SFH303 SIEMENS | Alldatasheet

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Technical content

Features

  • Especially suitable for applications from 450 nm to 1100 nm (SFH 303) and of 880 nm (SFH 303 FA)
  • High linearity
  • 5 mm LED plastic package
  • Also available on tape and in groups

Applications

  • Photointerrupters
  • Industrial electronics
  • For control and drive circuits Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified feof6351 feo06351 07.96

1) Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. 1) Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group. Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Code Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Type (*formerly) SFH 303 Q62702-P957 SFH 303 FA (*SFH 303 F) Q62702-P958 SFH 303-2 Q62702-P228 SFH 303 FA-2) (*SFH 303 F) Q62702-P222 SFH 303-3 Q62702-P229 SFH 303 FA-3 (*SFH 303 F-3) Q62702-P223 SFH 303-41) Q62702-P230 SFH 303 FA-4 (*SFH 303 F-41)) Q62702-P224 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung

Description

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 100°C Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeitt≤ 5 s Dip soldering temperature≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t≤ 5 s TS 260 °C Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeitt≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering timet≤ 3 s TS 300 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 50 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Kollektorspitzenstrom,τ <10 µs Collector surge current ICS 100 mA Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage VEB 7V

Verlustleistung,TA = 25°C Total power dissipation Ptot 200 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 375 K/W Kennwerte (TA = 25°C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 870 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % vonSmax Spectral range of sensitivity S = 10 % ofSmax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.2 0.2 mm 2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L × B L × W 0.65× 0.65 0.65 × 0.65 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober- fläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle ϕ± 20 ± 20 Grad deg. Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode Photocurrent of collector-base photodiode Ee = 0.5 mW/cm2,VCB = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCB = 5 V IPCB IPCB 15.8 4.5 µA µA Grenzwerte Maximum Ratings (cont’d) Bezeichnung

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. 1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe 1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Kapazität Capacitance VCE = 0 V,f = 1 MHz,E = 0 VCB = 0 V,f = 1 MHz,E = 0 VEB = 0 V,f = 1 MHz,E = 0 C CE C CB C EB pF pF pF Dunkelstrom Dark current VCE = 10 V,E = 0 ICEO 2 (≤ 50) 2 ( ≤ 50) nA Bezeichnung -2 -3 -4 Fotostrom,λ =950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2,VCE = 5 V SFH 303: Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,VCE = 5 V IPCE IPCE 5.2 8.4 ≥ 2.5 13.1 mA mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA,VCC = 5 V,RL = 1 kΩ tr, tf 11 13 15 µs Kollektor-Emitter- Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC =IPCEmin 1)× 0.3 Ee = 0.5 mW/cm2 VCEsat 150 150 150 mV Stromverstärkung Current gain Ee = 0.5 mW/cm2,VCE = 5 V IPCE IPCB 330 530 830 Kennwerte (TA = 25°C, λ = 950 nm) Characteristics (cont’d) Bezeichnung

Relative spectral sensitivity,SFH 303 Srel= f (λ) Output characteristics IC =f (VCE ),IB = Parameter Relative spectral sensitivity,SFH 303 FA Srel= f (λ) Dark current ICEO = f (VCE ), E= 0 PhotocurrentIPCE = f (Ee),VCE = 5 V Capacitance C =f (VR ),f= 1 MHz,E = 0 Directional characteristicsSrel= f (ϕ)