SCA160DA SANREX | Alldatasheet
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SCA（SCE）160DA THYRISTOR MODULE Circuit Diagram UL; E76102 （M） SCA（SCE）160DA 《Features and Advantages》 《特長》 wNew and unique gate design for higher di/dv (Integrated Thyristor . 2.5 times higher than existing products) ༻㳃d i / d t্ 㴌㳻㵁㴐㴖෦ ैདྷൺ2 . 5ൺʥ wNewly designed and less-layered internal structure for improved heat dissipation (low thermal resistance) 㳇㳤㳦์ੑ㳮վળ Ռ㳃㲱㳥㳇 ্ ैདྷൺ2༻ w ULऔಘUL File ᶺE76102 w ԤभRoHS߹ w In addition to reduced layer design, soldering on both sides of chips increased the long-term reliability (2 times longer than existing products) w UL recognized under UL File ᶺE76102 w EU RoHS compliant 《Applications》 《用途》 w Motor drives w ൚༻㳻㵊㴧㱟㴖 w Servo controller w 㴌㱟㴳㴊㵊㴟㵄㱟㵀 w Power controllerث w UPS w UPS w Soft starter w 㴔㴬㴟㴐㴖㱟㴖㱟 w Power suppliesஔ ■Maximum Ratings 最大定格 （Tj＝25℃ unless otherwise specified／指定なき場合はTj＝25℃とする） Symbol 記号 Item 項 目 Ratings 定格値 Unit 単位SCA160DA80 SCE160DA80 SCA160DA160 SCE160DA160 V RRM *Repetitive Peak Reverse V oltage ＊定格ピーク繰返し逆電圧 800 1600 V V RSM *Non-Repetitive Peak Reverse V oltage ＊定格ピーク非繰返し逆電圧 960 1700 V V DRM Repetitive Peak Of f-state V oltage 定格ピーク繰返しオフ電圧 800 1600 V Symbol 記号 Item 項 目 Conditions 条 件 Ratings 定格値 Unit 単位 I T（A V） I F（A V） *A verage On-state （Forwar d） Curr ent ＊定格平均オン（順）電流 S i n g l e p h a s e , h a l f w a v e , 1 8 0 ° c o n d u c t i o n , 単相半波平均値180°導通角 T c ＝8 8 ℃ 160 A I T（RMS） I F（RMS） *R.M.S. On-state （Forwar d） Curr ent ＊定格実効オン（順）電流 S i n g l e p h a s e , h a l f w a v e , 1 8 0 ° c o n d u c t i o n , 単相半波実効値180°導通角 T c ＝8 8 ℃ 251 A I TSM I FSM *Sur ge On-state （Forwar d） Curr ent ＊定格サージオン（順）電流 ½cycle, 50/60Hz, Peak value, non-r epetitive 50 /60Hz 商用単相半波 １サイクル波高値 非繰返し 5400/5900 A I 2 t *I 2 t ＊電流二乗時間積 V alue for one cycle sur ge curr ent 定格サージオン電流に対する値 145000 A 2 s P GM Peak Gate Power Dissipation 定格ピークゲート損失 10 W P G （A V） A verage Gate Power Dissipation 定格平均ゲート損失 3 W I FGM Peak Gate Curr ent 定格ピークゲート順電流 3 A V FGM Peak Gate V oltage （Forwar d） 定格ピークゲート順電圧 10 V V RGM Peak Gate V oltage （Reverse） 定格ピークゲート逆電圧 5 V di/dt Critical Rate of Rise of On-state Curr ent 定格臨界オン電流上昇率 I G ＝100mA, V D ＝½V DRM , dI G /dt＝0.1A/μs 500 A/μs V ISO *Isolation Br eakdown V oltage ＊絶縁耐圧 A.C. 1minute 実効値，A.C.