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SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD. SOT-23 封装半导体场效应管/SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS SLS3400 (N-Channel Enhancement mode Field Effect Transistor) 印章/MARKING: A09T 特点/Features： 1、 电流能力强； 2、 导通电阻低； 用途/Applications： 用于一般开关和低压电源电路。 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数/Parameter 符号/ Symbol 数值/Value 单位/Unit 漏极-源极电压/Drain-Source Voltage VDS 30 V 栅极-源极电压/Gate-Source Voltage VGS ±12 V 漏极电流（持续）/Continuous Drain Current ID 5.8 A 耗散功率/Power Dissipation PD 0.35 W 热阻/ Thermal Resistance Junction to Ambient RθJA 350 ℃/mW 结温/Junction Temperature Tj 150 ℃ 储存温度/Storage Temperature Tstg -55～150 ℃
SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD. SOT-23 封装半导体场效应管/SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 电性能参数/Electrical characteristics (Ta=25℃) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 静态/Static Characteristics 源极-漏极击穿电压 VBR(DSS) VGS=OV,ID=250μA 30 V 栅极开启电压 VGS(th) ID=250μA, VGS=VDS 0.7 1.4 V 栅极漏电流 IGSS VGS=±12V,VDS=0V ±100 nA 零栅压漏极电流 IDSS VGS=0V, VDS=24V 1 µA 漏极源极导通电阻 RDS(ON) VGS=10V,ID=5.8A 35 mΩ VGS=4.5V,ID=5A 40 VGS=2.5V,ID=4A 52 正向跨导 gfs VDS=5V,ID=5A 8 S 动态/Dynamic Characteristics 输入电容 Ciss VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz 1050 pF 输出电容 Coss 99 反向传输电容 Crss 77 栅极电阻 Rg VDS=0V,VGS=0V,f=1MHz 3.6 Ω 开关参数/Switching Characteristics 开启延时 td(on) VDS=15V,VGS=10V, RGEN=3Ω,RL=2.7Ω 5 ns 上升时间 tr 7 ns 关闭延时 td(off) 40 ns 下降延时 tf 6 ns 漏极-源极二极管参数/Drain-source Body Diode Characteristics 二极管正向压降 VSD IS=1A,VGS=0V 1 V 注：① 脉冲测试脉冲宽度≤300µS,占空比≤2%； ② 这些参数未通过验证；
SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD. SOT-23 封装半导体场效应管/SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 典型特性曲线图/Typical Characteristics