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Technical content

Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BPW 34 F

Ordering Information

Features: Besondere Merkmale:

  • Especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm
  • Speziell geeignet für den Wellenlängenbereich von 780 nm bis 1100 nm
  • Short switching time (typ. 20 ns) • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
  • DIL plastic package with high packing density • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Applications Anwendungen
  • Automotive (eg rain sensor, headset) • Automotomobil (z.B. Regensensor, Headset)
  • IR remote control of hi-fi and TV sets, video tape recorders, dimmers, remote controls of various equipment
  • IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen
  • Photointerrupters • Lichtschranken Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2, VR = 5 V IP [µA] BPW 34 F 50 ( ≥ 40) Q62702P0929

Version 1.0 BPW 34 F Maximum Ratings (TA = 25 °C) Grenzwerte Characteristics (TA = 25 °C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg -40 ... 100 °C Reverse voltage Sperrspannung VR 16 V Reverse voltage Sperrspannung (t < 2 min) VR 32 V Total power dissipation Verlustleistung Ptot 150 mW Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Photocurrent Fotostrom (VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee=1 mW/cm2) IP 50 (≥ 40) µA Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit λS max 950 nm Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ10% 780 ... 1100 nm Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche A7 . 0 2 m m 2 Dimensions of radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche L x W 2.65 x 2.65 mm x mm Half angle Halbwinkel ϕ ± 60 ° Dark current Dunkelstrom R = 10 V) IR 2 (≤ 30) nA Spectral sensitivity of the chip Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips (λ = 950 nm) Sλ typ 0.7 A / W

Version 1.0 BPW 34 F 2007-03-29 3 Quantum yield of the chip Quantenausbeute des Chips (λ = 950 nm) η 0.91 Electro ns /Photon Open-circuit voltage Leerlaufspannung e = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm) VO 330 (≥ 275) mV Short-circuit current Kurzschlussstrom (Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm) ISC 25 µA Rise and fall time Anstiegs- und Abfallzeit R = 5 V, RL = 50 Ω, λ = 850 nm, IP = 800 µA) tr, tf 0.02 µs Forward voltage Durchlassspannung (IF = 100 mA, E = 0) VF 1.3 V Capacitance Kapazität R = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) C0 72 pF Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von VO TCV -2.6 mV / K Temperature coefficient of ISC Temperaturkoeffizient von ISC (λ = 950 nm) TCI 0.18 % / K Noise equivalent power Rauschäquivalente Strahlungsleistung R = 10 V, λ = 950 nm) NEP 0.036 pW / Hz½ Detection limit Nachweisgrenze R = 10 V, λ = 950 nm) D* 7.3e12 cm x Hz½ / W Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit

Version 1.0 BPW 34 F Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit Srel = f(λ) Photocurrent / Open-Circuit Voltage Fotostrom / Leerlaufspannung IP (VR = 5 V) / VO = f(Ee) Total Power Dissipation Verlustleistung Ptot = f(TA) Dark Current Dunkelstrom IR = f(VR), E = 0 λ OHF00368 relS 700 100 nm800 900 1000 1200 E OHF01097 e 010 PΙ 10 1 10 2 10 410 -1 10 0 10 1 10 2 410 310 210 110 10 0 VO μ Am V Ι P VO 310 μW/cm 2 T OHF00958 A totP 0 20 40 60 80 ˚C 100 mW 100 120 140 160 OHF00080 Ι R RV 0 5 10 15 V 20 1000 2000 3000 4000 pA

Version 1.0 BPW 34 F 2007-03-29 5 Capacitance Kapazität C = f(VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark Current Dunkelstrom IR = f(TA), VR = 10 V, E = 0 Directional Characteristics Winkeldiagramm Srel = f(ϕ) V OHF00081 R -210 C 0 -110 010 110 210V pF 100 T OHF00082 A -110 0 RΙ 10 0 10 1 10 2 10 3 nA 20 40 60 80 ˚C 100 OHF01402 40 30 20 10 20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0 ϕ 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 100

Version 1.0 BPW 34 F Package Outline Maßzeichnung Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Package DIL, Epoxy Gehäuse DIL, Harz GEOY6643 4.0 (0.157) 4.5 (0.177) 5.4 (0.213) 4.9 (0.193) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) 1.2 (0.047) 0.7 (0.028) 0.3 (0.012) 0.5 (0.020) 0.8 (0.031) 0.6 (0.024) Cathode marking 0.6 (0.024) 0.8 (0.031) 1.9 (0.075) 2.2 (0.087) 3.0 (0.118) 3.5 (0.138) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) Chip position 0.4 (0.016) 0.6 (0.024) 0.35 (0.014) 0.2 (0.008) 0 ... 5˚ 5.08 (0.200) spacing 1.4 (0.055) Photosensitive area 1.8 (0.071)

Version 1.0 BPW 34 F 2007-03-29 7 TTW Soldering Wellenlöten (TTW) IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW OHLY0598 50 100 150 200 250 100 150 200 250 300 T t C s 235 C 10 s C... 260 1. Welle 1. wave 2. Welle 2. wave

5 K/s 2 K/sca 200 K/s

CC... 130100

2 K/s

Zwangskühlung forced cooling Normalkurve standard curve Grenzkurven limit curves

Version 1.0 BPW 34 F Disclaimer Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist.

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