１分間 2500 V Tj *Operating Junction T emperatur e T stg *Storage T emperatur e Mounting T or que 締付トルク Mount （M6） 取付 Recommended value 推奨値 2.5～3.9N・m 4.7 N ・mT erminal （M6） 主端子 Recommended value 推奨値 2.5～3.9N・m 4.7 Mass 質量 T ypical value 標準値 210 g （SCA160AA-S75-1303） ʶ ʶ ʵПʶ ʵʶ ʶ ʵʶʷʶ ʶ ʶ ʶ ʶ ʢTDSFXJOHEFQUINNʣ Unit 単位：mm ʙ ʵ ʢ,ʣ ʢ(ʣ ʢ,ʣ ʢ( ʙ ʵ ʢ,ʣ ʢ(ʣ SCA SCE
SCA(SCE)160DA 1FBL'PSXBSE(BUF7PMUBHF ϐʔΫήʔτॱిѹ ʢ7ʣ 1FBL(BUF1PXFS ʢ8ʣ1FBL(BUF$VSSFOU ϐʔΫήʔτॱిྲྀ ʢ̏"ʣ .JOJNVN(BUF/PO5SJHHFS খඇτϦΨిѹ "WFSBHF(BUF1PXFS ʢ8ʣ (BUF$IBSBDUFSJTUJDT ήʔττϦΨಛੑ (BUF$VSSFOU ήʔτిྲྀ ʢN"ʣ (BUF7PMUBHF ˆ ʵˆʵˆˆˆ ήồτిѹ ʢ7ʣ ˆ."9ˆ."9 ˆ5:1ˆ5:1 ˆ."9ˆ."9 ˆ5:1ˆ5:1 .BYJNVN0O$IBSBDUFSJTUJDT େॱಛੑ 0OTUBUF7PMUBHF%SPQɹ75.ʢ7ʣ Φϯిѹɹ75.ʢ7ʣ 0OTUBUF1FBL$VSSFOUɹ*5ʢ"ʣ Φϯిྲྀ ʢ"ʣ ■Electrical Characteristics 電気的特性 （Tj＝25℃ unless otherwise specified／指定なき場合はTj＝25℃とする） Symbol 記号 Item 項 目 Conditions 条 件 Ratings 定格値 Unit 単位min. 最小 typ. 標準 max. 最大 I DRM Repetitive Peak Of f-state Curr ent オフ電流 Tj＝125℃, V D ＝V DRM 100 mA I RRM *Repetitive Peak Reverse Curr ent ＊逆電流 Tj＝125℃, V R ＝V RRM 100 mA V TM V FM *On-state （Forwar d） V oltage ＊オン（順）電圧 I T ＝500A 1.4 V V T（TO） *Thr eshold V oltage ＊閾値電圧 Tj＝25℃ 1.07 VTj＝125℃ 0.87 rt *Dynamic Resistance ＊オン抵抗 Tj＝25℃ 1.50 mΩTj＝125℃ 0.96 I GT Gate T rigger Curr ent ゲートトリガ電流 V D ＝6V , I T ＝1A 100 mA V GT Gate T rigger V oltage ゲートトリガ電圧 V D ＝6V , I T ＝1A 3 V V GD Gate Non-T rigger V oltage ゲート非トリガ電圧 Tj＝125℃, V D ＝½V DRM 0.25 V tgt T ur n-on Time ターンオン時間 I T ＝160A, I G ＝100mA, V D ＝½V DRM, dI G /dt＝0.1A/μs 10 μs dv/dt Critical Rate of Rise of Of f-state V oltage 臨界オフ電圧上昇率 Tj＝125℃, V D ＝⅔V DRM , exp. waveform 1000 V/μs I H Holding Curr ent 保持電流 140 mA I L Latching Curr ent ラッチング電流 230 mA Rth （j-c） *Thermal Resistance ＊熱抵抗 cont., Junction to case , per one element 接合部―ケース間 cont. , 単位エレメント当り 0.17 ℃/W Rth （j-c） *Ef fective Thermal Resistance ＊実効熱抵抗 sin.180° , Junction to case, per