SM7095-12 LINKAGE | Alldatasheet
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SM7095-12 AC/DC PWM 功率开关 QWOWISV1.2 -1- SM7095-12 特点 支持 BUCK 或 BUCK-BOOST 采用 700V 单芯片集成工艺 85Vac~265Vac 宽电压输入 待机功耗小于120mW@220Vac 集成高压启动电路 集成高压功率开关 内置抖频技术，提升EMC 性能 电流模式PWM 控制方式 内置过温、过流、过压、欠压等 保护功能 内置软启动 内置智能软驱动技术 （提高EMC 性能） 封装形式： DIP8 应用领域 电磁炉、电饭煲、电压力锅等小 家电产品电源 12V 输出供电电源 概述 SM7095-12 是采用电流模式 PWM 控制方式的功率开关芯片，集成 高压启动电路和高压功率管，为低成本开关电源系统提供高性价比的 解决方案。 芯片应用于BUCK 或BUCK-BOOST 系统方案，支持12V 输出电压， 很方便的应用于小家电产品领域，并提供过温、过流、过压、欠压等 完善的保护功能，保证了系统的可靠性。 管脚图 COMP HVDD DRAIN GND GND SM7095-12 DRAIN DRAIN DRAIN DIP8 输出功率表 输入电压 最大电流 85Vac~265Vac 500mA 180Vac~265Vac 600mA 典型示意电路图 +12V GND AC COMP HVDD DRAIN GNDDRAIN DRAIN DRAIN SM7095-12 GND 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn
SM7095-12 AC/DC PWM 功率开关 QWOWISV1.2 -2- 管脚说明 名称 管脚序列 管脚说明 GND 1,2 芯片地 COMP 芯片补偿脚 HVDD 芯片电源端 DRAIN 5,6,7,8 内置高压 MOS 管的 DRAIN ，同时芯片启动时，也做芯片的启动脚 订购信息 订购型号 封装形式 包装方式 卷盘尺寸 管装 编带 SM7095 DIP8 20000 只 箱 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn
SM7095-12 AC/DC PWM 功率开关 QWOWISV1.2 -3- 极限参数 极限参数(TA= 25℃) 符号 说明 范围 单位 V DS(max) 芯片 DRAIN 脚最高耐压 0.3~7 V V DS(ST) 芯片启动 DRAIN 脚最高耐压 0.3~ V HVDD 芯片电源电压 0.3 V COMP 芯片补偿脚 0.3 7.0 V I HVDD 嵌位电流 mA T J 结温 125 T STG 存储温度 150 V ESD HBM 人体放电模式 K V 热阻参数 符号 说明 范围 单位 R thJA 热阻 (1) 65 ℃ 注（1）：芯片要焊接在有 200mm2 铜箔散热的 PCB 板，铜箔厚度 35um，铜箔连接到所有的 GND 脚。 电气工作参数 (除非特殊说明，下列条件均为 TA=25℃) 符号 说明 条件 范围 单位 最小 典型 最大 BV DS 漏源击穿电压 - 7 V I DSS DRAIN 端关断态漏电流 0.1 mA HVDD ON HVDD 开启电压 11.5 V HVDD OFF HVDD 关闭电压 V HVDD HYS HVDD 迟滞阈值电压 3.5 V I DD2 HVDD 工作电流 0.5 mA HVDDsense HVDD 采样电压 V I DDCH 芯片充 电电流 V DS =100V; HVDD=5V 500 uA F OSC 芯片振荡频率 KHz Fosc 抖频范围 T OVT 过温保护温度 150 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn
SM7095-12 AC/DC PWM 功率开关 QWOWISV1.2 -4- 功能表述 +12V GND AC RV1 COMP HVDD DRAIN GNDDRAIN DRAIN DRAIN SM7095-12 GND D1-D4 电路图说明 上图为典型的BUCK-BOOST 电路，其中C1、C2、L1 组成π 型滤波，有益于改善EMI 特性，R1 电阻为浪涌 抑制元件，D1-D4 为整流二极管，构成全桥整流电路。 输出部分L2 为储能电感，D5 为HVDD 供电二极管，D6 为续流二极管，在芯片关断期间提供输出电流通路： HVDD6D_F5D_FHVDDOUT VVVVV HVDD 电压 当开关电源启动后，C2 电容上的电压会通过芯片内部的高压启动 MOS 管向芯片 HVDD 电容 C3 充电，当 C3 电容电压达到11.5V，内部高压启动MOS 管关闭，同时PWM 开启，系统开始工作。 当 C3 电容电压下降到9V 以下，关闭 PWM 信号，同时芯片将会产生复位信号，使系统重新启动。这就是 欠压保护。 VDD t t VOUT VDDON VDDOFF 欠压保护 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn
SM7095-12 AC/DC PWM 功率开关 QWOWISV1.2 -5- 控制部分 DRAIN GND 0.23V PWM control HVDD-12V ID IS IFB Ifb 采样电流 检测电路 通过高压MOS 的电流ID 分成两个部分， 其中一部分为IS， 这部分电流为芯片采样电流。IS 与ID 成比例关系： SIDD I•G=I 通过上图可知： VRII FBS 23.02)( ，由此可以得到： FBS I-2R V230=I . 以上公式合并，可得到： ).( FBIDD I-2R V230•G=I 从上式可以看出，IFB 电流大，ID 的电流就小；IFB 电流小，ID 的电流就大。当IFB 的电流大于(0.23V / R2) 时，芯片会关闭PWM，同时芯片会自动进入突发模式。 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn
SM7095-12 AC/DC PWM 功率开关 QWOWISV1.2 -6- PCB layout 注意事项 DIP8 封装芯片 简要说明： DIP8 在 IC 的 DRAIN 脚与 GND 及 VDD 之间开槽，以便进一步增加安规距离。 初级环路与次级环路的走线距离尽量粗而短，以便更容易通过 EMC 测试。 高压信号与低压信号分开走线，避免高压信号对低压反馈信号产生干扰。 IC 的 1、2 脚 GND 需要铺铜处理，铺铜面积建议大于 8*8mm，以降低芯片的温度。 开槽 铺铜 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn
SM7095-12 AC/DC PWM 功率开关 QWOWISV1.2 -7- 典型应用方案 原理图： +12V GND AC RV1 COMP HVDD DRAIN GNDDRAIN DRAIN DRAIN SM7095-12 GND D1-D4 BOM 清单： 位号 参数 位号 参数 IN4007 RV1 10D471 FR1 R1 10R/2W ES2J R2 10R/0.25W 4.7uF/400V L1 EE10(4+4) 立式 4.7uF/50V L2 1mH 470uF/25V U1 SM7095 33nF/16V - - 变压器参数： 制作说明： 1. 骨架EE10(4+4) 立式PC40磁芯 2. 电感量Lp(7 2)=0.25mH，漏感为Lp的5%以下 变压器绕制方法 进线 5 4 底视图 7 2 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn
SM7095-12 AC/DC PWM 功率开关 QWOWISV1.2 -8- 封装形式 DIP8 Symbol Min(mm) Max(mm) A 4.8 0.5 3.0 3.7 B 0.3 0.6 1.524(BSC) C 0.2 0.4 D 9.1 9.5 E 6.15 6.45 7.2 8.4 e 2.54(BSC) L 2.8 4.0 8.8(BSC) 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn