SFH309 SIEMENS | Alldatasheet

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Technical content

Features

  • Especially suitable for applications from 380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of 880 nm (SFH 309 FA)
  • High linearity
  • 3 mm LED plastic package
  • Available in groups

Applications

  • Photointerrupters
  • Industrial electronics
  • For control and drive circuits SFH 309 SFH 309 FA Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified feof6653 feo06653 01.97

1) Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. 1) Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group. Typ Type Bestellnummer Ordering Code Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Codes SFH 309 Q62702-P859 SFH 309 FA (*SFH 309 F) Q62702-P941 SFH 309-3 Q62702-P997 SFH 309 FA-2 (*SFH 309 F-2) Q62702-P174 SFH 309-4 Q62702-P998 SFH 309 FA-3 (*SFH 309 F-3) Q62702-P176 SFH 309-5 Q62702-P999 SFH 309 FA-4 (*SFH 309 F-4) Q62702-P178 SFH 309-61) Q62702-P1000 SFH 309 FA-5 (*SFH 309 F-51)) Q62702-P180 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung

Description

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 100°C Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeitt≤ 5 s Dip soldering temperature≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t≤ 5 s TS 260 °C Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeitt≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering timet≤ 3 s TS 300 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 35 V Kollektorstrom Collector current IC 15 mA Kollektorspitzenstrom,τ <10 µs Collector surge current ICS 75 mA

Verlustleistung,TA = 25°C Total power dissipation Ptot 165 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 450 K/W Kennwerte (TA = 25°C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 860 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % vonSmax Spectral range of sensitivity S = 10 % ofSmax Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240 µm ) Radiant sensitive area A 0.2 0.2 mm 2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L × B L × W 0.45× 0.45 0.45 × 0.45 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober- fläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle ϕ± 12 ± 12 Grad deg. Kapazität,VCE = 0 V,f = 1 MHz,E = 0 Capacitance C CE 5.0 5.0 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 25 V,E = 0 ICEO 1 (≤ 200) 1 ( ≤ 200) nA Grenzwerte Maximum Ratings (cont’d) Bezeichnung

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. 1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe 1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Directional characteristicsSrel= f (ϕ) Bezeichnung -2 -3 -4 -5 Fotostrom,λ =950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2,VCE = 5 V SFH 309: Ev = 1000 Ix, Normlicht/ standard light A,VCE = 5 V IPCE IPCE 1.5 2.8 4.5 7.2 mA mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA,VCC = 5 V, RL = 1 kΩ tr, tf 5678 µs Kollektor-Emitter- Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC =IPCEmin 1)× 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2 VCEsat 200 200 200 200 mV

Relative spectral sensitivity, SFH 309 Srel= f (λ) Total power dissipation Ptot =f (TA) Dark current ICEO = f (TA), VCE = 25 V, E = 0 Relative spectral sensitivity, SFH 309 FA Srel= f (λ) Photocurrent IPCE =f (VCE ),Ee = Parameter Capacitance C CE = f (VCE ),f= 1 MHz,E = 0 Photocurrent IPCE = f (Ee),VCE = 5 V Dark current ICEO = f (VCE ), E= 0 Photocurrent IPCE /IPCE25 o =f (TA),VCE = 5 V