TT030K065EQ-GE-BR

TT030K065EQ JSMC | Alldatasheet

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R 版本：202207A 1/10 N 沟绝缘栅双极晶体管 N-CHANNEL IGBT TT030K065EQ 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 有卤-条管 Halogen-Tube 无卤-条管 Halogen-Free-Tube 有卤-编带 Halogen-Reel 无卤-编带 Halogen-Free-Reel TT030K065EQ-GE-B TT030K065EQ-GE-BR N/A N/A TT030K065EQ TO-247 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC 30 A VCES 650V VCESAT-TYP 1.7V 用途  PFC  UPS 电源

APPLICATIONS

 Power factor corrector (PFC)  UPS 产品特性  低栅极电荷  Trench FS 技术  RoHS 产品

FEATURES

 Low gate charge  Trench FS Technology  RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE

R TT030K065EQ 版本：202207A 2/10 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) *连续集电极电流由最高结温限制 *Collector current limited by maximum junction temperature 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 最高集电极－发射极直流电压 Collector-Emmiter Voltage VCES 650 V *连续集电极电流 Collector Current-continuous TC=25°C TC=100°C IC A 最大脉冲集电极极电流（注1） Collector Current – pulse（note 1） ICM 120 二极管正向测试电流 Diode RMS forward current TC=25°C TC=100°C IF 二极管正向脉冲电流 Diode pulse current IFSM 120 最高栅极发射极电压 Gate-Emmiter Voltage VGES ± 20 V Turn-off safe area 安全工作区 - 120 A 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25℃ 234 W 存储温度 Storage Temperature Range TSTG -55～+150 ℃ 结温 Junction Temperature Range TJ -55～+175 ℃ 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes TL 300 ℃ 注释： 1：脉冲宽度由最高结温限制 Notes: 1：Pulse width limited by maximum junction temperature

R TT030K065EQ 版本：202207A 3/10 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 关态特性 Off –Characteristics 集电极－发射极击穿电压 Collector-Emmiter Voltage BVCES IC=250μA, VGE=0V 650 - - V 零栅压下集电极漏电流 Zero Gate Voltage Collector Current ICES VCE=650V, VGE=0V, TC=25 ℃ - - 30 μA 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current,forward IGESF VCE=0V, VGE =20V - - 200 nA 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current,reverse IGESR VCE=0V, VGE = -20V - - -200 nA 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage VGE(th) VCE = VGE , IC=250μA 4.0 - 6.0 V 饱和压降 Collector-Emmiter saturation Voltage VCESAT VGE=15V IC=30A Tc=25℃ - 1.7 2.1 V VGE=15V IC=30A Tc=125℃ - 1.9 - V VGE=15V IC=30A Tc=175℃ - 2.1 - V 动态特性 Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance Cies VCE=25V, VGE=0V, f=1.0MHZ - 1760 - pF 输出电容 Output capacitance Coes - 139 - pF 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Cres - 42 - pF 栅极电荷总量Total Gate Charge Qg VCC=520V,Ic=30A,RG=10Ω,VGE=15 V TC=25℃ - 66 - nC 栅极-反射极Gate to emitter charge Qge - 18 - 栅极-集电极Gate to collector charge Qgc - 26 - 栅极电阻-Gate resistance Rg f=1 MHz, open collector - 1.1 - Ω 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最大MAX 单 位 Unit 结到管壳的热阻 Thermal Resistance Junction-Case IGBT Rth(j-c) 0.64 ℃/W 结到管壳的热阻 Thermal Resistance Junction-Case diode Rth(j-c) 1.35 ℃/W 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j-A) 40 ℃/W

