SFH426

SFH421 SIEMENS | Alldatasheet

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Technical content

Features

• Very highly efficient GaAIAs-LED
• Good Linearity (Ie =f [IF]) at high currents
• DC (with modulation) or pulsed operations are possible
• High reliability
• High pulse handling capability
• Suitable for surface mounting (SMT)
• Available on tape and reel
• SFH 421 same package as SFH 320/420 SFH 426 same package as SFH 325/425
• SFH 426: Suitable only for IR-reflow soldering. In case of dip soldering, please contact us first. GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426 Ma βe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. GPL06724 (typ) 0.7 0.9 1.7 2.1 0.12 0.18 0.5 1.1 3.3 3.7 0.4 0.6 2.6 3.0 2.1 2.3 Cathode/Collector marking 3.0 3.4 2.4 Approx. weight 0.03 g 0.8 0.6 0.1 Cathode/Collector GPL06880 1.1 0.92.54 spacing (2.4) 2.8 2.4 4.2 3.8 (2.85) 0.7 4.2 3.8 (2.9) 3.8 3.4(R1) Collector/Cathode marking Cathode/ Collector Anode/ Emitter fpl06867 fpl06724 SFH 421 TOPLED  SFH 426 SIDELED 

Semiconductor Group 2 1997-11-01 SFH 421 SFH 426 Anwendungen

• Miniaturlichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenlaser
• Industrieelektronik
• “Messen/Steuern/Regeln” Grenzwerte (TA = 25°C) Maximum Ratings Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 421 SFH 426 Q62702-P1055 Q62703-P0331 Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke cathode marking: bevelled edge TOPLED SIDELED Bezeichnung

Description

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 100°C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5V Durchlaβstrom Forward current IF 100 mA Stoβstrom,τ = 10µs,D = 0 Surge current IFSM 2.5 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 180 mW Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm2 Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm 2 each Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei Montage auf Metall-Block Thermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block RthJA RthJS 450 ≈ 200 K/W K/W

Applications

• Miniature photointerrupters
• Industrial electronics
• For drive and control circuits

Semiconductor Group 3 1997-11-01 Kennwerte (TA = 25°C) Characteristics Bezeichnung Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA,tp = 20 ms λpeak 880 nm Spektrale Bandbreite bei 50% vonImax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA Δλ 80 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ± 60 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.16 mm 2 Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area L × B L ×W 0.4× 0.4 mm Schaltzeiten,Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, beiIF = 100 mA,RL = 50Ω Switching times,Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %,IF = 100 mA,RL = 50Ω tr,tf 0.5 µs Kapazität Capacitance VR = 0 V,f = 1 MHz C o 25 pF Durchlaβspannung Forward voltage IF = 100 mA,tp = 20 ms IF = 1 A,tp = 100µs VF VF 1.5(≤ 1.8) 3.0(≤ 3.8) V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 (≤1)µ A Gesamtstrahlungsfluβ Total radiant flux IF = 100 mA,tp = 20 ms Φ e 23 mW Temperaturkoeffizient vonIe bzw.Φ e, IF = 100 mA Temperature coefficient ofIe orΦ e, IF = 100 mA TC I – 0.5 %/K Temperaturkoeffizient vonVF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TC V – 2 mV/K Temperaturkoeffizient vonλ,IF = 100 mA Temperature coefficient ofλ,IF = 100 mA TC λ + 0.25 nm/K

Semiconductor Group 4 1997-11-01 SFH 421 SFH 426 Gruppierung der StrahlstärkeIe in Achsrichtung gemessen bei einem RaumwinkelΩ = 0.01 sr Grouping at radiant intensityIe in axial direction at a solid angle ofΩ = 0.01 sr Bezeichnung Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA,tp = 20 ms Ie > 4 mW/sr Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A,tp = 100µs Ie typ. 48 mW/sr Relative spectral emission Irel= f (λ) Forward current IF = f (VF), single pulse,tp = 20µs 750 Ιrel OHR00877 800 850 900 950 nm 1000 100 λ OHR00881 FV -210 -110 010 110 01 2 3 4 5 6 V 8 AΙF Radiant intensity Single pulse,tp = 20µs Ie Ie 100 mA =f(IF) OHR00878 Ιe FΙ -210 -110 010 110 210 010 10 1 10 2 10 4mA eΙ (100mA) 310 Max. permissible forward current IF = f (TA) OHR00883 FΙ 100 120 20 40 60 80 100 120 mA TA = 450 K/WthjAR Radiation characteristicsSrel= f (ϕ) 0.2 0.4 1.0 0.8 0.6 ϕ 1.0 0.8 0.6 0.4 50˚ 60˚ 70˚ 80˚ 90˚ 100˚

Semiconductor Group 5 1997-11-01 Löthinweise Soldering conditions Zusätzliche Informationen über allgemeine Lötbedingungen finden Sie im Datenbuch S. 103ff. For additional information on generel soldering conditions please refer to our Data Book on page 169ff. Bauform Types Tauch-, Schwall- und Schlepplötung Dip, wave and drag soldering Reflowlötung Reflow soldering Lötbad- temperatur Temperature of the soldering bath Maximal zulässige Lötzeit Max. perm. soldering time Abstand Lötstelle – Gehäuse Distance between solder joint and case Lötzonen- temperatur Temperature of soldering zone Maximale Durchlaufzeit Max. transit time TOPLED SIDELED 260 °C 8 s 245 °C ≥ 225 °C 10 s 10 s Permissible pulse handling capability IF = f (tp) duty cycleD = Parameter,TA = 25°C ΙF OHR00886 210 310 410 mA -510 s FΙ T DC 0.005=D pt T tp pt 0.5 0.2 0.1 0.01 0.02 0.05 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102