SCA110AA SANREX | Alldatasheet
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SCA（SCE）110AA THYRISTOR MODULE ■Internal Configurations 内部結線図 UL; E76102 （M） ʶ ʶ ʢʣʶ П П ʶ ʶ ʷ Unit 単位：mm SCA （SCE） 110AA 《Advantages》 《特長》 wIsolated package㴨㴚㴈㱟㴏 wI T(A V) 1 10Aిྲྀ 1 10A wdv/dt 1000V/sྟւ㴁㴬ిѹ্ঢ 1000V/s 《Applications》 《用途》 wvarious rectifiers, Motor drives, Heater controls, Static switches w ɺ 㴐㳻㴚㴘 ■Maximum Ratings 最大定格 （Unless otherwise specified Tj＝25℃／指定なき場合はTj＝25℃とする） Symbol 記号 Item 項 目 Ratings 定格値 Unit 単位SCA110AA160 SCE110AA160 V RRM *Repetitive Peak Reverse V oltage ＊定格ピーク繰返し逆電圧 1600 V V RSM *Non-Repetitive Peak Reverse V oltage ＊定格ピーク非繰返し逆電圧 1700 V V DRM Repetitive Peak Of f-state V oltage 定格ピーク繰返しオフ電圧 1600 V Symbol 記号 Item 項 目 Conditions 条 件 Ratings 定格値 Unit 単位 I T（A V） I F（A V） *A verage On-state Curr ent ＊定格平均オン（順）電流 Single phase, half wave, 180° conduction, 単相半波平均値180°導通角 ケース温度 T c＝95℃ 110 A I T（RMS） I F（RMS） *R.M.S. On-state Curr ent ＊定格実効オン（順）電流 Single phase, half wave, 180° conduction, 単相半波実効値180°導通角 ケース温度 T c＝95℃ 172 A I TSM I FSM *Sur ge On-state Curr ent ＊定格サージオン（順）電流 ½cycle, 50/60Hz, Peak value, non-r epetitive 50/60Hz ½サイクル 正弦波 波高値 非繰返し 2250/2500 A I 2 t *I 2 t（for fusing） ＊電流二乗時間積 V alue for one cycle sur ge curr ent 1サイクルサージオン電流に対する値 25000 A 2 s P GM Peak Gate Power Dissipation 定格ピークゲート損失 10 W P G （A V） A verage Gate Power Dissipation 定格平均ゲート損失 1 W I FGM Peak Gate Curr ent 定格ピークゲート順電流 3 A V FGM Peak Gate V oltage （Forwar d） 定格ピークゲート順電圧 10 V V RGM Peak Gate V oltage （Reverse） 定格ピークゲート逆電圧 5 V di/dt Critical Rate of Rise of On-state Curr ent 定格臨界オン電流上昇率 I G ＝100mA, V D ＝½V DRM , dI G /dt＝0 .1A/μs 140 A/μs V ISO *Isolation Br eakdown V oltage（R. M. S.） ＊絶縁耐圧 A.C. 1minute 実効値，A.C.１分間 2500 V Tj *Operating Junction T emperatur e T stg *Storage T emperatur e ＊保存温度 －40～＋125 ℃ Mounting T or que 締付トルク Mounting（M5）取付 Recommended value （kgf･cm）T erminal（M5）端子 Recommended value Mass 質量 T ypical value 標準値 90 g 4$" ʢ,ʣ ʢ(ʣ ʢ,ʣ ʢ(ʣ ʢ",ʣʢ"ʣ ʢ,ʣ 4$& ʢ,ʣ ʢ(ʣ ʢ"ʣ ʢ",ʣʢ,ʣ （SCA110AA-S79-1303）
