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ VS1/2 + 0.1 ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ V ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ MD_IQ ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Frequency range ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ fIO ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ MHz ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ AC voltage 5) ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Referred to GND ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ AC I, AC NI, AC Q, AC NQ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 200 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ mV pp ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ AC voltage ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Differential (preferres) ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ AC DI, AC DQ ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 400 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ mV pp ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ I/Q modulator LO input MDLO ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ MDLO ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Frequency range ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ fMDLO ÁÁÁ ÁÁÁ 100 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 450 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ MHz ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Input impedance ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Active & standby ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ ZMDLO ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ k/C0087 ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Input level ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ 50-/C0087 source ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ PMDLO ÁÁÁ ÁÁÁ –14 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ –11 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ dBm ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ I/Q modulator outputs MDO, NMDO ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ DC current ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ V MDO , VNMDO = VS ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ IMDO , INMDO ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 0.8 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ mA ÁÁÁÁÁÁÁÁ Internal pull-up resistor ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ R MDO , RNMDO ÁÁÁ ÁÁÁÁ 615 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ /C0087 ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ V oltage compliance ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ V MDO , VNMDO = VC ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ VC MDO , VCNMDO ÁÁÁ ÁÁÁ V S – 0.7 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 5.5 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ V ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ MDO output level (differential) ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ 615 /C0087 to VS 6) 1.5 pF external load ÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁ PMDO ÁÁÁ Á Á Á ÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ mV rms ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Carrier suppression 6) ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ CS MDO ÁÁÁ ÁÁÁ –32 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ –35 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ dBc ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Sideband suppression 6) ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ SSMDO ÁÁÁ ÁÁÁ –35 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ –40 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ dBc ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ IF spurious 6) ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ fLO ± 3 /C0032 fmod ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ SPMDO ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ –50 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ –45 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ dBc ÁÁÁÁÁÁÁÁ Noise 6) ÁÁÁÁÁÁÁÁ @ 400 kHz off carrier ÁÁÁÁÁÁÁ N MDO ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ –115 ÁÁÁÁ dBc/Hz ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Frequency range ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ fMDO ÁÁÁ ÁÁÁ 100 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 450 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ MHz ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Mixer (900 MHz) ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ RF input level ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ

900 MHz

ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ P9RF ÁÁÁ ÁÁÁ –23 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ –17 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ dBm ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Output resistance ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ R MIXO , RNMIXO ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 650 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ /C0087 ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ LO-spurious at RF/NRF port ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ @ P9 MIXLO = –10 dBm @ P9 RF = –15 dBm ÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁ SP9RF ÁÁÁ Á Á Á ÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ –40 ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ dBm ÁÁÁÁÁÁÁÁ MIXLO input level ÁÁÁÁÁÁÁÁ 0.05 to 2 GHz ÁÁÁÁÁÁÁ P9MIXLO ÁÁÁ –22 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ –12 ÁÁÁÁ dBm ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ MIXO ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Frequency range ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ fMIXO ÁÁÁ ÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 450 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ MHz ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ Output level 7) differen- tial ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ @ P9 MIXLO = –15 dBm ÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁ P9MIXO ÁÁÁ Á Á Á ÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ mV rms ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Carrier suppression ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ @ P9 MIXLO = –15 dBm ÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁ CS9 MIXO ÁÁÁ ÁÁÁ –20 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ dBc 4) PFD can be used as a frequency comparator until 300 MHz for loop acquisition 5) Single-ended operation (complementary baseband input is AC-grounded) leads to reduced linearity (degrading suppression of odd harmonics) 6) With typical drive levels at MDLO- & I/Q-inputs 7) –1 dB compression point C = 1.5 pF to GND