R TT030K065EQ 版本：202207A 4/10 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性 Switching Characteristics 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 开启延迟时间Turn-On delay time td(on) VCC=400V,Ic=30A,RG=10Ω VGE=15 V TC=25℃ - 10 - ns 上升时间Turn-On rise time tr - 52 - ns 关断延迟时间Turn-Off delay time td(off) - 66 - ns 下降时间Turn-Off Fall time tf - 72 - ns 开通损耗Turn-On energy Eon - 0.51 - mJ 关断损耗 Turn-off energy Eoff - 0.59 - mJ 总开关损耗 Total switching energy Etot - 1.10 - mJ 开启延迟时间Turn-On delay time td(on) VCC=400V,Ic=30A,RG=10Ω VGE=15 V TC=175℃ - 12 - ns 上升时间Turn-On rise time tr - 50 - ns 关断延迟时间Turn-Off delay time td(off) - 78 - ns 下降时间Turn-Off Fall time tf - 146 - ns 开通损耗Turn-On energy Eon 0.53 mJ 关断损耗 Turn-off energy Eoff 0.89 mJ 总开关损耗 Total switching energy Etot 1.42 mJ 反并联二极管特性及最大额定值 Anti-Parallel Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向压降 Drain-Source Diode Forward Voltage VF VGE=0V, I F=20A - 1.5 1.8 V 反向恢复时间 Diode Reverse recovery time trr VGE=0V, VR=400V IF=20A dIF/dt=200A/μs TC=25℃ - 150 - ns 反向恢复电荷 Diode Reverse recovery charge Qrr - 546 - nC 反向恢复电流 Diode Reverse recovery Current IRRM - 5.8 - A 反向恢复时间 Diode Reverse recovery time trr VGE=0V, VR=400V IF=20A dIF/dt=200A/μs TC=175℃ - 239 - ns 反向恢复电荷 Diode Reverse recovery charge Qrr - 1716 - nC 反向恢复电流 Diode Reverse recovery Current IRRM - 12.5 - A

R TT030K065EQ 版本：202207A 5/10 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Output Characteristics（25℃） Output Characteristics（175℃） Transfer Characteristics Vce=20 V Vcesat vs. Tj Vge=15V、 Ic=15A、30A、60A Qg Vge=15V、 Ic=30A、Vce=520V VTH vs. Tj Ic=250uA

R TT030K065EQ 版本：202207A 6/10 Diode Characteristic Tj=25℃、175℃ Capacitance Characteristic VGE =0V、f=1.0MHZ Switching Time vs. IC(25℃) VCE=400V、VGE=15V、 RG=10Ω Switching Time vs. IC(175℃) VCE=400V、VGE=15V、RG=10Ω Switching Time vs. Rg(25℃) VGE=15V、VCE=400V、IC=30A Switching Time vs. Rg(175℃) VGE=15V、VCE=400V、IC=30A

R TT030K065EQ 版本：202207A 7/10 Switching Time vs.Tj VGE=15V、VCE=400V、IC=30A、Rg=10Ω Switching Loss vs. Tj VGE=15V、VCE=400V、IC=30A、Rg=10Ω Switching Loss vs. IC(25℃) VGE=15V、VCE=400V、Rg=10Ω Switching Loss vs. IC(175℃) VGE=15V、VCE=400V、Rg=10Ω Switching Loss vs. Rg(25℃) VGE=15V、VCE=400V、 IC=30A Switching Loss vs. Rg(175℃) VGE=15V、VCE=400V、IC=30A

R TT030K065EQ 版本：202207A 8/10 Switching Loss vs. VCE(25℃) VGE=15V、IC=30A、Rg=10Ω Switching Loss vs. VCE(175℃) VGE=15V、 IC=30A、Rg=10Ω Safe Operating Area For TO-247 Transient Thermal Impedance for TO-247 Colletcor current vs.case temperature VGE≥15V、Tj≤175℃

R TT030K065EQ 版本：202207A 9/10 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-247 符号 SYMBOL mm MIN TYP MAX A 4.90 5.00 5.10 B 2.95 3.10 3.35 B1 1.95 2.10 2.35 b 1.15 1.20 1.35 c 0.50 0.60 0.70 D 20.90 21.00 21.10 E 15.70 15.80 15.90 e 5.34 5.44 5.54 F 1.90 2.00 2.10 L 19.40 19.90 20.40 L2 4.03 4.13 4.23 Q 6.00 6.20 6.40 Q1 2.30 2.40 2.50 P 3.50 3.60 3.70 E1 13.82 14.02 14.22 E2 16.35 16.55 16.75 单位 Unit：mm

R TT030K065EQ 版本：202207A 10/10 注意事项 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请与公司核实。 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知。 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this. specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn