SSA500AA SANREX | Alldatasheet
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Technical content
ʶ ʶ NBY EFQUIᶱ ʶ П ʶ . EFQUIᶱ /".&1-"5& ʶ NBY 5D10*/5ʢEFQUINNʣ ■Maximum Ratings 最大定格 （Unless otherwise Tj=25℃ / 指定なき場合は T j = 2 5 ℃ とする） Symbol 記号 Item 項 目 Ratings 定格値 Unit 単位SSA500AA80 SSA500AA160 V RRM Repetitive Peak Reverse V oltage 定格ピーク繰返し逆電圧 800 1600 V V RSM Non-Repetitive Peak Reverse V oltage 定格ピーク非繰返し逆電圧 960 1700 V V DRM Repetitive Peak of f-state V oltage 定格ピーク繰返しオフ電圧 800 1600 V ■Electrical Characteristics 電気的特性 （Unless otherwise Tj=25℃ / 指定なき場合は T j = 2 5 ℃ とする） Symbol 記号 Item 項 目 Conditions 条 件 Ratings 定格値 Unit 単位 I DRM Repetitive Peak of f-state Curr ent,max 最大オフ電流 at V DRM ，Single phase，half wave，Tj＝125℃ 定格ピーク繰返しオフ電圧に於て, 単相半波 T j = 1 2 5 ℃ 150 mA I RRM Repetitive Peak Reverse Curr ent,max 最大逆電流 at V RRM ，Single phase，half wave，Tj＝125℃ 定格ピーク繰返し逆電圧に於て, 単相半波 T j = 1 2 5 ℃ 150 mA V TM On-state V oltage,max 最大オン電圧 On-State Curr ent 1500A，Inst. measur ement オン電流波高値1 5 0 0 A , 瞬時測定 1.45 V I GT Gate T rigger Curr e nt,max 最大ゲートトリガ電流 I T ＝1A，V D ＝6V 200 mA V GT Gate T rigger V oltage,max 最大ゲートトリガ電圧 I T ＝1A，V D ＝6V 3 V V GD Gate Non-T rigger V oltage,min 最小ゲート非トリガ電圧 Tj＝125℃，V D ＝½V DRM 0.25 V dv/dt Critical Rate of Rise of of f-state V oltage,min 最小臨界オフ電圧上昇率 Tj＝125℃，V D ＝⅔V DRM ，E x p o n e n t i a l w a v e 指数関数波形 500 V/μ s R th Thermal Impedance,max 最大熱抵抗 junction to case 接合部ーケース間 0.085 ℃/W Symbol 記号 Item 項 目 Conditions 条 件 Ratings 定格値 Unit 単位 I T（A V） A verage On-state Curr ent 定格平均オン電流 Single phase，hulf wave，180°condution，T c=66℃ 単相半波平均値, 1 8 0 °導通角, ケース温度6 6 ℃ 500 A I T（RMS） R.M.S. On-state Curr ent 定格実効オン電流 Single phase，hulf wave，180°condution，T c=66℃ 単相半波実効値, 1 8 0 °導通角, ケース温度6 6 ℃ 785 A I TSM Sur ge On-state Curr ent 定格サージオン電流 ½cycle，50/60Hz，Peak value，non-r epetitive 5 0 / 6 0 H z ½サイクル正弦波，波高値，非繰返し 9100/10000 A I 2 t I 2 t 電流二乗時間積 V alue for One cycle sur ge curr ent 1 サイクルサージオン電流に対する値 416000 A 2 s P GM Peak Gate Power Dissipation 定格ピークゲート損失 15 W P G （A V） A verage Gate Power