PN8024R LINKAGE | Alldatasheet
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非隔离高效率交直流转换芯片 概述 PN8024R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了 完整的智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，欠压保护，过温保护；降频调制技术有助于改善EMI特性。该芯片还内置 高压启动模块，保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。 应用领域 ■ 非隔离辅助电源 封装/订购信息 订购代码 封装 特征 ■ 优化适用于12V输出非隔离应用 ■ 满足85~265V宽AC输入电压 ■ 改善EMI的降频调制技术 ■ 内置高压启动电路 半封闭式稳态输出功率 >3W @230VAC ■ 优异的负载调整率和工作效率 ■ 全面的保护功能 过流保护（OCP） 过温保护（OTP） 过压保护（OVP） PN8024RSSC-R1 SOP7 典型应用 www.linkage.cn
管脚定义 表 1.管脚定义 管脚标号 管脚名 管脚功能描述 1、2 GND 地
3 COMP 反馈控制脚
4 VDD 芯片电源脚
5 NC 空脚(可与SW脚相连)
6、7 SW 高压MOSFET漏极 典型功率 表 2. 典型功率 产品型号 输入电压 稳态功率 (1) 峰值功率 (2) 150-265 V AC 3W(12V250mA) 4.2W(12V350mA) PN8024R SOP-7 85-265 V AC 2.4W(12V200mA) 3.6W(12V300mA) 备注： 1. 稳态功率在半封闭式75°C 环境下测试，持续时间大于2 小时。 2. 峰值功率在半封闭式75°C 环境下测试，持续时间大于1min。 极限工作范围 人体模式 ESD 能力（ ESDA/JEDEC JDS-001-2014 ） 漏极脉冲电流（T pulse www.linkage.cn
电气特性 （如无其它说明 T J =25°C, V DD = 15 V） 表 3. 功率部分 表 4. 电源部分 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 电压参数 V SW_START 启动电压 105 V I DD_CH 启动管充电电流 V SW = 105V, V COMP = 0V, V DD = 11.8 V -1.2 mA V DD 工作电压范围 After turn-on 9 24 V V DDclamp VDD 箝位电压 28 30 32 V V DD ovp VDD 过压 24 29 V V DDon VDD 启动电压 11.5 12.5 13.5 V V DDoff VDD欠压保护关断阈值 7.5 8 8.5 V V DD(RESTART) VDD重启动电压阈值 5 6.5 V V DD-REF VDD反馈基准电压 12.3 V 电流参数 I DD 开关状态下工作电流 2 mA I DD_FAULT 保护状态下工作电流 After V DD ovp 100 550 uA I DD_OFF VDD < VDD_OFF时工作电 流 V DD = 6 V 100 450 uA 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 B VDSS 功率管耐压 I SW =1mA, V COMP = GND 650 690 V I OFF 关态漏电流 V SW =600 V, V COMP = GND 100 uA R DS(on) 导通电阻 I SW = 1A, V COMP = 3V 8.0 Ω www.linkage.cn
表5. 控制部分 （如无其它说明T J = 25°C, V DD = 15 V） 符号 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 限流参数 I dlimit 限流值 0.39 0.49 0.59 A T ON_MIN 最小导通时间 500 ns t d 延迟时间 100 ns t LEB 前沿消隐时间 400 ns 振荡参数 F OSC_MAX 最高开关频率 V COMP = 3V 60 kHz FD 频率抖动范围 ±8 % FM 调制频率 250 Hz D MAX 最大占空比 55 74 % 误差放大器参数 Gain DC增益 65 dB I _COMP1 V DD =15V，V COMP = 2.5V 10 20 uA I _COMP2 V DD =10V，V COMP = 2.5V -20 -10 uA I _COMP3 V DD =15V，V COMP = 0.5V 5 20 uA 过温保护参数 T SD 过温保护点 140 160 °C T HYST 过温保护滞回 30 °C 典型电路 N L PN8024R SW SW NC VDD COMP GND GND GND FR1 1mH 4.7uF/400 V EC 1N4007 D 333 4.7uF/25V EC3 1.6mH EE10 US1J D 470uF/25V EC4 1N4007 CX1 0.1uF 5V50mA 220uF/10V EC5 78L05 Vin Vou tGND MOV1 10D471 68R 4.7K 4.7uF/400 V EC 68R www.linkage.cn
功能描述 启动 在启动阶段，内部高压启动管提供1.2mA电流对外部VDD电容进行充电。当VDD电压达到12.5V，芯片开始 工作；高压启动管停止对VDD电容充电。启动过程结束后，变压器辅助绕组对VDD电容提供能量。 输出驱动 PN8024R采用特有的驱动技术。驱动能力太弱会使得较高的开关损耗，驱动太强则容易出现EMI问题。 PN8024R采用优化的图腾柱结构，通过合理的输出驱动能力以及死区时间，得到较好的EMI特性和较低的损耗。 3. 振荡器 PN8024R的最大振荡频率为60 kHz，无需外围电路进行设置。它含有特有的频率抖动技术，可以改善EMI特 4. 内置误差放大器及反馈控制 PN8024R片内误差放大器可实现输出电压调制。通过内部电阻分压器，利用误差放大器检测VDD电位可实现 输出电压调制。 5. PFM工作模式 PN8024R工作在PFM模式以减小轻载功耗。当负载减轻，频率降低，较低的开关频率有利于降低开关损耗。 6. 输出恒压调制 PN8024R提供负载补偿功能，可实现良好的负载调制。 7. 过温保护 功率MOSFET和控制芯片集成在一起，使得控制电路更易于检测MOSFET的温度。当温度超过160℃，芯片进 入过温保护状态。 www.linkage.cn
封装尺寸 （SOP7） 表 6 SOP7 封装尺寸 尺寸 符号 最小(mm) 正常(mm) 最大(mm) 尺寸 符号 最小(mm) 正常(mm) 最大(mm) A1 0.10 0.15 0.25 L1 1.04REF A2 1.25 1.40 1.65 L2 0.25BSC A3 0.50 0.60 0.70 R 0.07 — — b 0.38 — 0.51 R1 0.07 — — c1 0.17 0.20 0.23 θ1 15° 17° 19° D 4.80 4.90 5.00 θ2 11° 13° 15° E 5.80 6.00 6.20 θ3 15° 17° 19° E1 3.80 3.90 4.00 θ4 11° 13° 15° e 1.270（BSC） 图 1. 外形示意图 表层丝印 封装 PN8024R YWWXXXXX SOP7 备注：Y：年份代码； WW ：周代码； XXXXX ：内部代码 www.linkage.cn