SCA(SCE)110AA (BUF$IBSBDUFSJTUJDT ήʔττϦΨಛੑ ˆ ʵˆʵˆˆˆ 7(% 1FBL'PSXBSE(BUF7PMUBHF ʢ7ʣ ϐʔΫήʔτॱిѹ 1FBL(BUF1PXFS ʢ8ʣ 1FBL(BUF$VSSFOU ʢ̏"ʣ ϐʔΫήʔτॱిྲྀ .BYJNVN(BUF/PO5SJHHFS7PMUBHF খඇτϦΨిѹ "WFSBHF(BUF1PXFS ʢ8ʣ BUF$VSSFOU ʢN"ʣ ήʔτిྲྀ ʢN"ʣ (BUF7PMUBHF ʢ7ʣ ήồτిѹ ʢ7ʣ ˆ5K ˆ ˆ5K ˆ .BYJNVN .BYJNVN .BYJNVN'PSXBSE$IBSBDUFSJTUJDT େॱಛੑ 0OTUBUF7PMUBHF%SPQɹ75.ʢ7ʣ Φϯిѹɹ75.ʢ7ʣ 0OTUBUF1FBL$VSSFOUɹ*5ʢ"ʣ Φϯిྲྀ ʢ"ʣ ■Electrical Characteristics 電気的特性 （Unless otherwise specified Tj＝25℃／指定なき場合はTj＝25℃とする） Symbol 記号 Item 項 目 Conditions 条 件 Ratings 定格値 Unit 単位 Min. T yp. Max. I DRM Repetitive Peak Of f-state Curr ent, max 最大オフ電流 at V DRM , Single phase, half wave 定格ピーク繰返しオフ電圧に於て, 単相半波 , Tj＝130℃ 20 mA I RRM *Repetitive Peak Reverse Curr ent, max ＊最大逆電流 at V RRM , Single phase, half wave 定格ピーク繰返し逆電圧に於て, 単相半波 , Tj＝130℃ 20 mA V TM V FM *Peak On-state （Forwar d） V oltage, max ＊最大オン（順）電圧 On-State Curr ent 330A, Inst, measur ement オン（順）電流波高値 330A 瞬時測 定 1.7 V V T（TO） *Thr eshold V oltage, max ＊最大閾値電圧 Tj＝25℃ 1.07 VTj＝130℃ 0.88 rt *Dynamic Resistance, max ＊最大オン抵抗 Tj＝25℃ 1.9 mΩTj＝130℃ 2.7 I GT Gate T rigger Curr ent, max 最大ゲートトリガ電流 I T ＝1A, V D ＝6V 100 mA V GT Gate T rigger V oltage, max 最大ゲートトリガ電圧 I T ＝1A, V D ＝6V 2.5 V V GD Non-T rigger Gate V oltage, min 最小ゲート非トリガ電圧 Tj＝125℃, V D ＝½V DRM 0.25 V tgt T ur n-on Time 最大ターンオン時間 I T ＝110A, I G ＝100mA, V D ＝½V DRM , dI G /dt＝0.1A/μs 10 μs dv/dt Critical Rate of Rise of Of f-stat e V oltage, min 最小臨界オフ電圧上昇率 Tj＝125℃, V D ＝⅔V DRM , Exponential wave 指数関数波形 1000 V/μs I H Holding Curr ent 代表保持電流 160 mA I L Latching Curr ent 代表ラッチング電流 280 mA Rth （j-c） *Thermal Impedance, max ＊最大熱抵抗 Junction to case （per Chip） 接合部―ケース間 （per Chip） 0.19 ℃/W Rth （c-s） case to fin （per Chip） ケース─フィン間 （per Chip） 0.22 ℃/W *mark: Thyristor and Diode part, No mark: Thyristor part. 注）上表中＊印の項目は、サイリスタ部及びダイオード部の両方に適用します。その他の項目は主にサイリスタ部に適用します。