Dissipation 定格平均ゲート損失 5 W I FGM Peak Gate Curr ent 定格ピークゲート順電流 5 A V FGM Peak Gate V oltage （Forwar d） 定格ピークゲート順電圧 10 V V RGM Peak Gate V oltage （Reverse） 定格ピークゲート逆電圧 5 V di/dt Critical Rate of Rise of On-state Curr ent 定格臨界オン電流上昇率 I G ＝200mA， V D ＝½V DRM ，di G /dt＝0.2A/μs 200 A /μs T j Operating Junction T emperatur e 定格接合部温度 －40～＋125 ℃ V stg Storage T emperatur e 保存温度 －40～＋125 ℃ Mounting tor que 締付トルク Mounting（M5） 取付 R e c o m m e n d e d V a l u e N･m （kgf･cm）T erminal（M8） 端子 R e c o m m e n d e d V a l u e T erminal（M4） 端子 R e c o m m e n d e d V a l u e Mass 質量 1100 g ʢ,ʣ ʢ,ʣ ʢ(ʣ ʢ"ʣ SSA500AA 《Featur e & Advantages》 《特長》 wIsolated mounting base w It(A V) 500A w di/dt 200A/s w dv/dt 500V/T 㴹㴏㴼㱟㵂 㴁㵊ిྲྀ 500A 《Applications》 《用途》 wV arious rectifiers wAC/DC motor drives w Heater controls w Light dimmers w Static switches छྲྀճ࿏ w AC.DC.ޚ ޚ 㴐㳻㴚㴘 Unit 単位：mm （SSA500AA-S75-1303）
̍̌̌ ̌ɽ̍ 1FBL'PSXBSE(BUF7PMUBHɹ7'(.ʢ7ʣ ϐʔΫήʔτॱిѹ .BYJNVN(BUF/PO5SJHHFS7PMUBHFɹ7(%ʢ7ʣ খήʔτඇτϦΨిѹɹ7(%ʢ7ʣ ˆ ʵˆ ˆ (BUF$IBSBDUFSJTUJDT ήʔττϦΨಛੑ (BUF$VSSFOUɹ*(ʢN"ʣ ήʔτిྲྀɹ*(ʢN"ʣ (BUF$VSSFOUɹ*'(.ʢ"ʣ ήʔτॱిྲྀ 1FBL(BUF1PXFSɹ1(.ʢ8ʣ WFSBHF(BUF1PXFSɹ1(ʢ"7ʣʢ8ʣ BUF7PMUBHFɹ7(ʢ7ʣή ồ τ ѹ ʢ7ʣ 0O4UBUF$IBSBDUFSJTUJDT େΦϯঢ়ଶಛੑ 0OTUBUF7PMUBHFɹ75ʢ7ʣ Φϯిѹʢ7ʣ ̍̌̌̌ ̍̌̌ ̎̑ˆ .BYJNVN 0OTUBUF$VSSFOUʢ1FBLʣ*5ʢ"ʣ Φ ϯ ớ ߴ Ờ ʢ"ʣ 1FSPOFFMFNFOU ୯ҐΤϨϝϯτΓ ̒̌)[ ̑̌)[̩̹ ̎̑ˆTUBSU 5JNFTʢDZDMFTʣ ʢαΠΫϧʣ 4VSHF0O4UBUF$VSSFOU3BUJOHʪ/PO3FQFUJUJWFʫ ฦ͠ʫ 4VSHF0OTUBUF$VSSFOUʢ1FBLʣ*54.ʢ"ʣ α ồ δ Φ ϯ ߴ Ờ *'4. ʢ"ʣ QFSPOF.PEVMF ୯ҐΤϨϝϯτͨΓ 5JNF ɹUʢTFDʣ 5SBOTJFOU5IFSNBM*NQFEBODF աΠϯϐʔμϯεಛੑ +VODUJPOUP$BTF 5SBOTJFOU5IFSNBM*NQFEBODFɹВKDʢˆ8ʣ ա ɹ ВKD ʢˆ8ʣ В К ̎К "WFSBHF0O4UBUF$VSSFOUWT1PXFS%JTTJQBUJPOʪ4JOHMF1IBTF)BMG8BWFʫ ಛੑʪ୯૬ʫ "WFSBHF0O4UBUF$VSSFOUɹITʢ"7ʣʢ"ʣ ΦϯిྲྀɹITʢ"7ʣʢ"ʣ ̒̌̌ ̎̌̌ ̍̎̌̌ ̔̌̌ ̍̌̌̌ ̒̌ʄ ̌̕ʄ В ̍̔̌ʄ 1FSPOFFMFNFOU ୯ҐΤϨϝϯτͨΓ Вɿ$POEVDUJPO"OHMF ʄ ʄ ɹ ʢ8ʣ ଛ 1 1PXFS%JTTJQBUJPOMPTTʢ8ʣ "WFSBHF0O4UBUF$VSSFOUWT.BYJNVN"MMPXBCMF$BTF5FNQFSBUVSFʪ4JOHMF1IBTF)BMG8BWFʫ ༰έʔεԹʪ୯૬ʫ "WFSBHF0OTUBUF$VSSFOUɹ*5ʢ"7ʣʢ"ʣ ̍̏̌ ̍̎̌ ̍̍̌ ̍̌̌ 1FSPOFFMFNFOU ୯ҐΤϨϝϯτͨΓ В К ̎К Вɿ$POEVDUJPO"OHMF ʄ ʄ В ̍̔̌ʄ ڐ έ ồ ε Թ ʢˆʣ