TT010N120EI

TT010N120EI JSMC | Alldatasheet

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R 版本：202402B 1/10 N 沟绝缘栅双极晶体管 N-CHANNEL IGBT TT010N120EI 印记定义 Mark definition 检验代码说明：Y(年代码，执行内部定义)+WW（周代码） 产品型号说明：产品类型+工艺平台+电流+频率+电压+工艺版本+特殊特性。 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 无卤-条管 Halogen-Free-Tube TT010N120EI-GE-BR TT010N120EI TO-247 TT010N120EI-F-BR TT010N120EI TO-220MF 封装 Package TO-247 TO-220MF 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC 10 A VCES 1200V Vcesat-typ（Vge=15V） 1.6V 用途  逆变器

APPLICATIONS

 General purpose inverters 产品特性  低栅极电荷  Trench FS 技术  RoHS 产品

FEATURES

 Low gate charge  Trench FS Technology  RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE

R TT010N120EI 版本：202402B 2/10 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) *连续集电极电流由最高结温限制 *Collector current limited by maximum junction temperature 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 最高集电极－发射极直流电压 Collector-Emitter Voltage Vce 1200 V *连续集电极电流 Collector Current-continuous IC T=25℃ 20 A IC T=100℃ 10 A 最大脉冲集电极极电流（注1） Collector Current – pulse (note 1) ICM 20 A 栅极发射极电压 Gate-Emitter Voltage VGE ± 20 V 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25℃ 176(TO-247) W 结温 Junction Temperature Range Tvj -40～+175 ℃ 存储温度 Storage Temperature Range TSTG -55～+150 ℃ 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes TL 260 ℃ 注释： 1：脉冲宽度由最高结温限制 Notes: 1：Pulse width limited by maximum junction temperature

R TT010N120EI 版本：202402B 3/10 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 关态特性 Off –Characteristics 集电极－发射极击穿电压 Collector-Emitter Voltage BVCES IC=250μA, VGE=0V 1200 - - V 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient ΔBVCES/ΔTJ IC=0.5mA, referenced to 25℃ - 0.6 - V/℃ 零栅压下集电极漏电流 Zero Gate Voltage Collector Current ICES VCE=1200V, VGE=0V, TC=25℃ - - 0.2 mA VCE=1200V, VGE=0V, TC=175℃ - 2 - mA 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward IGESF VCE=0V, V GE =20V - - 200 nA 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse IGESR VCE=0V, V GE =-20V - - -200 nA 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage VGE(th) VCE = VGE , IC=250μA 4.5 5.5 6.5 V 饱和压降 Collector-Emitter saturation Voltage VCESAT VGE=15V I C=10A Tc=25℃ - 1.6 2.1 V VGE=15V I C=10A Tc=175℃ - 1.9 - V 动态特性 Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance Cies VCE=25V, VGE=0V, f=1.0MHZ - 900 - pF 输出电容 Output capacitance Coes - 60 - pF 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Cres - 30 - pF 栅极电荷总量Total Gate Charge Qg VCC=960V,Ic=10A, VGE=15 V TC=25℃ - 80 - nC 栅极-反射极Gate to emitter charge Qge - 6 - 栅极-集电极Gate to collector charge Qgc - 60 - 栅极电阻-Gate resistance Rg f=1 MHz, open collector - 2 - Ω 短路电流-short current Isc VGE=15V VCE=600V tsc﹤10μs - 41.3 - A

R TT010N120EI 版本：202402B 4/10 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性Switching Characteristics 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 开启延迟时间Turn-on delay time td(on) VCC=600V,Ic=10A,RG=10Ω VGE=15 V, TC=25℃ - 17.5 - ns 上升时间Turn-on rise time tr - 18.7 - ns 关断延迟时间Turn-off delay time td(off) - 109 - ns 下降时间Turn-off Fall time tf - 340 - ns 开通损耗Turn-on energy Eon - 0.24 - mJ 关断损耗 Turn-off energy Eoff - 0.93 - mJ 总开关损耗 Total switching energy Etot - 1.17 - mJ 开启延迟时间Turn-on delay time td(on) VCC=600V,Ic=10A,RG=10Ω VGE=15 V,TC=175℃ - 17 - ns 上升时间Turn-on rise time tr - 22 - ns 关断延迟时间Turn-off delay time td(off) - 131 - ns 下降时间Turn-off Fall time tf - 537 - ns 开通损耗Turn-on energy Eon - 0.46 - mJ 关断损耗 Turn-off energy Eoff - 1.38 - mJ 总开关损耗 Total switching energy Etot - 1.84 - mJ 项 目 Parameter 符 号 Symbol 最大值MAX 单 位 Unit TO-247 TO-220MF 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case Rth(j-c)IGBT 0.85 3.6 ℃/W 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j-A) 40 62.5 ℃/W

R TT010N120EI 版本：202402B 5/10 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Output Characteristics（25℃） Transfer Characteristics VTH vs. Tj Vcesat vs. Tj Forward Bias SOA Tc=25°C, VGE=15V, Tj≤175℃ Colletcor current vs.case temperature VGE≥15V，Tj≤175℃

R TT010N120EI 版本：202402B 6/10 Gate Charge Characteristics VGE=15V, IC=10A Capacitance Characteristic Vce=25V,VGE =0V,f=1.0MHZ Switching Time vs. IC(25℃) VCE=600V,VGE=15V, RG=10Ω Switching Time vs. IC(175℃) VCE=600V,VGE=15V, RG=10Ω Switching Loss vs. IC(25℃) VGE=15V,VCE=600V,Rg=10Ω Switching Loss vs. IC(175℃) VGE=15V,VCE=600V,Rg=10Ω

R TT010N120EI 版本：202402B 7/10 Switching Loss vs. VCE(25℃) Switching Loss vs. VCE(175℃) Normalized Maximum Transient Thermal Impedance for IGBT(RJC)-TO-247 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance for IGBT(RJC)-TO-220MF

R TT010N120EI 版本：202402B 8/10 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-247 单位 Unit ：mm

R TT010N120EI 版本：202402B 9/10 外形尺寸PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220MF 单位 UNIT:mm

R TT010N120EI 版本：202402B 10/10 注意事项 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请与公司核实。 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知。 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this. specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn