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SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD. SOT-23 封装半导体场效应管/SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS SLS 2301 (P-Channel Enhancement mode) 印章/MARKING:A1SHB 特点/Features： 1、 开关速度快； 2、 导通电阻低； 用途/Applications： 用于一般开关和低压电源电路。 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数/Parameter 符号/ Symbol 数值/Value 单位/Unit 漏极-源极电压/Drain-Source Voltage VDS -20 V 栅极-源极电压/Gate-Source Voltage VGS ±8 V 漏极电流（持续）/Continuous Drain Current ID -2.3 A 漏极电流（脉冲）/Pulsed Drain Current IDM -10 A 耗散功率/Power Dissipation PD 0.35 W 热阻/ Thermal Resistance Junction to Ambient RθJA 350 ℃/mW 结温/Junction Temperature Tj 150 ℃ 储存温度/Storage Temperature Tstg -55～150 ℃
SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD. SOT-23 封装半导体场效应管/SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 电性能参数/Electrical characteristics (Ta=25℃) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 静态/Static Characteristics 源极-漏极击穿电压 VBR(DSS) VGS=OV,ID=-250μA -20 V 栅极开启电压 VGS(th) ID=-250μA, VGS=VDS 0.4 -1 V 栅极漏电流 IGSS VGS=±8V,VDS=0V ±100 nA 零栅压漏极电流 IDSS VGS=0V, VDS=-20V -1 µA 漏极源极导通电阻 RDS(ON) Ω VGS=-2.5V,ID=-2A 0.110 0.142 正向跨导 gfs VDS=-5V,ID=-2.8A 6.5 S 动态/Dynamic Characteristics 输入电容 Ciss VDS=-10V,VGS=0V,f=1MHz 405 pF 输出电容 Coss 75 反向传输电容 Crss 55 开关参数/Switching Characteristics 总栅极充电电荷 QG VDS=-6V,VGS=-4.5V, ID=-2.8A 5.4 10 nC 栅极-源极充电电荷 QGS 0.8 nC 栅极-漏极充电电荷 QGD 1.1 nC 开启延时 tD(on) VDD=-10V,ID=-1A, VGEN=-4.5V,RG=1Ω, RL=10Ω 11 20 ns 上升时间 tR 35 60 ns 关闭延时 tD(off) 30 50 下降延时 Tf 10 20 漏极-源极二极管参数/Drain-source Body Diode Characteristics 源极-漏极二极管电流 IS Tc=25℃ -1.3 A 二极管正向脉冲电流 ISM -10 A 二极管正向压降 VSD IS=-0.7A -0.8 -1.2 V 注：① 脉冲测试脉冲宽度≤300µS,占空比≤2%；