one element 接合部―ケース間, sin.180° , 単位エレメント当り 0.18 ℃/Wr ec.120° , Junction to case, per one element 接合部―ケース間, r ec.120° , 単位エレメント当り 0.19 Rth （c-s） *Interface Thermal Resistance ＊接触熱抵抗 Case to Heat sink, per one element ケース―ヒートシンク間, 単位エレメント当り Thermal conductivity （Silicon gr ease） ＝7×10 －3［W/㎝ ・℃］ 0.1 ℃/W * mark: Thyristor and Diode part. No mark: Thyristor part. 注）上表中＊印の項目は、サイリスタ部及びダイオード部の両方に適用します。その他の項目は主にサイリスタ部に適用します。
SCA(SCE)160DA 4VSHF'PSXBSE$VSSFOU3BUJOHʢ/PO3FQFUJUJWFʣ Γฦ͠ʣ 5JNFT ௨ిαΠΫϧOʢ$ZDMFTʣ 4VSHF'PXBSE$VSSFOU αồδॱిྲྀ *'4. ʢ"ʣ 4JOHMFQIBTFIBMGXBWF 5KʹˆTUBSU 1FSPOFFMFNFOU ୯ҐΤϨϝϯτΓ QFSPOF&MFNFOU ୯ҐΤϨϝ ϯ τͨΓ QFSPOF&MFNFOU ୯ҐΤϨϝ ϯ τͨΓ KVODUJPOUPDBTFВKD ෦ᴷέʔεВKD KVODUJPOUPDBTFВKD ෦ᴷέʔεВKD KVODUJPOUPTJOLВKT ෦ᴷγϯΫВKT KVODUJPOUPTJOLВKT ෦ᴷγϯΫВKT 5JNF ɹUʢඵʣ 5SBOTJFOU5IFSNBM*NQFEBODF աΠϯϐʔμϯεಛੑ 5SBOTJFOU5IFSNBM*NQFEBODFɹВKDʢˆ8ʣ ʵ ʵ ʵ ʢˆ8ʣ ВKD В ʄ В ʄ В ʄ В ʄ В ʄ В К ̎К ʄ ʄ $VSSFOUWT1PXFS%JTTJQBUJPO "WFSBHF0O4UBUF$VSSFOU ̌ ̌ 1PXFS%JTTJQBUJPO ɹ ʢ8ʣ В К ̎К ʄ ʄ $VSSFOUWT"MMPXBCMF$BTF5FNQFSBUVSF ༰έʔεԹ "WFSBHF0OTUBUF$VSSFOU "MMPXBCMF$BTF5FNQFSBUVSF ༰έồεԹ ɹ ʢˆʣ В ʄВ ʄВ ʄВ ʄВ ʄВ ʄВ ʄВ ʄВ ʄВ ʄВ ʄВ ʄВ ʄВ ʄВ ʄ *% ʢ3.4ʣ $POEVDUJPO"OHMF˃$POEVDUJPO"OHMF˃ 3UIˆ8 3UIˆ8 3UIˆ8 3UIˆ8 3UIˆ8 *OUFSGBDF5IFSNBM*NQFEBODFˆ8QFS.PEVMF 3UI)FBU4JOL5IFSNBM*NQFEBODF ʵ 0VUQVU$VSSFOU ग़ྗిྲྀ ʢ"ʣ "NCJFOU5FNQFSBUVSF पғԹ ʢˆʣ 5PUBM1PXFS%JTTJQBUJPO "MMPXBCMF$BTF5FNQFSBUVSF ༰έồεԹ ʢˆʣ ʢ8ʣ 0VUQVU$VSSFOUʢ8̍ ʀ #JEJSFDUJPOBMDPOOFDUJPOʣ ฒྻଓʣ ʵ 0VUQVU$VSSFOU ग़ྗిྲྀ ʢ"ʣ "NCJFOU5FNQFSBUVSF पғԹ ʢˆʣ 5PUBM1PXFS%JTTJQBUJPO "MMPXBCMF$BTF5FNQFSBUVSF ʢ8ʣ ༰έồεԹ ʢˆʣ 0VUQVU$VSSFOUʢ# ʀ 5XPQVMTFCSJEHFDPOOFDUJPOʣ ༰ग़ྗిྲྀʢ# ୯૬ϒϦοδଓʣ $POEVDUJPO"OHMF˃$POEVDUJPO"OHMF˃ *OUFSGBDF5IFSNBM*NQFEBODFˆ8QFS.PEVMF 3UI)FBU4JOL5IFSNBM*NQFEBODF 3UIˆ8 3UIˆ8 3UIˆ8 3UIˆ8 3UIˆ8 *% ʢ"7ʣ *% ʢ"7ʣ *% ʢ3.4ʣ 3UIˆ8 3UIˆ8 3UIˆ8 3UIˆ8 3UIˆ8 *OUFSGBDF5IFSNBM*NQFEBODFˆ8QFS.PEVMF 3UI)FBU4JOL5IFSNBM*NQFEBODF ʵ 0VUQVU$VSSFOU ग़ྗిྲྀ ʢ"ʣ "NCJFOU5FNQFSBUVSF पғԹ ʢˆʣ 5PUBM1PXFS%JTTJQBUJPO ʢ8ʣ 0VUQVU$VSSFOU ʢ# ʀ 4JYQVMTFCSJEHFDPOOFDUJPO 8 ʀ 5ISFFQIBTFCJEJSFDUJPOBMDPOOFDUJPOʣ ฒྻଓʣ "MMPXBCMF$BTF5FNQFSBUVSF ༰έồεԹ ʢˆʣ $POEVDUJPO"OHMF˃$POEVDUJPO"OHMF˃