PHMB800E6

PHMB800E6 NIEC | Alldatasheet

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QS043-402-20395（2/5） 日本インター株式会社 ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｎｇｌｅ ８００Ａ，６００Ｖ ＰＨＭＢ８００Ｅ６ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage Ｖ ＣＥＳ ６ ０ ０ Ｖ ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage Ｖ ＧＥＳ ± ２ ０ Ｖ ＤＣ ＩＣ ８ ０ ０ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent １ｍｓ Ｉ ＣＰ １,６００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation Ｐ Ｃ ２,７００ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔ ｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔ ｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｖ ＩＳＯ ２,５００ Ｖ （ＲＭＳ） Ｍ o d u l e Ｂ a s e t o Ｈ e a t s i n k ３ （ ３ ０ . ６ ） Ｍ４ １.４ （１４.３） 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｔerminals Ｆ ｔｏｒ Ｍ８ １０.５ （１０７ ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) □ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent Ｉ ＣＥＳ Ｖ ＣＥ= 800V,ＶＧＥ= 0V － － １.０ ｍＡ ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｉ ＧＥＳ Ｖ ＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage Ｖ ＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 800A,ＶＧＥ= 15V － ２.１ ２.６ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage Ｖ ＧＥ（ｔｈ） Ｖ ＣＥ= 5V,ＩＣ= 800mA ４.０ － ８.０ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance Ｃ ｉｅｓ Ｖ ＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 40,000 － ｐＦ 上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ｔｒ － ０.１５ ０.３５ ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime ｔｏｎ － ０.３０ ０.８５ 下 降 時 間 Ｆall Ｔime ｔｆ － ０.１０ ０.２５ スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime ｔ ｏｆｆ ＶＣＣ= 300V ＲＬ= 0.375Ω ＲＧ= 1.5Ω ＶＧＥ= ±15V － ０.４０ ０.８０ μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ Ｉ Ｆ ８００ Ａ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent １ｍｓ Ｉ ＦＭ １ , ６ ０ ０ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage Ｖ Ｆ Ｉ Ｆ= 800A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ｔ ｒｒ ＩＦ= 800A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 1600A/μs － ０.１５ ０.２５ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＧＢＴ － － ０.０４５ 熱 抵 抗 Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｒth(j-c) Junction to Case (C) 1 2 (E ) (E ) (G) 2 -M4 4 - Ø6.5 2 -M8 110 93 ±0. 25 62±0. 25 20 20 13 21 29 +1.0 - 0.536 25.5 +1.0 - 0.5 237 LABEL

QS043-402-20395（3/5） 日本インター株式会社 ＰＨＭＢ８００Ｅ６ 012345 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector Current I C (A) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25°C 11V 10V VGE=20V 12V 15V 012345 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector Current I C (A) Fig.2- Output Characteristics (Typical) TC=125°C 11V 10V VGE=20V 12V 15V 0 4 8 1 21 62 0 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25°C IC=400A 1600A 800A 048 1 2 1 6 2 0 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) IC=400A 1600A TC=125°C 800A 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 100 150 200 250 300 350 400 Total Gate Charge Qg (nC) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Gate to Emitter Voltage VGE (V) Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) VCE=300V 200V 100V RL=0.375( TC=25°C 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 300 1000 3000 10000 30000 100000 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Capacitance C (pF) Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) Cies Coes Cres VGE=0V f=1MHZ TC=25°C

QS043-402-20395（4/5） 日本インター株式会社 ＰＨＭＢ8００Ｅ６ 0 200 400 600 800 1000 1200 0.2 0.4 0.6 0.8 Collector Current IC (A) Switching Time t (µs) Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) tOFF tf tr(VCE) tON VCC=300V RG=1.5( VGE=±15V TC=25°C Resistive Load 1 3 10 301.5 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 Series Gate Impedance RG (() Switching Time t (µs) Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) VCC=300V IC=800A VGE=±15V TC=25°C Resistive Load tf tr(VCE) ton toff 0 200 400 600 800 1000 1200 0.001 0.01 0.1 Collector Current IC (A) Switching Time t (µs) Fig.9- Collector Current vs. Switching Time tOFF tf tr(Ic) tON VCC=300V RG=1.5( VGE=±15V TC=125°C Inductive Load 1 3 10 301.5 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 Series Gate Impedance RG (() Switching Time t (µs) Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time VCC=300V IC=800A VGE=±15V TC=125°C Inductive Load tf tr(IC) ton toff 0 200 400 600 800 1000 1200 Collector Current IC (A) Switching Loss ESW (mJ/Pulse) Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss EOFF EON VCC=300V RG=1.5( VGE=±15V TC=125°C Inductive Load ERR 1 3 10 301.5 100 300 1000 3000 Series Gate Impedance RG (() Switching Loss ESW (mJ/Pulse) Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss EOFF EON VCC=300V IC=800A VGE=±15V TC=125°C Inductive Load ERR

QS043-402-20395（5/5） 日本インター株式会社 ＰＨＭＢ8００Ｅ６ 01234 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 Forward Voltage VF (V) Forward Current I F (A) Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) TC=25°C TC=125°C 0 800 1600 2400 3200 4000 4800 100 200 500 1000 -di/dt (A/µs) Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical) IRrM trr IF=800A TC=25°C TC=125°C 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 11 0 1 3x10-4 1x10-3 3x10-3 1x10-2 3x10-2 1x10-1 3x10-1 Time t (s) Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W) Fig.16- Transient Thermal Impedance TC=25°C

1 Shot Pulse

0.1 0.2 0.5 100 200 500 1000 2000 5000 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current I C (A) Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area RG=1.5(, VGE=±15V, T C<125°C