Rev. A1, 18-Sep-98 5 (13) Preliminary Information Electrical Characteristics (continued) V S = 2.7 to 5.5 V , Tamb = –20°C to +85°C, final test at 25°C Parameters Test Conditions / Pin Symbol Min. Typ. Max. Unit ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Mixer (1900 MHz) ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Output resistance ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ R MIXO , RNMIXO ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 650 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ /C0087 ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ RF input level ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ 0.5 to 2 GHz ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ P19RF ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ –23 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ –17 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ dBm ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ LO-spurious at RF/NRF ports ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ @ P19 MIXLO = –10 dBm @ P19 RF = –15 dBm ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ SP19RF ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ –40 ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ dBm ÁÁÁÁÁÁÁÁ MIXLO input level ÁÁÁÁÁÁÁÁ 0.05 to 2 GHz ÁÁÁÁÁÁ P19MIXLO ÁÁÁÁ –22 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ –12 ÁÁÁÁ dBm ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ MIXO ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ Output level 8) differen- tial ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ @ P19 MIXLO = –17 dBm ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ P19MIXO ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ mVrms ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Carrier suppression ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ @ P19 MIXLO = –17 dBm ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ CS19 MIXO ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ –20 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ dBc ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Charge-pump output CPO (V VSP = 5 V; VCPO = 2.5 V) ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Pump-current pulse ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ R CPCH 9) = 4.7 kΩ ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ | ICPO_H | ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 1.4 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 2.6 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ mA ÁÁÁÁÁÁÁÁ pp ÁÁÁÁÁÁÁÁ R CPCL 10) = 2.4 kΩ ÁÁÁÁÁÁ | ICPO_L | ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ mA ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ Sensivity to VVSP |/C0068ICPO ICPO || /C0068V VSP V VSP ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ SICPO ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ 0.1 ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ V CPO voltage range ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ | ICPO | degradation < 10% VSP = 2.7 V to 5 V) ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁ Á Á ÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ V CPO ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ 0.5 ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ V VSP –0.6 ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ V ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Mode control ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Sink current ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ V MC = VS ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ IMC ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ /C0109A ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Power-up input PU (power-up for all functions, except mixer) ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ Settling time ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ Output power within 10% of steady state values ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ SPU ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ /C0109s ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ High level ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Active ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ V PUH ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 2.0 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ V ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Low level ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Standby ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ V PUL ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 0.4 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ V ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ High-level current ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Active, VPUH = 2.2 V ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ IPUH ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ /C0109A ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Low-level current ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Standby, VPUL = 0.4 V ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ IPUL ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ /C0109A ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Power-up input PUMIX (power-up for mixer only) ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ Settling time ÁÁÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁÁÁ Output power within 10% of steady state values ÁÁÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁ Á ÁÁÁÁÁÁ tsetl ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ Á ÁÁ Á ÁÁÁÁ /C0109s ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ High level ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Active ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ V PUMIXH ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 2.0 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ V ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Low level ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Standby ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ V PUMIXL ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 0.4 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ V ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ High-level current ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Active, VPUMIXH = 2.2 V ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ IPUMIXH ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ 0.1 ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ /C0109A ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Low-level current ÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁ Standby, V PUMIXL = 0.4 V ÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁ IPUMIXL ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁ /C0109A 8) – 1 dB compression point C = 1.5 pF to GND 9) R CPCH : external resistor to GND for charge-pump current control (MODE 1, 5, only Pin 14 active) 10) R CPCL : external resistor to GND for charge-pump current control (MODE 2, 3, 4, only Pin 13 active)

2.5 ICPCO

1.5 ICPCO

Figure 3. Supply current of the charge pump MC to VS2. The mode is distinguished from specific N-, R-divider ratios, and the polarity of the charge-pump selection. 4) Sink current into Pin CPO. Source: current out from Pin CPO.

Figure 13. Test circuit

Figure 14. Application circuit few /C0109s can be achieved.

Rev. A1, 18-Sep-9812 (13) Preliminary Information

Package Information

9.6 9.1 1.3 0.15 0.05 0.2 0.5 8.45 36 19 11 8 4.5 4.3 6.6 6.3 0.12 5.6 5.2

Rev. A1, 18-Sep-98 13 (13) Preliminary Information Ozone Depleting Substances Policy Statement It is the policy of TEMIC Semiconductor GmbH to 1. Meet all present and future national and international statutory requirements. 2. Regularly and continuously improve the performance of our products, processes, distribution and operating systems with respect to their impact on the health and safety of our employees and the public, as well as their impact on the environment. It is particular concern to control or eliminate releases of those substances into the atmosphere which are known as ozone depleting substances (ODSs). The Montreal Protocol (1987) and its London Amendments (1990) intend to severely restrict the use of ODSs and forbid their use within the next ten years. Various national and international initiatives are pressing for an earlier ban on these substances. TEMIC Semiconductor GmbH has been able to use its policy of continuous improvements to eliminate the use of ODSs listed in the following documents. 1. Annex A, B and list of transitional substances of the Montreal Protocol and the London Amendments respectively 2. Class I and II ozone depleting substances in the Clean Air Act Amendments of 1990 by the Environmental Protection Agency (EPA) in the USA 3. Council Decision 88/540/EEC and 91/690/EEC Annex A, B and C (transitional substances) respectively. TEMIC Semiconductor GmbH can certify that our semiconductors are not manufactured with ozone depleting substances and do not contain such substances. We reserve the right to make changes to improve technical design and may do so without further notice. Parameters can vary in different applications. All operating parameters must be validated for each customer application by the customer. Should the buyer use TEMIC products for any unintended or unauthorized application, the buyer shall indemnify TEMIC against all claims, costs, damages, and expenses, arising out of, directly or indirectly, any claim of personal damage, injury or death associated with such unintended or unauthorized use. TEMIC Semiconductor GmbH, P.O.B. 3535, D-74025 Heilbronn, Germany Telephone: 49 (0)7131 67 2594, Fax number: 49 (0)7131 67 2423