STL2545N JSMC | Alldatasheet

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R 版本(Rev.)：202307A 1/6 沟槽肖特基势垒二极管 TRENCH SCHOTTKY BARRIER DIODE STL2545N 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 有卤-条管 Halogen-Tu be 有卤-条管 Halogen Free -Tube 有卤-编带 Halogen-Br aid 无卤-编带 Halogen Free-Braid 有卤-散装 Halogen-Bul k N/A N/A STL2545N- DR-A N/A STL2545N- DR-F STL2545N R-6-E1 N/A N/A STL2545N- DE-A N/A STL2545N- DE-F STL2545N R-6-S1 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IF(AV) 25A VRRM 45 V TJmax 200 ℃ IFSM 400 A VF(max)@20A 0.46V （@Tj=125℃） 产品特性  低功耗，高效率  良好的高温特性  高可靠性  环保（RoHS）产品

FEATURES

 Low power loss, high efficiency  High Operating Junction Temperature  High reliability  RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 封装 Package R-6-E1 /R-6-S1

APPLICATIONS

 Low voltage, high frequency rectifier  Freewheeling circuit and protection circuit of low voltage  solar cell junction box as a bypass diode 用途  低压、高频整流  低压续流电路和 保护电路  太阳能电池接线盒 旁路二极管

R 版本(Rev.)：202307A 2/6 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 最大反向重复峰值电压 Repetitive peak reverse voltage VRRM 45 V 最大直流阻断电压 Maximum DC blocking voltage VDC 45 V 正向平均整流电流 Average Rectified Forward Current IF(AV) 25 A 正向峰值浪涌电流 Surge non repetitive forward current （额定负载8.3ms 半正弦波） 8.3 ms single half-sine-wave IFSM 400 A 正向最高工作结温 Forward operating junction temperature Tj -55~200 ℃ 工作结温和储存温度范围 Storage temperature range TSTG -55~+150 ℃ 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 热特性 THERMAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 典型值 Tyical 单 位 Unit 结到管壳的热阻 Thermal resistance from junction to case R-6-E1 R-6-S1 Rth(j-c) 2.5 ℃/W 项 目 Parameter 测试条件 Tests conditions 典型值 Value(typ) 最大值 Value(max) 单位 Unit IR Tj =25℃ VR=VRRM 25 500 uA Tj =125℃ VR=VRRM 10 50 mA VF Tj =25℃ IF=20A 0.46 0.50 V Tj =25℃ IF=25A 0.48 0.53 Tj =125℃ IF=20A 0.37 0.46

R 版本(Rev.)：202307A 3/6 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) IF vs VF IR vs VR

R 版本(Rev.)：202307A 4/6 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE 外形尺寸PACKAGE MECHANICAL DATA R-6-E1 单位 Unit ：mm

R 版本(Rev.)：202307A 5/6 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE 外形尺寸PACKAGE MECHANICAL DATA R-6-S1 单位 Unit ：mm

R 版本(Rev.)：202307A 6/6 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE 注意事项 1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时请 与公司核实。 2. 购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司本部联系。 3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值，否则会影响整机的可靠性。 4. 本说明书如有版本变更不另外告知。 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this. specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn