SM7025 LINKAGE | Alldatasheet
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SM7025AC/DC PWM 功率开关TOISIWV1.0 - 1 - SM7025 特点 拓扑结构支持：低成本BUCK、 BUCK-BOOST 等方案 采用 700V 单芯片集成工艺 85Vac~265Vac宽电压输入 待机功耗小于120mW@220Vac 集成高压启动电路 集成高压功率开关 60KHz 固定开关频率 内置抖频技术，提升 EMC 性能 电流模式 PWM 控制方式 内置过温、过流、过压、欠压 等保护功能 内置软启动 内置智能软驱动技术 （提高 EMC 性能） 封装形式：SOP8 应用领域 电磁炉、电饭煲、电压力锅等 小家电产品电源 概述 SM7025 是采用电流模式 PWM 控制方式的功率开关芯片，集成高压 启动电路和高压功率管，为低成本开关电源系统提供高性价比的解决方 芯片应用于 BUCK 系统方案，支持 12V/18V 输出电压，很方便的应用 于小家电产品领域。并提供了过温、过流、过压、欠压等完善的保护功 能，保证了系统的可靠性。 管脚图 SOP8 输出功率表 输入电压 85Vac~265Vac 180Vac~265Vac 最大电流 SOP8 12V 150mA 200 mA 18V 150mA 200 mA 注：芯片5、6、7、8 脚为芯片散热脚，PCB Layout 过程中注意增加散热措施。 12V 典型示意电路图 L N +12V GND EN HVDD DRAIN 6NC GND GND GND GND SM7025 18V 典型示意电路图 ACIN Vin Vout GND L N +18V +5V GND + + EN HVDD DRAIN 6NC GND GND GND GND SM 7025 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn
SM7025AC/DC PWM 功率开关TOISIWV1.0 - 2 - 管脚示意图 EN HVDD DRAIN 6NC GND GND GND GND SM7025 SOP8 管脚说明 名称 管脚序列 管脚说明 EN 1 EN 和HVDD 短接：系统输出12V EN 悬空，单独接HVDD：系统输出18V HVDD 2 DRAIN 4 内置高压 MOS 管的 DRAIN，同时芯片启动时，也做芯片的 启动脚 NC 3 悬空脚 GND 5.6.7.8 芯片地，同时也是内置高压MOS 管SOURCE 端口 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn
SM7025AC/DC PWM 功率开关TOISIWV1.0 - 3 - 极限参数 极限参数(TA= 25℃) 符号 说明 范围 单位 VDS(max) 芯片DRAIN 脚最高耐压 -0.3~730 V VDS(ST) 芯片启动时，DRAIN 脚最高耐压 -0.3~730 V HVDD 芯片电源电压 -0.3～20 V Ivdd 嵌位电流 10 mA VESD ESD 电压 2000 V TJ 结温 -40～150 ℃ TSTG 存储温度 -55～150 ℃ 热阻参数 符号 说明 范围 单位 RthJA 热阻(1) 45 ℃/W 注（1） ：芯片要焊接在有200mm2 铜箔散热的PCB 板，铜箔厚度35um，铜箔连接到所有的GND 脚。 电气工作参数 (除非特殊说明，下列条件均为TA=25℃ 符号 说明 条件 范围 单位 最小 典型 最大 BVDS 漏源击穿电压 VDD=13V; ID=1mA 730 - - V IDSS DRAIN 端关断态漏电流 - - 0.1 mA RDS(on) 源漏端导通电阻 ID=0.2A - 22 - Ohm HVDDON HVDD 开启电压 11.5 V HVDDOFF HVDD 关闭电压 8 V HVDDHYS HVDD 迟滞阈值电压 - 3.5 - V IDD2 HVDD 工作电流 HVDD=11V - 0.5 - mA IDDCH 芯片充电电流 VDS=100V; HVDD=5V - -500 - uA FOSC 芯片振荡频率 - 60 - KHz △Fosc 抖频范围 4 % tOVT 过温保护温度 - 150 - ℃ 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn
SM7025AC/DC PWM 功率开关TOISIWV1.0 - 4 - 功能表述 4.7uF/400V 22Ω/2W 4.7uF/400V +12V RV 10D471 1mH 1uF/50V IN4007 FR107 BYV26C 470uF/25V 560uH 10Ω GND EN HVDD DRAIN 6NC GND GND GND GND SM7025 90~264Vac 电路图说明 上图为典型的BUCK-BOOST 电路，其中 C1、C2、L1 组成π型滤波，有益于改善EMI 特性，R1 电阻为浪涌 抑制元件，D1 为整流二极管，构成半波整流电路。 输出部分 L2 为储能电感，D2 为 HVDD 供电二极管，D3 为续流二极管，在芯片关断期间提供输出电流通路： VHVDD 7.0VOUT (0.7V 为二极管D2 的导通压降) HVDD 电压 当开关电源启动后，C2 电容上的电压会通过芯片内部的高压启动 MOS 管向芯片 HVDD 电容 C3 充电，当 C4 电容电压达到11.5V，内部高压启动MOS 管关闭，同时 PWM 开启，系统开始工作。 当 C4 电容电压下降到 9V 以下，关闭 PWM 信号，同时芯片将会产生复位信号，使系统重新启动。这就是 欠压保护。 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn
SM7025AC/DC PWM 功率开关TOISIWV1.0 - 5 - H V D D t t VO U T HVDD O N HVD DO FF 欠压保护 控制部分 D R A I N R 2 G N D 0 . 2 3V P W M c o n t r o l R 1 H V D D ID IS I F B I f b 采 样 电 流 检 测 电 路 通过高压 MOS 的电流 ID 分成两个部分，其中一部分为IS，这部分电流为芯片采样电流。IS 与 ID 成比例关系： SIDD I•G=I 通过上图可知： VRII FBS 23.02)( ，由此可以得到：- FBS I-2R V230=I . 以上公式合并，可得到： ).( FBIDD I-2R V230•G=I 从上式可以看出，IFB 电流大，ID 的电流就小；IFB 电流小，ID 的电流就大。当 IFB 的电流大于(0.23V / R2) 时，芯片会关闭PWM，同时芯片会自动进入突发模式。 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn
SM7025AC/DC PWM 功率开关TOISIWV1.0 - 6 - 典型应用方案 电磁炉电源应用方案 原理图： ACIN 78L05 Vin Vout GND L N +18V +5V GND + + R1 22Ω 4.7uF/400V 1uF/50V UF4007 BYV 26C UF4007 220uF/25V 100uF/25V 100uF/25V 104 D1-D4 IN4007 EN HVDD DRAIN 6NC GND GND GND GND SM7025 BOM 清单： C1 4.7uF/400V C5 100uF/25V D1-D4 IN4007 D7 UF4007 C2 1uF/50V C6 104 D5 UF4007 U1 SM7025 C3 220uF/25V R1 22R D6 BYV26C U2 78L05 C4 100uF/25V T1 EE10 变压器参数： 制作说明： 1. 骨架EE10(4+4) PC40磁芯 2. 电感量Lp(1 4)=1.0mH，漏感为Lp的5%以下 变压器绕制方法 进线 5 4 底视图 N1(1 4) Φ0.19*1*140T 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn
SM7025AC/DC PWM 功率开关TOISIWV1.0 - 7 - 封装形式 SOP8 注：如需最新资料或技术支持，请与我们联系 sale@linkage.cn 业务电话：400-033-6518 www.linkage.cn