SCA(SCE)110AA 1FSPOFFMFNFOU ୯ҐΤϨϝ ϯ τΓ 1FSPOFFMFNFOU ୯ҐΤϨϝ ϯ τΓ )[)[ )[)[ ˆTUBSU 4JOHMFQIBTFIBMGXBWF 4VSHF'PSXBSE$VSSFOUɹ*'4.ʢ"ʣ αồδॱిྲྀ ɹ *'4. 5JNFT ௨ిαΠΫϧɹO ʢDZDMFTʣ 4VSHF'PSXBSE$VSSFOU3BUJOHʪ/PO3FQFUJUJWFʫ ฦ͠ʫ ʢ"ʣ QFSPOF&MFNFOU ୯ҐΤϨϝ ϯ τͨΓ QFSPOF&MFNFOU ୯ҐΤϨϝ ϯ τͨΓ KVODUJPOUPDBTF KVODUJPOUPDBTF 5JNFʢTFDʣ ɹUʢඵʣ 5SBOTJFOU5IFSNBM*NQFEBODF աΠϯϐʔμϯεಛੑ 5SBOTJFOU5IFSNBM*NQFEBODFɹВKDʢˆ8ʣ ɹВ ʢˆ8ʣ KD В ʄ В ʄ В ʄ В ʄ В ʄ "WFSBHF0O4UBUF$VSSFOUWT1PXFS%JTTJQBUJPOʪ4JOHMF1IBTF)BMG8BWFʫ ಛੑʪ୯૬ʫ "WFSBHF0O4UBUF$VSSFOUʢ"ʣ ిྲྀʢ"ʣ ̌ ̌ 1PXFS%JTTJQBUJPOʢ8ʣ ɹ ʢ8ʣ $POEVDUJPO"OHMF ɻ QFSPOF&MFNFOU ୯ҐΤϨϝ ϯ τͨΓ QFSPOF&MFNFOU ୯ҐΤϨϝ ϯ τͨΓ В ʄВ ʄ В ʄВ ʄ В ʄВ ʄ В ʄВ ʄ В ʄВ ʄ "MMPXCMF$BTF5FNQFSBUVSFɹ5$ʢˆʣ $VSSFOUWT"MMPXBCMF$BTF5FNQFSBUVSFʪ4JOHMF1IBTF)BMG8BWFʫ ༰έʔεԹʪ୯૬ʫ "WFSBHF0OTUBUF$VSSFOUɹ ʢ"ʣ ిྲྀɹ ʢ"ʣ ༰έồεԹ ɹ ʢˆʣ $POEVDUJPO"OHMF ɻ QFSPOF&MFNFOU ୯ҐΤϨϝ ϯ τͨΓ QFSPOF&MFNFOU ୯ҐΤϨϝ ϯ τͨΓ *% ʢ3.4ʣ $POEVDUJPO"OHMFВ˃$POEVDUJPO"OHMFВ˃ 3UIˆ8 3UIˆ8 3UIˆ8 3UIˆ8 3UIˆ8 *OUFSGBDF5IFSNBM*NQFEBODFˆ8QFS.PEVMF 3UI)FBU4JOL5IFSNBM*NQFEBODF 0VUQVU$VSSFOU ʢ"ʣ ग़ྗిྲྀ ʢ"ʣ "NCJFOU5FNQFSBUVSF ʢˆʣ पғԹ ʢˆʣ 5PUBM1PXFS%JTTJQBUJPOʢ8ʣ "MMPXBCMF$BTF5FNQFSBUVSF ʢˆʣ ༰έồεԹ ʢˆʣ ʢ8ʣ 0VUQVU$VSSFOUʢ8̍ ʀ #JEJSFDUJPOBMDPOOFDUJPOʣ ฒྻଓʣ 0VUQVU$VSSFOU ʢ"ʣ ग़ྗిྲྀ ʢ"ʣ "NCJFOU5FNQFSBUVSF ʢˆʣ पғԹ ʢˆʣ 5PUBM1PXFS%JTTJQBUJPOʢ8ʣ "MMPXBCMF$BTF5FNQFSBUVSF ʢˆʣ ʢ8ʣ ༰έồεԹ ʢˆʣ 0VUQVU$VSSFOUʢ# ʀ 5XPQVMTFCSJEHFDPOOFDUJPOʣ ༰ग़ྗిྲྀʢ# ୯૬ϒϦοδଓʣ $POEVDUJPO"OHMFВ˃$POEVDUJPO"OHMFВ˃ *OUFSGBDF5IFSNBM*NQFEBODFˆ8QFS.PEVMF*OUFSGBDF5IFSNBM*NQFEBODFˆ8QFS.PEVMF 3UIˆ8 3UIˆ8 3UIˆ8 3UIˆ8 3UIˆ8 *% ʢ"7ʣ 3UI)FBU4JOL5IFSNBM*NQFEBODF *% ʢ"7ʣ *% ʢ3.4ʣ 3UIˆ8 3UIˆ8 3UIˆ8 3UIˆ8 3UIˆ8 *OUFSGBDF5IFSNBM*NQFEBODFˆ8QFS.PEVMF 3UI)FBU4JOL5IFSNBM*NQFEBODF 0VUQVU$VSSFOU ʢ"ʣ ग़ྗిྲྀ ʢ"ʣ "NCJFOU5FNQFSBUVSF ʢˆʣ पғԹ ʢˆʣ 5PUBM1PXFS%JTTJQBUJPOʢ8ʣ ʢ8ʣ 0VUQVU$VSSFOU ʢ# ʀ 4JYQVMTFCSJEHFDPOOFDUJPO 8 ʀ 5ISFFQIBTFCJEJSFDUJPOBMDPOOFDUJPOʣ ฒྻଓʣ "MMPXBCMF$BTF5FNQFSBUVSF ʢˆʣ ༰έồεԹ ʢˆʣ $POEVDUJPO"OHMFВ˃$POEVDUJPO"OHMFВ˃