SFH300 SIEMENS | Alldatasheet

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Technical content

Features

  • Especially suitable for applications from 420 nm to 1130 nm (SFH 300) and of 880 nm (SFH 300 FA)
  • High linearity
  • 5 mm LED plastic package
  • Available in groups

Applications

  • Computer-controlled flashes
  • Photointerrupters
  • Industrial electronics
  • For control and drive circuits SFH 300 SFH 300 FA Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. feof6652 feo06652 10.95

1) Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. 1) Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group. Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Code Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Code SFH 300 (*BP 103 B) Q62702-P1189 SFH 300 FA (*BP 103 BF) Q62702-P1193 SFH 300-2 (*BP 103 B-2) Q62702-P85-S2 SFH 300 FA-2 (*BP 103 BF-2) Q62702-P1192 SFH 300-3 (*BP 103 B-3) Q62702-P85-S3 SFH 300 FA-3 (*BP 103 BF-3) Q62702-P1057 SFH 300-41) (*BP 103 B-4) Q62702-P85-S4 SFH 300 FA-4 (*BP 103 BF-4) Q62702-P1058 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung

Description

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 100°C Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeitt≤ 5 s Dip soldering temperature≥ 2 mm distance from case bottom, soldering timet≤ 5 s TS 260 °C Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeitt≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottomt≤ 3 s TS 300 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 35 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Kollektorspitzenstrom,τ <10 µs Collector surge current ICS 100 mA Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage VEC 7V

Verlustleistung,TA = 25°C Total power dissipation Ptot 200 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 375 K/W Kennwerte (TA = 25°C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 870 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % vonSmax Spectral range of sensitivity S = 10 % ofSmax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.12 0.12 mm 2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L × B L × W Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober- fläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle ϕ± 25 ± 25 Grad deg. Kapazität,VEC = 0 V,f = 1 MHz,E = 0 Capacitance C CE 6.5 6.5 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 35 V,E = 0 ICEO 5 (≤ 100) 5 ( ≤ 100) nA Grenzwerte Maximum Ratings (cont’d) Bezeichnung

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures.1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe 1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Bezeichnung -2 -3 -4 Fotostrom,λ =950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2,VCE = 5 V SFH 300: Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V IPCE IPCE 3.4 1 ... 2 5.4 ≥ 1.6 8.6 mA mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA,VCC = 5 V,RL = 1 kΩ tr, tf 7.5 10 10 µs Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC =IPCEmin 1)× 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2 VCEsat 130 140 150 mV

Relative spectral sensitivity, SFH 300 Srel= f (λ) Photocurrent IPCE /IPCE25 o =f (TA),VCE = 5 V Relative spectral sensitivity, SFH 300 FA Srel= f (λ) Photocurrent IPCE = f (Ee),VCE = 5 V Dark current ICEO /ICEO25 o = f (TA), VCE = 25 V, E = 0 Dark current ICEO = f (VCE ), E= 0 Collector-emitter capacitance C CE = f (VCE ),f= 1 MHz,E = 0Directional characteristicsSrel= f (ϕ)