SFH405 SIEMENS | Alldatasheet

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Technical content

Features

  • GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process
  • High reliability
  • High radiant intensity
  • High pulse handling capability
  • Available in groups
  • Same package as SFH 305

Applications

  • Miniature photointerrupters
  • Punched tape-readers
  • Industrial electronics
  • For control and drive ciruits GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 405 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. 0.5 0.4 1.15 0.90 2.84 2.24 2.1 1.5 2.7 2.5 3.6 3.2 3.5 3.0 2.54 spacing 1) Detaching area for tools, flash not true to size. Approx. weight 0.02 g GEO06137 3.0 2.5 0...5˚ Collector (SFH 305) Cathode (SFH 405) feo06317 Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 405 Q62702-P835 Miniatur-Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz, linsenförmig, Anschluß im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: abgeschrägte Anschlüsse Miniature lead frame, transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: bevelled leads

Semiconductor Group 2 1997-11-01 SFH 405 Grenzwerte (TA = 25°C) Maximum Ratings Bezeichnung

Description

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 ... + 80 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 80 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5V Durchlaßstrom Forward current IF 40 mA Stoßstrom,τ≤ 10 µs,D = 0 Surge current IFSM 1.6 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 65 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA RthJL 950 850 K/W K/W Kennwerte ( TA = 25°C) Characteristics Bezeichnung Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 40 mA,tp = 20 ms λpeak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % vonImax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 40 m A,tp = 20 ms Δλ 55 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ± 16 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.25 mm 2 Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area L × B L × W 0.5× 0.5 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top

Semiconductor Group 3 1997-11-01 Gruppierung der StrahlstärkeIe in Achsrichtung gemessen bei einem RaumwinkelΩ = 0.01 sr Grouping of radiant intensityIe in axial direction at a solid angle ofΩ = 0.01 sr Schaltzeiten,Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, beiIF = 40 mA,RL = 50Ω Switching times,Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %,IF = 40 mA,RL = 50Ω tr,tf 1 µs Kapazität Capacitance VR = 0 V,f = 1 MHz C o 40 pF Durchlaßspannung Forward voltage IF = 40 mA VF 1.25(≤ 1.4) V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 (≤1)µ A Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 40 mA,tp = 20 ms Φ e 7m W Temperaturkoeffizient vonIe bzw.Φ e, IF = 40 mA Temperature coefficient ofIe orΦ e, IF = 40 mA TC I – 0.55 %/K Temperaturkoeffizient vonVF,IF = 40 mA Temperature coefficient of VF,IF = 40 mA TC V – 1.5 mV/K Temperaturkoeffizient vonλpeak,IF = 40 mA Temperature coefficient ofλpeak,IF = 40 mA TC λ 0.3 nm/K Bezeichnung Strahlstärke Radiant intensity IF = 40 mA,tp = 20 ms Ie 2.5 (≥ 1.6) mW/sr Kennwerte (TA = 25°C) Characteristics Bezeichnung

Semiconductor Group 4 1997-11-01 SFH 405 Relative spectral emission Irel= f(λ) Forward current IF = f(VF), single pulse,tp = 20µs OHRD1938 λ relΙ 880 920 960 1000 nm 1060 100 V OHR01042 F FΙ 110 010 -110 10 -2 A 1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5 max.typ. Radiant intensity Single pulse,tp = 20µs Permissible pulse handling capability IF = f(τ),TA = 25°C, duty cycleD = parameter Ie Ie 100 mA =f(IF) Ι OHR01039 F -110 10 0 110 210 10 -2 -1 10 010 A 10 1 Ιe Ιe (100 mA) ΙF OHR02183 τ -110 010 110 A -510 T τ=D FΙ T τ DC 0,5 0,2 0,1 0,05 0,005 0,01 0,02 D 10-4 -3 10 -210 -110 010 110 Max. permissible forward current IF = f(TA) T OHR00672 A FΙ ,TL 20 40 60 80 ˚C 100 mA R thJA= 950 K/W = 850 K/WthJLR Radiation characteristicsIrel= f (ϕ) OHR01886 02 0 40 60 80 100 1200.40.60.81.0 100 010203040 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0ϕ