TT040U120EQ

TT040U120EQ JSMC | Alldatasheet

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R 版本：202308B 1/11 N 沟绝缘栅双极晶体管 N-CHANNEL IGBT TT040U120EQ 针 1200V 系列建议 TT040U120EQ 印记定义 Mark definition 检验代码说明： Y( 年代码，执行内部定 义)+WW（周代码） 产品型号说明：产品类型+工艺平台+参数规格 +工艺版本+特殊特性+预留代码 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 无卤-条管 Halogen-Free-Tube TT040U120EQ-GE-BR TT040U120EQ TO-247 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC 40 A VCES 1200V Vcesat-typ（Vge=15V） 2.0V 用途  电焊机  UPS 电源

APPLICATIONS

 Welding  UPS 产品特性  低栅极电荷  Trench FS 技术  RoHS 产品

FEATURES

 Low gate charge  Trench FS Technology  RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE L :低频 推荐频率~5KHz N :中频 推荐频率2~14KHz K :中高频 推荐频率5~24KHz U :高频 推荐频率14~40KHz F :超高频 推荐频率20~60KHz UF:特高频 1200V 系列无

R TT040U120EQ 版本：202308B 2/11 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) *连续集电极电流由最高结温限制 *Collector current limited by maximum junction temperature 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 最高集电极－发射极直流电压 Collector-Emitter Voltage VCE 1200 V *连续集电极电流 Collector Current-continuous IC 80(TC=25°C ) A 40(TC=100°C ) 最大脉冲集电极极电流（注1） Collector Current – pulse （note 1） ICM 160 二极管正向电流 Diode RMS forward current IF 80(TC=25°C ) 40(TC=100°C ) 二极管正向不重复峰值电流（浪涌电流） Surge non repetitive forward current tp= 10 ms sinusoidal IFSM 160 栅极发射极电压 Gate-Emitter Voltage VGE ± 20 V 安全工作区 Turn-off safe area - 160 A 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25℃ 568 W 存储温度 Storage Temperature Range TSTG -55～+150 结温 Junction Temperature Range Tvj -55～+150 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes TL 300 注释： 1：脉冲宽度由最高结温限制 Notes: 1：Pulse width limited by maximum junction temperature

R TT040U120EQ 版本：202308B 3/11 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大Max 单位 Units 关态特性 Off –Characteristics 集电极－发射极击穿电压 Collector-Emitter Voltage BVCES IC=250μA, VGE=0V 1200 - - V 零栅压下集电极漏电流 Zero Gate Voltage Collector Current ICES VCE=1200V, VGE=0V, TC=25℃ - - 0.2 mA VCE=1200V, VGE=0V, TC=175℃ - - 2 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward IGESF VCE=0V, V GE =20V - - 200 nA 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse IGESR VCE=0V, V GE =-20V - - -200 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage VTH VCE = VGE , IC=400μA 4.5 - 6.5 V 饱和压降 Collector-Emiter saturation Voltage VCESAT VGE=15V I C=40A Tc=25℃ - 2.0 3.0 VGE=15V I C=40A Tc=175℃ - 2.9 - 动态特性 Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance Cies VCE=25V, VGE=0V, f=1.0MHZ - 3626 - pF 输出电容 Output capacitance Coes - 232 - 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Cres - 74 - 栅极电荷总量Total Gate Charge Qg VCC=960V,Ic=40A, VGE=15 V TC=25℃ - 147.7 - nC 栅极-发射极电荷 Gate to emitter charge Qge - 36.1 - 栅极-集电极电荷 Gate to collector charge Qgc - 65.2 - 栅极电阻-Gate resistance Rg f=1 MHz, open collector - 2.1 - Ω 短路电流-short current Isc VGE=15V VCE=600V tsc≤5μs - 260 - A

