MS65R170

MS65R170 JSMC | Alldatasheet

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Technical content

R 版本：202403D 1/14 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET MS65R170 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 有卤-条管 无卤-条管 有卤-编带 无卤-编带 Halogen-Tube Halogen-Free-Tube Halogen-reel Halogen-Free-Reel MS65R170-F1-B MS65R170-F1-BR N/A N/A MS65R170 TO-220MF-K1 MS65R170-F4-B MS65R170-F4-BR N/A N/A MS65R170 TO-220MF-K4 MS65R170-C-B MS65R170-C-BR N/A N/A MS65R170 TO-220C MS65R170-B-B MS65R170-B-BR N/A N/A MS65R170 TO-262 MS65R170-S-B MS65R170-S-BR MS65R170-S-A MS65R170-S-AR MS65R170 TO-263 MS65R170-GE-B MS65R170-GE-BR N/A N/A MS65R170 TO-247 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 20A VDSS 650 V Rdson-max （@Vgs=10V） 0.180Ω Qg-typ 44.4 nC 用途  高频开关电源  电子镇流器  LED 电源

APPLICATIONS

 High frequency switching mode power supply  Electronic ballast  LED power supply 产品特性  低栅极电荷  开关速度快  产品全部经过雪崩测试  高抗dv/dt 能力  RoHS 产品  超结产品

FEATURES

 Low gate charge  Fast switching  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS product  Super Junction MOS 订货信息 ORDER MESSAGE 封装 Package

R MS65R170 版本：202403D 2/14 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit MS65R170 TO-220MF- K1/K4 TO-220C TO-263/ TO-262 TO-247 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage VDSS 650 V 连续漏极电流 Drain Current -continuous ID T=25℃ T=100℃ 20* A 12* A 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current - pulse （note 1） IDM 60* A 最高栅源电压 Gate-Source Voltage VGSS ± 30 V 单脉冲雪崩能量（注2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） EAS 503 mJ 雪崩电流（注 1） Avalanche Current（note 1） IAR 3.5 A 重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche Energy（note 1） EAR 0.7 mJ 二极管反向恢复最大电压变 化速率（注3） Peak Diode Recovery dv/dt （note 3） dv/dt 15 V/ns 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25℃ -Derate above 25℃ 44 204 202 238 W 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range TJ，TSTG -55～+150 ℃ 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes TL 300 ℃

R MS65R170 版本：202403D 3/14 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage BVDSS ID=250μA, VGS=0V 650 - - V 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient ΔBVDSS/Δ TJ ID=250μA, referenced to 25℃ - 0.65 - V/℃ 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=650V,VGS=0V, TC=25℃ - - 1 μA VDS=650V, TC=125℃ - - 100 μA 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward IGSSF VDS=0V, V GS =30V - - 100 nA 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse IGSSR VDS=0V, V GS =-30V - - -100 nA 通态特性On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS , I D=250μA 2.5 - 4.5 V 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance RDS(ON) VGS =10V , I D=10A - 0.15 0.18 Ω 正向跨导 Forward Transconductance gfs VDS = 10V, ID=10A（note 4） - 17 - S 动态特性Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance Ciss VDS=100V, VGS =0V, f=1.0MHZ - 1820 3000 pF 输出电容 Output capacitance Coss - 61 200 pF 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Crss - 29 100 pF

R MS65R170 版本：202403D 4/14 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性Switching Characteristics 延迟时间Turn-On delay time td(on) VDD=325V,ID=20A,RG=25 Ω, VGS=10V （note 4，5） - 52 100 ns 上升时间Turn-On rise time tr - 66 200 ns 延迟时间Turn-Off delay time td(off) - 239 400 ns 下降时间Turn-Off Fall time tf - 68 200 ns 栅极电荷总量Total Gate Charge Qg VDS =520V , ID=20A VGS =10V （note 4，5） - 44 150 nC 栅－源电荷 Gate-Source charge Qgs - 11 - nC 栅－漏电荷Gate-Drain charge Qgd - 17 - nC 漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain -Source Diode Forward Current IS - - 17 A 正向最大脉冲电流 Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ISM - - 60 A 正向压降 Drain-Source Diode Forward Voltage VSD VGS=0V, IS=10A - 0.9 1.2 V 反向恢复时间 Reverse recovery time trr Vr=400V, IF= IS dIF/dt=100A/μs (note - 311 - ns 反向恢复电荷 Reverse recovery charge Qrr - 4.8 - μC 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最大 Max 单 位 Unit MS65R170 TO-220MF-K1/K4 TO-220C TO-263/TO-262 TO-247 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient 注释： 1：脉冲宽度由最高结温限制 2：IAS=3.5A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结温 TJ=25℃ 3 ：ISD≤11A,di/dt≤300A/μs,VDD≤BVDSS, 起始结温 TJ=25℃ 5：基本与工作温度无关 Notes: 1：Pulse width limited by maximum junction temperature 2：IAS=1.8A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃ 3：ISD≤11A,di/dt≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％ 5：Essentially independent of operating temperature

R MS65R170 版本：202403D 5/14 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Capacitance Characteristics Gate Charge Characteristics Transfer Characteristics On-Region Characteristics On-Resistance Variation vs. Drain Current and Gate Voltage Body Diode Forward Voltage Variation vs. Source Current and Temperature

R MS65R170 版本：202403D 6/14 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Breakdown Voltage Variation vs. Temperature On-Resistance Variation vs. Temperature Maximum Safe Operating Area For MS65R170/TO-220MF-K1/K4 Transient Thermal Response Curve For MS65R170/TO-220MF-K1 /K4 Maximum Safe Operating Area For MS65R170/TO-220C Transient Thermal Response Curve For MS65R170/TO-220C

R MS65R170 版本：202403D 7/14 Maximum Drain Current vs. Case Temperature Power Disspation vs. Temperature Maximum Safe Operating Area For MS65R170/TO-263/TO-262 Transient Thermal Response Curve For MS65R170/TO-263 /TO-262 Maximum Safe Operating Area For MS65R170/TO-247 Transient Thermal Response Curve For MS65R170/TO-247

R MS65R170 版本：202403D 8/14 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220MF-K1 单位Unit：mm

R MS65R170 版本：202403D 9/14 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220MF-K4 单位Unit：mm

R MS65R170 版本：202403D 10/14 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220C 单位 Unit：mm

R MS65R170 版本：202403D 11/14 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-263 编带 REEL 单位Unit：mm

R MS65R170 版本：202403D 12/14 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-247 单位Unit：mm

R MS65R170 版本：202403D 13/14 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-262 单位Unit：mm

R MS65R170 版本：202403D 14/14 注意事项 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请与公司 核实。 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知。 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this. specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn