SM7055 LINKAGE | Alldatasheet
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SM7055 AC/DC PWM 功率开关 - 1 - SM7055 特点 拓扑结构支持：低成本BUCK、 BUCK-BOOST 等方案 采用 730V 单芯片集成工艺 85Vac~265Vac宽电压输入 待机功耗小于120mW@220Vac 集成高压启动电路 集成高压功率开关 60KHz 固定开关频率 内置抖频技术，提升 EMC 性能 电流模式 PWM 控制方式 内置过温、过流、过压、欠压 等保护功能 内置软启动 内置智能软驱动技术 （提高 EMC 性能） 封装形式：DIP8 应用领域 电磁炉、电饭煲、电压力锅等 小家电产品电源 概述 SM7055 是采用电流模式 PWM 控制方式的功率开关芯片，集成高压 启动电路和高压功率管，可实现低成本、高性价比开关电源系统解决方 芯片应用于 BUCK、BUCK-BOOST 系统方案，支持 12V/18V 输出电压， 很方便的应用于小家电产品领域。并提供了过温、过流、过压、欠压等 完善的保护功能，保证了系统的可靠性。 管脚图 EN HVDD DRAIN NC GND SM7055 DRAIN DRAIN DRAIN DIP8 输出功率表 输入电压 85Vac~265Vac 180Vac~265Vac 最大电流 200mA 250 mA 12V 典型示意电路图 +12V GND EN HVDD DRAIN NC GND SM7055 DRAIN DRAIN DRAIN AC 18V 典型示意电路图 Vin Vout GND U 1 +18V +5V GND + + AC EN HVDD DRAIN NC G ND SM7055 DRAIN DRAIN DRAIN 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn v1.6 SM7055 AC/DC PWM 功率开关 v1.6
- 2 - 管脚说明 极限参数 极限参数(TA= 25℃) 符号 说明 范围 单位 VDS(max) 芯片DRAIN 脚最高耐压 -0.3~730 V VDS(ST) 芯片启动时，DRAIN 脚最高耐压 -0.3~730 V HVDD 芯片电源电压 -0.3～20 V Ivdd 嵌位电流 10 mA VESD ESD 电压 2000 V TJ 结温 -40～150 ℃ TSTG 存储温度 -55～150 ℃ 热阻参数 符号 说明 范围 单位 RthJA 热阻(1) 45 ℃/W 注（1） ：芯片要焊接在有200mm2 铜箔散热的PCB 板，铜箔厚度35um，铜箔连接到所有的GND 脚。 电气工作参数 (除非特殊说明，下列条件均为TA=25℃ 符号 说明 条件 范围 单位 最小 典型 最大 BVDS 漏源击穿电压 730 V IDSS DRAIN 端关断态漏电流 0.1 mA RDS(on) 源漏端导通电阻 ID=0.2A 22 Ohm HVDDON HVDD 开启电压 11.5 V HVDDOFF HVDD 关闭电压 8 V HVDDHYS HVDD 迟滞阈值电压 3.5 V IDD2 HVDD 工作电流 HVDD=11V 0.5 mA IDDCH 芯片充电电流 VDS=100V; HVDD=5V -500 uA FOSC 芯片振荡频率 60 KHz △Fosc 抖频范围 4 % TOVT 过温保护温度 150 ℃ 名称 管脚序列 管脚说明 GND 1 芯片地，同时也是内置高压MOS 管SOURCE 端口 NC 2 悬空脚 EN 3 EN 和HVDD 短接：系统输出12V EN 悬空，单独接HVDD：系统输出18V HVDD 4 DRAIN 5.6.7.8 内置高压 MOS 管的 DRAIN，同时芯片启动时，也做芯片的 启动脚 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn SM7055 AC/DC PWM 功率开关 v1.6 SM7055 AC/DC PWM 功率开关 v1.6
- 3 - 功能表述 +12V RV1 GND EN HVDD DRAIN NC GND SM7055 DRAIN DRAIN DRAIN AC 电路图说明 上图为典型的BUCK-BOOST 电路，其中 C1、C2、L1 组成π型滤波，有益于改善EMI 特性；R1 电阻为浪涌 抑制元件；D1 为整流二极管，构成半波整流电路。 输出部分 L2 为储能电感，D2 为 HVDD 供电二极管；D3 为续流二极管，在芯片关断期间提供输出电流通路。 VHVDD 7.0VOUT (0.7V 为二极管D2 的导通压降) HVDD 电压 当开关电源启动后，C2 电容上的电压会通过芯片内部的高压启动 MOS 管向芯片 HVDD 电容 C3 充电，当 C3 电容电压达到11.5V，内部高压启动MOS 管关闭，同时 PWM 开启，系统开始工作。 当 C3 电容电压下降到 9V 以下，关闭 PWM 信号，同时芯片将会产生复位信号，使系统重新启动，这就是 欠压保护。 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn SM7055 AC/DC PWM 功率开关 v1.6
- 4 - H V D D t t VO U T HVDD O N HVD DO FF 欠压保护 控制部分 D R A I N R 2 G N D 0 . 2 3V P W M c o n t r o l R 1 H V D D ID IS I F B I f b 采 样 电 流 检 测 电 路 通过高压 MOS 的电流 ID 分成两个部分，其中一部分为IS，这部分电流为芯片采样电流。IS 与 ID 成比例关系： SIDD IGI 通过上图可知： VRII FBS FBS IR VI 23.0 以上公式合并，可得到： ).( FBIDD I-2R V230•G=I 从上式可以看出，IFB 电流大，ID 的电流就小；IFB 电流小，ID 的电流就大。当 IFB 的电流大于(0.23V / R2) 时，芯片会关闭PWM，同时芯片会自动进入突发模式。 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn SM7055 AC/DC PWM 功率开关 v1.6
- 5 - PCB layout 注意事项 简要说明： IC 的 DRAIN 脚与 GND 及HVDD 之间需要开槽，以满足安规要求。 初级环路与测试环路的走线距离尽量粗而短，以便更容易通过EMC 测试。 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn SM7055 AC/DC PWM 功率开关 v1.6
- 6 - 典型应用方案 电磁炉电源应用方案 原理图： ACIN Vin Vout GND L N +18V +5V GND + + D1-D4 EN HVDD DRAIN NC GND SM7055 DRAIN DRAIN DRAIN BOM 清单： 位号 参数 位号 参数 位号 参数 位号 参数 C1 4.7uF/400V C5 100uF/25V D1-D4 IN4007 D7 UF4007 C2 1uF/50V C6 104 D5 UF4007 U1 SM7055 C3 220uF/25V R1 22R D6 BYV26C U2 78L05 C4 100uF/25V T1 EE10（4+4） 变压器参数： 制作说明： 1. 骨架EE10(4+4) PC40磁芯 2. 电感量Lp(1 4)=1.6mH，漏感为Lp的5%以下 变压器绕制方法 进线 5 4 底视图 N1(1 4) Φ0.19*1*140T 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn SM7055 AC/DC PWM 功率开关 v1.6
- 7 - 封装形式 DIP8 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn SM7055 AC/DC PWM 功率开关 v1.6