R TT040U120EQ 版本：202308B 4/11 开关特性 Switching Characteristics 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 开启延迟时间Turn-on delay time td(on) VCC=600V,Ic=40A,RG=12Ω VGE=15 V, Parasitic ductance=75nH TC=25℃ - 42 - ns 上升时间Turn-on rise time tr - 70 - 关断延迟时间Turn-off delay time td(off) - 180 - 下降时间Turn-off Fall time tf - 84 - 开通损耗Turn-on energy Eon - 1.43 - mJ 关断损耗 Turn-off energy Eoff - 1.48 - 总开关损耗 Total switching energy Etot - 2.91 - 开启延迟时间Turn-on delay time td(on) VCC=600V,Ic=40A,RG=12Ω VGE=15 V, Parasitic ductance=75nH TC=175℃ - 38 - ns 上升时间Turn-on rise time tr - 70 - 关断延迟时间Turn-off delay time td(off) - 220 - 下降时间Turn-off Fall time tf - 164 - 开通损耗Turn-on energy Eon - 1.63 - mJ 关断损耗 Turn-off energy Eoff - 2.08 - 总开关损耗 Total switching energy Etot - 3.71 - 反并联二极管特性及最大额定值 Anti-Parallel Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向压降 Collector-Emitter Diode Forward Voltage VF VGE=0V, If=40A，TC=25℃ - 2.8 3.8 V VGE=0V, If=40A，TC=150℃ - 2.0 3.0 反向恢复时间 Diode Reverse recovery time trr IF=30A, VR=200V, diF/dt=-200A/μs Tj =25℃ - 43 - ns 反向恢复电荷 Diode Reverse recovery charge Qrr - 79 - nC 反向恢复电流 Diode Reverse recovery Current Irrm - 3.3 - A 反向恢复时间 Diode Reverse recovery time trr IF=30A, VR=200V, diF/dt=-200A/μs Tj =125℃ - 207 - ns 反向恢复电荷 Diode Reverse recovery charge Qrr - 583 - nC 反向恢复电流 Diode Reverse recovery Current Irrm - 6.2 - A 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最大值MAX 单 位 Unit 结到管壳的热阻 IGBT Thermal Resistance, Junction to Case Rth(j-c) 0.22 ℃/W 结到管壳的热阻 FRD Thermal Resistance, Junction to Case Rth(j-c) 0.58 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j-A) 40.0

R TT040U120EQ 版本：202308B 5/11 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Output Characteristics（25℃） Output Characteristics（175℃） Transfer Characteristics Vcesat vs. Tj VF vs. Tj VTH vs. Tj Ic.Collector Current,(A) Vce.Collector-Emitter Voltage (V) vge top: 20v 17v 15v 13v 11v buttom: 7v 100 120 140 160 Ic.Collector Current (A) Vce.Collector-Emitter Voltage (V) vge top: 20v 17v 15v 13v 11v buttom: 7v 100 150 200 250 4 8 12 16 20 Ic.Collector Current(A) Vge.Gate-Emitter Voltage (V) Tj=175℃ Tj=25℃ 25 75 125 175 Vcesat.Collector-Emitter Voltage(V) Tj.Junction Temperature (℃) 40A 10A 20A

R TT040U120EQ 版本：202308B 6/11 IF vs . VF Colletcor current vs.case temperature VGE≥15V，Tj≤175℃ Gate Charge Characteristics VGE=15V , IC=40A Capacitance Characteristic VGE =0V,f=1.0MHZ Switching Time vs. Rg(175℃) VGE=15V，VCE=600V，IC=40A Switching Time vs. IC(175℃) VCE=600V，VGE=15V，RG=10Ω，Tj=175C

R TT040U120EQ 版本：202308B 7/11 Switching Time vs.Tj VGE=15V，VCE=600V，IC=40A，Rg=12Ω Switching Loss vs. Tj VGE=15V，VCE=600V，IC=40A，Rg=12Ω Switching Loss vs. VCE(175℃) VGE=15V，IC=40A，Rg=12Ω Switching Loss vs. IC(175℃) VGE=15V，VCE=600V，Rg=12Ω Switching Loss vs. Rg(25℃) VGE=15V，VCE=600V，IC=40A Switching Loss vs. Rg(175℃) VGE=15V，VCE=600V，IC=40A

R TT040U120EQ 版本：202308B 8/11 Forward Bias SOA Tc=25° C， VGE=15V， Tj≤175℃ IRRM vs diF/dt trr vs diF/dt Qrr vs diF/dt Normalized Maximum Transient Thermal Impedance for IGBT(RJA)

R TT040U120EQ 版本：202308B 9/11 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance for IGBT(RJC) Normalized Maximum Transient Thermal Impedance for FRD(RJC)

R TT040U120EQ 版本：202308B 10/11 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-247 单位 Unit ：mm

R TT040U120EQ 版本：202308B 11/11 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请与公司核实。 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知。 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this. specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn