SFH221S SIEMENS | Alldatasheet
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 4
Technical content
Features
- Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm
- High photosensitivity
- Hermetically sealed metal package (similar to TO-5), suitable up to 125 oC 1)
- Double diode with extremely high homogeneousness
Applications
- Follow-up controls
- Edge drives
- Industrial electronics
- For control and drive circuits 1) Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen beiTA > 85oC 1) For operating conditions ofTA > 85oC please contact us. Typ (*ab 4/95) Type (*as of 4/95) Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 221 S (*SFH 221) Q62702-P270 Lötspie βe im 5.08-mm-Raster (2/10”) solder tabs 5.08 mm(2/10”) lead spacing SFH 221 S Ma βe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Description
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top;Tstg –40 ... +80 oC Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeitt≤ 3s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t≤ 3s) T S 230 oC Sperrspannung Reverse voltage VR 10 V Isolationsspannung gegen Gehäuse Insulation voltage vs. package VIS 100 V Verlustleistung,TA = 25oC Total power dissipation Ptot 50 mW Kennwerte (TA = 25oC, Normlicht A,T = 2856 K) für jede Einzeldiode Characteristics(TA = 25oC, standard light A,T = 2856 K) per single diode Bezeichnung Fotoempfindlichkeit,VR = 5 V Spectral sensitivity S 24 (≥ 15) nA/Ix Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% vonSmax Spectral range of sensitivity S = 10% ofSmax λ 400 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 1.54 mm 2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L x B L x W 0.7 x 2.2 mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober- fläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle ϕ± 55 Grad deg.
Dunkelstrom,VR = 10 V Dark current IR 10 (≤ 100) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit,λ = 850 nm Spectral sensitivity Sλ 0.55 A/W Maximale Abweichung der Fotoempfindlichkeit vom Mittelwert Max. deviation of the system spectral sensitivity from the average ΔS ± 5% Quantenausbeute,λ = 850 nm Quantum yield η 0.80 Electrons Photon Leerlaufspannung,Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage VL 330 (≥ 280) mV Kurzschluβstrom,Ev = 1000 Ix Short-circuit current IK 24 µA Isolationsstrom,VIS = 100 V Insulation current IIS 0.1 (≤ 1) nA Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL= 1 kΩ; VR = 5 V;λ = 850 nm;Ip = 25µA tr,tf 500 ns Durchlaβspannung,IF = 40 mA,E = 0 Forward voltage VF 1.0 V Kapazität,VR = 0 V,f= 1 MHz,E = 0 Capacitance C 0 25 pF Temperaturkoeffizient fürVL Temperature coefficient of VL TC V –2.6 mV/K Temperaturkoeffizient fürIK Temperature coefficient ofIK TC I 0.18 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power V R = 10 V,λ = 850 nm NEP 1.0 x 10–13 W √Hz Nachweisgrenze,VR = 10 V,λ = 850 nm Detection limit D* 1.2 x 10 12 cm ·√Hz W Kennwerte (TA = 25oC, Normlicht A,T = 2856 K) für jede Einzeldiode Characteristics(TA = 25oC, standard light A,T = 2856 K) per single diode Bezeichnung
Relative spectral sensitivity Srel= f (λ) Dark current IR = f (VR ),E = 0 PhotocurrentIP = f (Ev),VR = 5 V Open-circuit-voltageVL= f (Ev) Capacitance C = f (VR ),f = 1 MHz,E = 0 Total power dissipation Ptot =f (TA) Dark current IR = f (TA),VR = 1 V,E = 0 Directional characteristicsSrel= f (ϕ)