SFH400 SIEMENS | Alldatasheet
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Technical content
Semiconductor Group 1 1998-04-16 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400 SFH 401 SFH 402 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. ø5.6 2.54 spacing ø4.8 ø4.6 (2.7) 5.5 5.0 5.3 5.0 14.5 12.5 ø0.45 Radiant sensitive area GET06013 Approx. weight 0.5 g Chip position Cathode (SFH 402, BPX 65) ø5.3 0.91.1 1.10.9 Anode (SFH 482) (2.7) ø0.45 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 Chip position 2.54 mm spacing ø4.8 glass lens welded Approx. weight 0.35 g ø5.6 ø5.3 Anode Cathode = SFH 481 = SFH 401 GET06091 (package) ø4.6 0.91.1 1.10.9 ø5.6 ø5.3 2.54mm spacing ø0.45 Cathode (SFH 480) (2.7) 14.5 12.5 5.3 5.0 ø4.8 ø4.6 GEO06314 Approx. weight 0.5 g 7.4 6.6 0.91.1 1.10.9 SFH 400) Anode Radiant Sensitive area Chip position (SFH 216, SFH 231, fet06090fet06091fet06092
SFH 400, SFH 401, SFH 402 Semiconductor Group 2 1998-04-16 Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 400 Q62702-P96 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Glaslinse, hermetisch dichtes Gehäuse, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’)
18 A3 DIN 41876 (TO-18) glass lens, hermetically
sealed package, solder tabs lead spacing 2.54 mm 1/10’’) SFH 400-3 Q62702-P784 SFH 401-2 Q62702-P786 SFH 401-3 Q62702-P787 SFH 402 Q62702-P98 SFH 402-3 Q62702-P790 SFH 402-2 on request Wesentliche Merkmale l Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren l Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden l Hohe Zuverlässigkeit l SFH 400: Gehäusegleich mit SFH 216 l SFH 401: Gehäusegleich mit BPX 43, BPY 62 l SFH 402: Gehäusegleich mit BPX 38, BPX 65 Anwendungen l Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb l IR-Fernsteuerungen l Industrieelektronik l “Messen/Steuern/Regeln”
Features
l Fabricated in a liquid phase epitaxy process l Cathode is electrically connected to the case l High reliability l SFH 400: Same package as SFH 216 l SFH 401: Same package as BPX 43, BPY 62 l SFH 402: Same package as BPX 38, BPX 65
Applications
l For drive and control circuits
Semiconductor Group 3 1998-04-16 SFH 400, SFH 401, SFH 402 Grenzwerte (TC = 25°C) Maximum Ratings Bezeichnung
Description
SFH 401: Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 100°C SFH 400, SFH 402: Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 125°C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5V Durchlaßstrom Forward current IF 300 mA Stoßstrom,tp = 10ms,D = 0 Surge current IFSM 3A Verlustleistung Power dissipation Ptot 470 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA RthJC 450 160 K/W K/W Kennwerte ( TA = 25°C) Characteristics Bezeichnung Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA,tp = 20 ms lpeak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % vonImax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 mA,tp = 20 ms Dl 55 nm Abstrahlwinkel Half angle SFH 400 SFH 401 SFH 402 j j j – 6 – 15 – 40 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.25 mm 2
SFH 400, SFH 401, SFH 402 Semiconductor Group 4 1998-04-16 Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area L · B L · W 0.5· 0.5 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top SFH 400 SFH 401 SFH 402 H H H mm mm mm Schaltzeiten,I e von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, beiIF = 100 mA,RL = 50W Switching times,Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %,IF = 100 mA,RL = 50W tr,tf 1 ms Kapazität Capacitance VR = 0 V,f = 1 MHz C o 40 pF Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA,tp = 20 ms IF = 1 A,tp = 100ms VF VF 1.30(£ 1.5) 1.90(£ 2.5) V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 (£1)m A Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA,tp = 20 ms F e 8m W Temperaturkoeffizient vonIe bzw.F e, IF = 100 mA Temperature coefficient ofIe orF e, IF = 100 mA TC I – 0.55 %/K Temperaturkoeffizient vonVF,IF = 100 mA Temperature coefficient of VF,IF = 100 mA TC V – 1.5 mV/K Temperaturkoeffizient vonl,IF = 100 mA Temperature coefficient ofl,IF = 100 mA TC l + 0.3 nm/K Kennwerte (TA = 25°C) Characteristics Bezeichnung
Semiconductor Group 5 1998-04-16 SFH 400, SFH 401, SFH 402 Gruppierung der StrahlstärkeIe in Achsrichtung gemessen bei einem RaumwinkelW = 0.01 sr Grouping of radiant intensityIe in axial direction at a solid angle ofW = 0.01 sr Bezeichnung Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA,tp = 20 ms Ie min Ie max 2.5 2.5 mW/sr mW/sr Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A,tp = 100ms Ie typ. 300 320 120 190 40 40 40 mW/sr
SFH 400, SFH 401, SFH 402 Semiconductor Group 6 1998-04-16 Radiation characteristics, SFH 400Irel= f(j) Radiation characteristics, SFH 401Irel= f (j) Radiation characteristics, SFH 402Irel= f(j) OHR01883 02 0 40 60 80 100 1200.40.60.81.0 100 010203040 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0j OHR01884 02 0 40 60 80 100 1200.40.60.81.0 100 010203040 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0j OHR01885 02 0 40 60 80 100 1200.40.60.81.0 100 010203040 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0f
Semiconductor Group 7 1998-04-16 SFH 400, SFH 401, SFH 402 Relative spectral emission Irel= f(l) Forward current,IF = f (VF) Single pulse,tp = 20ms OHRD1938 l relI 880 920 960 1000 nm 1060 100 V OHR01040 F FI 110 010 -110 10 -2 A 1.5 2 2.5 33 . 5 4 4.5 typ. max. V Radiant intensity Single pulse,tp = 20ms Permissible pulse handling capability IF = f(t),TC = 25°C, RthJC = 160 K/W, duty cycleD = parameter Ie Ie 100 mA =f(IF) I OHR01037 F -110 10 0 110 210 10 -2 -1 10 010 A 10 1 Ie Ie (100 mA) t OHR01937 10 -5 s 10 2 IF mA 10 -4 10 -3 10 -2 10 0 10 3 10 4 DC 0.5 0.05 0.02 0.01 0.005 D = 0.1 FI T Pt Pt T 0.2 Max. permissible forward current SFH 401, IF = f(TA) T OHR00486 A FI 0 20 40 60 80 100 ˚C 100 150 200 250 300 mA 350 , CT = 160 K/WthJCR R thJA = 450 K/W Max. permissible forward current SFH 400, SFH 402, IF = f(TA) T OHR00395 A FI 0 ˚C 100 150 200 250 300 mA 350 , CT = 160 K/WthJCR R thJA = 450 K/W 20 40 60 80 100 130