T0810NUP JSMC | Alldatasheet
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R 版本：201506A 双向晶闸管 TRIACS T0810NUP 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IT(RMS) 8A VDRM 800V IGT 15mA 用途 APPLICATIONS z 交流开关 z AC switching z 相位控制 z Phase control 产品特性 FEATURES z 平面工艺芯片， 高 可靠性和一致性 z The planar process chip for reliability and uniform z 三象限可控硅， 触 发电流的一致性 好 z Uniform gate trigger currents in three quadrants z 环保 RoHS 产品 z RoHS products 封装 Package 序号 Pin 引线名称
Description
1 主电极 1 MT1 2 主电极 2 MT2 3 门极 G 订货信息 ORDER MESSAGES 订 货 型 号 Order code 印 记 Marking 封 装 Package 包 装 Packaging T0810NUP-O-U-N-A T0810NFP D-PAK 编带 Tape DPAK
版本：201506A 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (TC=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 试 验 条 件 Condition 数 值 Value 单位 Unit 重复峰值断态电压 Repetitive peak off-state voltage VDRM ±800 V 通态方均根电流On-state RMS current IT(RMS) full sine wave 8 A full sine wave ,t=20ms 80 A 非重复浪涌峰值通态电流 Non- repetitive surge peak on-state current ITSM full sine wave ,t=16.7ms 84 A I2t t=10ms 36 A2s 通态电流临界上升率Repetitive rate of rise of on-state current after triggering dI/dt ITM=12A, IG=0.2A, dIG/dt=0.2A/μs
50 A/μs
峰值门极电流 Peak gate current IGM 4 A 峰值门极电压 Peak gate voltage VGM 5 V 峰值门极功率 Peak gate power PGM 5 W 平均门极功率 Average gate power PG(AV) over any 20ms period 1 W 存储温度 Storage temperature Tstg -40~150 ℃ 操作结温Operation junction temperature TVJ -40~150 ℃
版本：201506A 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (T C=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测 试 条 件 Condition 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit 峰值重复断态电流 Peak Repetitive Blocking Current IDRM VDM=VDRM, Tj=150℃, gate open - - 1.0 mA 峰值通态电压 Peak on-state voltage VTM ITM=11.3A -- 1.3 1.55 V MT1(-),MT2(+),G(+) 5 - 15 mA MT1(-),MT2(+),G(-) 5 - 15 mA 门极触发电流 Gate trigger current IGT VDM=12V, RL=100Ω MT1(+),MT2(-),G(-) 9 - 15 mA 门极触发电压 Gate trigger voltage VGT VDM=12V, RL=100Ω 维持电流 Holding current IH VDM=12V, IGT=0.1A - - 20 mA MT1(-),MT2(+),G(+) - - 30 mA MT1(-),MT2(+),G(-) - - 30 mA 擎住电流 Latching current IL VDM=12V, IGT=0.1A MT1(+),MT2(-),G(-) - - 30 mA 断态临界电压上升率 Rise of off- state voltage dV/dt VDM=67% VDRM(MAX), Tj=150℃, gate open 500 - - V/μs 门极开通时间 Gate controlled turn-on time tgt ITM=6A, VDM=VDRM(MAX), IG=0.1A, dIG/dt=5A/μS - 2 - μs 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 条 件 Condition 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit 结到安装面的热阻 Thermal resistance junction to mounting base Rth(j-mb) full cycle(TO-220HF) 2.0 ℃/W
版本：201506A 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) P tot- IT ( R M S ) I T(RMS) - Tm b 通态峰值耗散功率 Ptot(W) I 通态方均根电流 T（RMS）(A) 通态方均根电流IT（RMS）（A） 基座温度Tmb(℃) I TS - t p M I T(RMS) s - t 通态浪涌电流ITSM I (A) (A) 通态方均根电流 T（RMS） 脉冲宽度 tp(ms) 冲击持续时间 ts(s) I (Tj)/I (25℃) - T j GT GT VT - IT M 比值IGT( j)/I T ℃) GT(25 (A) 电流IT 结温 Tj(℃) 通态压降VTM(V)
版本：201506A 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA 单位 Unit ：mm D - P A K
版本：201506A 注意事项 NOTE 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最 4. 本说明书如有版本变更不另外告知 ino-microelectronics co., Ltd sales its 2. rs check 3. ute circuit 4. icroelectronics co., Ltd reserves 分为直销和销售代理，无论哪种方式， 订货时请与公司核实。 公司本部联系。 大额定值，否则会影响整机的可靠性。 1. Jilin S product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering, please check with our company. We strongly recommend custome carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. Please do not exceed the absol maximum ratings of the device when designing. Jilin Sino-m the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 份有限公司 ACT ACTORY） ., LTD. （芯片厂商） 吉林华微电子股 CONT （MANNUFACTURE F JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. 邮编：132013 ost CoP de: 132013 总机：86-432-64678411 1 Tel： 86-432-6467841 传真：86-432-64665812 Fax： 86-432-64665812 销售业务部 MARKET DEPARTMENT 地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 treet, Jilin City, ADD: No.99 Shenzhen S Jilin Province, China. 邮编：132013 Post Code: 132013 电话：86-432-64675588 88 64675688 64678411 Tel: 86-432-646755 64675688 64678411 传真：86-432- Fax: 86-43264671533 -64671533 附 记录（Revision 修订内容 Description of Changes 录（Appendix）：修订 History） 日期 Date 旧版本 Last Rev. 新版本 New Rev.