TT050K065FQ

TT050K065FQ JSMC | Alldatasheet

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R 版本：202307A 1/9 N 沟绝缘栅双极晶体管 N-CHANNEL IGBT TT050K065FQ 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 无卤-条管 Halogen-Free-Tube TT050K065FQ-GH-BR TT050K065FQ TO-247-4L 封装 Package TO-247-4L 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC 50A VCES 650V Vcesat-typ 1.55V 用途  PFC  储能

APPLICATIONS

 Power factor corrector (PFC)  Energy Storage 产品特性  低栅极电荷  Trench FS 技术,  RoHS 产品  快开关速度  低开关损耗  VCE(sat)正温度系数

FEATURES

 Low gate charge  Trench FS Technology,  RoHS product  Fast switching speed  Low switching losses  VCE(sat) with positive temperature coefficient 订货信息 ORDER MESSAGE

R TT050K065FQ 版本：202307A 2/9 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) *连续集电极电流由最高结温限制. *Collector current limited by maximum junction temperature.,and Tc=25° C limited by bondwire. For optimum lifetime and reliability, JSMC recommends operating conditions that do not exceed 80% of the maximum ratings stated in this datasheet 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 最高集电极－发射极直流电压 Collector-Emmiter Voltage VCES 650 V *连续集电极电流 Collector Current-continuous IC 80(TC=25°C ) A 60(TC=100°C ) A 最大脉冲集电极极电流（注1） Collector Current – pulse（note 1） ICM 200 A *二极管正向测试电流 Diode RMS forward current IF 80 (TC=25°C ) A 50 (TC=100°C ) A 二极管正向不重复峰值电流（浪涌电流） Surge non repetitive forward current tp= 10 ms sinusoidal IFSM 200 A 最高栅极发射极电压 Gate-Emmiter Voltage VGES ± 20 V 瞬态栅极发射极电压 Transient Gate-emitter voltage (tp≤10us，D＜0.010) VGES ±30 V 安全工作区 Turn-off safe area - 200 A 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25℃ PD TC=100℃ 500 250 W 工作结温（注 2） Operating Junction Temperature Range TVJ -40～+175 ℃ 存储温度 Storage Temperature TSTG -55～+150 ℃ 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes TL 260 ℃ 注释： 1：脉冲宽度由最高结温限制. Notes: 1：Pulse width limited by maximum junction temperature.

R TT050K065FQ 版本：202307A 3/9 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 关态特性 Off –Characteristics 集电极－发射极击穿电压 Collector-Emmiter Voltage BVCES IC=250μA, VGE=0V 650 - - V 零栅压下集电极漏电流 Zero Gate Voltage Collector Current ICES VCE=650V, VGE=0V,Tvj=25℃ - - 50 uA 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward IGESF VCE=0V, VGE =20V,Tvj=25℃ - - 200 nA 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse IGESR VCE=0V, VGE =-20V,Tvj=25℃ - - -200 nA 通态特性On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage VGE(th) VCE = VGE, IC=0.5mA 3.5 4.5 5.5 V 饱和压降 Collector-Emmiter saturation Voltage VCESAT VGE=15V I C=50A Tvj=25℃ Tvj=150℃ 1.55 1.75 1.9 V 动态特性Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance Cies VCE=25V VGE=0V f=1.0MHZ - 2062 - pF 输出电容 Output capacitance Coes - 213 - pF 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Cres - 36 - pF 栅极电荷总量Total Gate Charge Qg VCC=520V,Ic=50A,VGE=15V - 118 - nC

R TT050K065FQ 版本：202307A 4/9 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性 Switching Characteristics 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 开启延迟时间Turn-On delay time td(on) VCC=400V,Ic=50A,RG=5Ω VGE=15 V Tvj=25℃ - 11 - ns 上升时间Turn-On rise time tr - 65 - ns 关断延迟时间Turn-Off delay time td(off) - 110 - ns 下降时间Turn-Off Fall time tf - 72 - ns 开通损耗Turn-On energy Eon - 0.85 - mJ 关断损耗 Turn-off energy Eoff - 1.15 - mJ 总开关损耗 Total switching energy Etot - 2.0 - mJ 开启延迟时间Turn-On delay time td(on) VCC=400V,Ic=50A,RG=5Ω VGE=15 V Tvj =150℃ - 12 - ns 上升时间Turn-On rise time tr - 66 - ns 关断延迟时间Turn-Off delay time td(off) - 130 - ns 下降时间Turn-Off Fall time tf - 110 - ns 开通损耗Turn-On energy Eon - 0.96 - mJ 关断损耗 Turn-off energy Eoff - 1.56 - mJ 总开关损耗 Total switching energy Etot - 2.52 - mJ 反并联二极管特性及最大额定值 Anti-Parallel Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向压降Diode Forward Voltage VF IF=50A，Tvj =25℃ Tvj=150℃ 1.5 1.3 1.8 - V 反向恢复时间Reverse recovery time trr VR=200V, IF=50A dIF/dt=200A/μs Tvj =25℃ - 160 - ns 反向恢复电荷 Diode Reverse recovery charge Qrr - 0.79 - nC 反向恢复电流 Diode Reverse recovery Current Irrm - 8.0 - A 反向恢复时间 Diode Reverse recovery time trr VR=200V, IF=50A dIF/dt=200A/μs Tvj =150℃ - 270 - ns 反向恢复电荷 Diode Reverse recovery charge Qrr - 3.1 - nC 反向恢复电流 Diode Reverse recovery Current Irrm - 17 - A 项 目 Parameter 符 号 Symbol MAX 单 位 Unit 结到管壳的热阻Junction to Case IGBT Rth(j-c) 0.3 ℃/W 结到管壳的热阻Junction to Case Diode Rth(j-c) 0.47 ℃/W 结到环境的热阻Junction to Ambient Rth(j-A) 40 ℃/W

R TT050K065FQ 版本：202307A 5/9 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Output Characteristics（25℃） Output Characteristics（150℃） Transfer Characteristics If vs. Vf Gate Charge Characteristics Vge=15V，Ic=50A Capacitance Characteristic Vge =0V，f=1.0MHZ

R TT050K065FQ 版本：202307A 6/9 Vcesat vs. Tj Vge=15V， Ic=25A、50A、100A Switching Time vs.Tj Vge=15V，Vce=400V，Ic=50A，Rg=5Ω Switching Time vs. Rg(150℃) Vge=15V，Vce=400V， Ic=50A Switching Time vs. Ic(150℃) Vce=400V，Vge=15V， Rg=5Ω Switching Loss vs. Tj Vge=15V，Vce=400V，Ic=50A，Rg=5Ω Switching Loss vs. Rg(150℃) Vge=15V，Vce=400V，Ic=50A

R TT050K065FQ 版本：202307A 7/9 Switching Loss vs. VCE(150℃) Vge=15V，Ic=50A，Rg=5Ω Colletcor current vs.case temperature VGE≥15V，Tvj≤175°C Transient Thermal Impedance for IGBT Forward Bias Safe Operating Area

R TT050K065FQ 版本：202307A 8/9 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-247-4L 单位 Unit：mm

R TT050K065FQ 版本：202307A 9/9 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请与公司核实。 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知。 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this. specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn