PHM5601_1 NIEC | Alldatasheet
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 4
Technical content
ç ç çççççççççç ċİĴĬĵĺİĶĵāʦĴĴʧç çç ç ç ిѹç ̞̙ç çç ̐̐̌ç ύϧευϨΠϯిྲྀ ç ç çԹç ç อçççଘçççԹççç ç ઈç ԑç ç ѹï̩ĬĹĴİĵĨijçĻĶç̗ĨĺĬç ̖̘ó̼̍İĵļĻĬðç ̢ĶīļijĬç̗ĨĺĬçĻĶç̝ĬĨĻĺİĵIJç ç ç ̏ʢ̏̌õ̒ʣ çççççççççççç ç కçΊçç͚çτçϧçΫ ç ̢ĶļĵĻİĵĮçç̩ĶĹĸļĬç ̗ļĺĩĨĹçĻĶç̢Ĩİĵç̩ĬĹĴİĵĨijç ̛̓̾́ç ̣ɾ̼ç ïIJĮĭŋĪĴðç çç υϨΠϯःஅిྲྀç ήʔτ࿙Εిྲྀç Φϯిѹç ॱୡίϯμΫλϯεç ̛ĶĹľĨĹīç ̩ĹĨĵĺĪĶĵīļĪĻĨĵĪĬç ̶ĭĺç ̫ ̨̙Ąøüĝó̞̙Ąüý÷Ĉç ç ç ç ç çؼççؐçç ༰çç ྔç ç̧ĬĽĬĹĺĬç ̩ĹĨĵĺĭĬĹç̘ĨķĨĪİĻĨĵĪĬç ̴̘́͂ç ʵç çç ̍̏ç ʵç ̛̿ç ç ç̨ľİĻĪįİĵĮç̩İĴĬç ̫̙̙Ąÿ÷ĝç ̞̙Ąùÿ÷Ĉç ̧̜ĄøõùЊç ̽͂ç ç ç ಛಛಛಛ *ç େ༰ྔʢ560ADCʣͰ͢ *ç όοςϦϑΥʔΫϦϑτ༻νϣού ç ઢç ਤ
çç ççççç ç ç ̘ĶĵĻİĵļĶļĺç ̨ĶļĹĪĬç ̘ļĹĹĬĵĻç ̨̞ç ύϧειʵεిྲྀç μΠΦʔυॱిѹç ç ç ç ̩įĬĹĴĨijç̞ĴķĬīĨĵĪĬóçđļĵĪĻİĶĵçĻĶçĊĨĺĬç ç ̧ĻįïıôĪðç çç ʵç ʵç ̌ɽ̌̓ ç ˆʗ̬ç ç ̩įĬĹĴĨijç̞ĴķĬīĨĵĪĬóçĊĨĺĬçĻĶçďĬĨĻĺİĵIJç ç ̧ĻįïĪôĭðç αʵϚϧίϯύϯυృç ĔĶļĵĻİĵĮçĺļĹĭĨĪĬçĭijĨĻóĺĴĶĶĻįóç ĨĵīçĮĹĬĨĺĬīç ʵç ʵç ̌ɽ ̌̏̑ ç ˆʗ̬ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç
ç ç ççççç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 40 200 400 600 800 1000 1200 Drain to Source Voltage V DS (V) DrainCurrent I D (A) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25 ℃ 4VVGE=10V 250 μs PULSE TEST 02468 1 0 1 2 1 4 1 60 0.2 0.4 0.6 0.8 1.2 1.4 1.6 1.8 Gate to Source Voltage V GS (V) Drain to Source Voltage V DS (V) Fig.2- Drain to Source On Voltage vs. Gate to Source Voltage (Typical) TC=25 ℃ ID=140A ID=280A ID=560A 250 μs PULSE TEST -50 0 50 100 1500 0.5 1.5 2.5 Junction Temperature Tj (℃) Drain to Source Voltage V DS (V) Fig.3- Drain to Source On Voltage vs. Junction Temperature (Typical) VGS=10V ID=140A ID=280A ID=560A 250 μs PULSE TEST 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 45000 Total Gate Charge Qg (nC) Gate to Source Voltage V GS (V) Fig.5- Gate Charge vs. Gate to Source Voltage (Typical) VDD=80V ID=560A VDD=40V VDD=20V 1 2 5 10 20 50 100 2000.1 0.2 0.5 100 Series Gate Impedance R G (Ω) Switching Time t (μs) Fig.6- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) VDD=80V ID=280A TC=25 ℃ tf tr td(on) td(off) 0.5 1 2 5 10 20 50 800 25000 50000 75000 100000 125000 150000 Drain to Source Voltage V DS (V) Capacitance C (nF) Fig.4- Capacitance vs. Drain to Source Voltage (Typical) Ciss Coss Crss VGS=0V f=1MHZ TC=25 ℃
ç ççççç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç ç 0 100 200 300 400 500 6000 0.2 0.4 0.6 0.8 1.2 Drain Current I D (A) Switching Time t (μs) Fig.7- Drain Current vs. Switching Time (Typical) td(off) tf tr td(on) VDD=80V RG=1.2 Ω TC=25 ℃ 200 400 600 800 1000 1200 Source to Drain Voltage V SD (V) Source Current I S (A) Fig.8- Source to Drain Diode Forward Characteristics (Typical) TJ=125 ℃ TJ=25 ℃ 0 500 1000 1500 2000 2500 100 200 500 -di/dt (A/μs) Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) IRrM trr -IS=800A TJ=125 ℃ 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 11 0 11x10 -3 3x10 -3 1x10 -2 3x10 -2 1x10 -1 SQUARE WAVE PULSE DURATION t (s) Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (℃/W) Fig.10- Maximun Transient Thermal Impedance